一种减少电源储能提高功率因数的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种减少电源储能提高功率因数的电路，包括三相整流桥、全桥或半桥电路、混合LC谐振电路，阻抗变换变压器，电流取样互感器，电压互感器、输出电流互感器和信号输出端，三相整流桥依次与滤波电路、全桥或半桥电路、混合LC谐振电路、阻抗变换变压器，电压互感器电性连接，电压互感器的次级线圈第一引脚连接信号输出端，电压互感器次级线圈的第二引脚分别连接信号输出端和输出电流互感器的初级线圈，阻抗变换变压器初级线圈的第二引脚连接电流取样互感器的初级线圈。三相市电波动时或负载阻抗发生变化使输出的电压发生变化时，本实用新型专利技术的电路通过控制输出稳定电压。本实用新型专利技术的电路通过控制输出稳定电压。本实用新型专利技术的电路通过控制输出稳定电压。

【技术实现步骤摘要】
一种减少电源储能提高功率因数的电路


[0001]本技术属于电子
，尤其涉及一种减少电源储能提高功率因数的电路。

技术介绍

[0002]在光伏和半导体PECVD镀膜领域以及其它等离子体、磁控溅射镀膜领域，被镀工件放置于真空室里，真空室里的电极在电源的作用下产生放电形成等离子体从而对工件进行镀膜。在镀膜工作过程中发生打弧是一种不可避免的常规现象，打弧的强度主要处决于使用电源的功率和电源储能的大小。打弧时相当于电源的负载接近于零，此时电源电路存储的能将迅速通过负载释放掉。电源电路的储能越大，打弧释放的能量就越大，打弧时能量越大镀膜的质量越差，甚至对膜产生缺陷使镀膜工件报废，因此要求镀膜电源的储能越小越好。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中存在的问题，本技术电路中设置第一电容C1，作用是减小E+到E
‑
的直流电压脉动即平滑滤波，使大闭环负反馈电路的响应速度能跟上E+到E
‑
的波动变化，从而使输出稳定。本技术是通过T2电流互感器采样T1的初级电流，经高速精密整流电路、N8反向器，在N9的R本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少电源储能提高功率因数的电路，其特征在于，包括三相整流桥V1、全桥或半桥电路N1、混合LC谐振电路N2，阻抗变换变压器T1，电流取样互感器T2，电压互感器T3、输出电流互感器T4和信号输出端OUTA和OUTB，其中三相交流电接入所述三相整流桥V1，所述三相整流桥V1依次与滤波电路、所述全桥或半桥电路N1、所述混合LC谐振电路N2、所述阻抗变换变压器T1，所述电压互感器T3电性连接，所述电压互感器T3的次级线圈第一引脚连接所述信号输出端OUTA，所述电压互感器T3次级线圈的第二引脚分别连接所述信号输出端OUTB和输出电流互感器T4的初级线圈，所述阻抗变换变压器T1初级线圈的第二引脚连接所述电流取样互感器T2的初级线圈。2.根据权利要求1所述的减少电源储能提高功率因数的电路，其特征在于，所述滤波电路由第一电阻R1和第一电容C1串联组成。3.根据权利要求1所述的减少电源储能提高功率因数的电路，其特征在于，所述全桥或半桥电路N1由4只大功率场效应管组成全桥电路或2只大功率场效应管组成半桥电路，当电源输出功率大于5KW时，所述全桥或半桥电路N1由2组或多组桥式电路并联组成。4.根据权利要求1所述的减少电源储能提高功率因数的电路，其特征在于，所述输出电流互感器T4的次级线圈与电阻R16并联后接入电流电压功率乘法取样电路中的乘法器，所述电压互感器T3初级线圈的第三引脚和第四引脚接入所述乘法器，所述乘法器还和模式切换开关电性连接，接收所述模式切换开关输出的电流反馈、电压反馈和功率反馈；比较器N5的“+”输入端接地，
“‑”
输入端连接第二电阻R2，所述比较器N5的
“‑”
输入端还连接第三电阻R3的一端，所述第三电阻的另一端输出设定电压；所述第二电阻R2连接所述模式切换开关；所述比较器N5的输出端连接第二电容C2，所述第二电容连接所述比较器的
“‑”
输入端。5.根据权利要求1所述的减少电源储能提高功率因数的电路，其特征在于，还包括高速精密整流电路，所述高速精密整流电路包括比较器N7，比较器N6，第一二极管V2A，第二二极管V2B，第4电阻R4，第5电阻R5，第6电阻R6，第7电阻R7，第8电阻R8和第9电阻R9；所述电流取样互感器T2的次级线圈与第15电阻R15并联后一端连接所述第4电阻R4，另一端连接所述比较器N6的“+”输入端，所述比较器N6的
“‑”
输入端连接所述第一二极管V2A的正极，所述第一二极管V2A的负极...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨波，周康梁，张郁之，管宏鑫，
申请(专利权)人：湖南华鑫晶造电气科技有限公司，
类型：新型
国别省市：