倍宽键结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种倍宽键，其包括一键帽及一座体。在键帽的两端分别向下延伸一侧柱，每一侧柱具有一第一突出部。座体延伸两个侧柱导筒以收纳相对应的侧柱，每一侧柱导筒具有一第二突出部。通过第一突出部及第二突出部的相互卡合，使侧柱的上下运动被限制在对应的侧柱导筒中。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种倍宽键结构，更具体地说，涉及一种不具平衡杆的倍宽键结构。
技术介绍
大部分电脑键盘的按键都是正方形，但有少部分的按键如空白键(Space)、输入键(Enter)、及移位键(Shift)等其键帽有一边的长度较另一边长，这些特殊的按键一般称为倍宽键(multiple-width key)。倍宽键由于长度较长，所以如果使用者没有按压在其中央的位置，则倍宽键将很容易呈现倾斜现象。现有技术解决这种问题的方法为在倍宽键内部设置一平衡杆，这种方式成本较高。另一种成本较低且组装容易的结构及方法是在倍宽键内部设置多个侧柱及相对应的导筒，以下详述其结构。参考图1，图中所示为现有技术无平衡杆倍宽键100的分解图，其中倍宽键100包括键帽11、座体12、弹性元件13、及薄膜开关14。键帽11向下延伸一键柱112及多个侧柱113。当键帽11受力下压时，键柱112穿过键柱导筒122挤压弹性元件13使其产生形变，弹性元件13进一步接触到薄膜开关14，因此启动倍宽键100的电信号。图2A及图2B分别显示现有技术倍宽键100组合前及组合后的剖面图。如图2A所示，键柱112的两侧设有第一卡钩112h，键柱导筒122的两侧设有第二卡钩122h。参考图2B，当键帽11被释放时，弹性元件13提供一弹力将键帽11顶起。此时，第一卡钩112h与第二卡钩122h即相互卡合以防止键帽11脱离。通过键柱112及键柱导筒122的限制及导引，键帽11可因此获得平衡，以解决倾斜现象。然而，上述的无平衡杆倍宽键100并未完全解决上述的倾斜现象，图3进一步说明当键帽11受力位置不在中央，而是在键帽11的某一端(如C端)时，现有技术倍宽键100如何操作。如图3所示，当C端受力往下时，键柱112靠近D端的第一卡钩112h与其相对应的第二卡钩122h相互卡合并形成一支点A，键帽11在D端的部分因此往上翘起一角度θ1。这种利用导筒阻挡侧柱翘起以维持平衡的倍宽键结构，在实际操作时产生难以下压的“键硬感”。因为侧柱113与键柱导筒123的摩擦面积增加，所以使用者必需施加更多的力来迫使键帽11的D端改变方向，侧柱113才能沿着侧柱导筒123往下，这就是使用者下压的“键硬感”的来源。因此，对于现有技术倍宽键100而言需要设计一种新的结构以改善使用者操作时的“键硬感”。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种倍宽键结构，以消除使用这操作时的“键硬感”。为此，本技术提供一种倍宽键结构，所述倍宽键结构包括一键帽，所述键帽延伸出一键柱；一第一及第二侧柱，所述第一及第二侧柱分别位于所述键柱的两侧，且分别具有一第一突出部；以及一座体，所述座体延伸出一键柱导筒、一第一及第二侧柱导筒，所述第一及第二侧柱导筒分别位于所述键柱导筒的两侧，且分别具有一第二突出部，其中，所述键柱、所述第一及第二侧柱分别于所述柱导筒、所述第一及第二侧柱导筒中上下移动，且通过所述第一突出部及所述第二突出部分别将所述第一及第二侧柱限制于所述第一及第二侧柱导筒中。根据本技术的一种倍宽键结构，包括一键帽以及一座体。该键帽延伸出一键柱、一第一及第二侧柱，该第一及第二侧柱分别位于该键柱的两侧，且分别具有一第一突出部。该座体延伸出一键柱导筒、一第一及第二侧柱导筒，该第一及第二侧柱导筒分别位于该键柱导筒的两侧，且分别具有一第二突出部，其中，该键柱、该第一及第二侧柱分别于该柱导筒、该第一及第二侧柱导筒中上下移动，且通过该第一突出部及该第二突出部分别将该第一及第二侧柱限制于该第一及第二侧柱导筒中。因此，侧柱与键柱导筒的摩擦面积大幅度地减少，从而使操作时的“键硬感”大幅度地改善。附图说明图1是现有技术无平衡杆倍宽键结构分解图。图2A-2B是现有技术无平衡杆倍宽键组合前及组合后的剖面图。图3显示现有技术无平衡杆倍宽键受力位置在某一端的操作状况。图4是本技术倍宽键结构分解图。图5A-5B是本技术倍宽键组合前及组合后的剖面图。图5C是本技术倍宽键结构中第一突出部与第二突出部卡合的局部放大图。图6是本技术倍宽键受力位置在某一端的操作状况。附图标记说明100现有技术的倍宽键11键帽12座体13弹性元件14薄膜开关112键柱113侧柱122键柱导筒123侧柱导筒111h、113h第一卡钩121h、123h第二卡钩A支点θ1角度200本技术的倍宽键21键帽22座体23弹性元件24薄膜开关211第一侧柱212键柱213第二侧柱221第一侧柱导筒222键柱导筒223第二侧柱导筒211a第一侧柱的远离键柱侧 213a第二侧柱的远离键柱侧211b第一侧柱的靠近键柱侧213b第二侧柱的靠近键柱侧221a第一侧柱导筒的远离键柱侧223a第二侧柱导筒的远离键柱侧221b第一侧柱导筒的靠近键柱侧223b第二侧柱导筒的靠近键柱侧211h、213h第一突出部221h、223h第二突出部B支点θ2角度C键帽的某一端D键帽的另一端具体实施方式参考图4，图4是本技术的倍宽键200的分解图。本实施例提供一倍宽键200，其包括键帽21、座体22、弹性元件23、薄膜开关24(membranecircuit)。键帽21向下延伸出第一侧柱211、键柱212、及第二侧柱213，其中第一侧柱211、键柱212、及第二侧柱213排列成一直线，第一侧柱211及第二侧柱213分别位于键柱212的两侧。座体22则延伸出第一侧柱导筒221、键柱导筒222、及第二侧柱导筒223，其中第一侧柱211、键柱212、及一第二侧柱213可分别在第一侧柱导筒221、键柱导筒222、及第二侧柱导筒223中上下运动。图5A及图5B分别显示倍宽键200结构组合前及组合后的剖面图。如图5A所示，弹性元件23设置于键座导筒222及薄膜开关24之间。第一侧柱211及第二侧柱213分别具有一远离键柱侧211a及213a，以及一靠近键柱侧211b及213b，其中在远离键柱侧211a及213a上分别设有第一突出部211h及213h。同样地在侧柱导筒上也有类似的配置。第一侧柱导筒221及第二侧柱导筒223亦分别具有一远离键柱导筒侧221a及223a，以及一靠近键柱导筒侧221b及223b，其中在远离键柱导筒侧221a及223a上分别设有第二突出部221h及223h。参考图5B，当键帽21受力下压时，键柱212穿过键柱导筒222挤压弹性元件23使其产生形变，进而接触到薄膜开关24，倍宽键200的电信号因此被启动。相反地，当键帽21被释放时，弹性元件23则提供一弹力将键帽21顶起。此时，第一突出部211h及213h可分别与第二突出部221h及223h相互卡合，以防止键帽21脱离。图5C显示第一突出部211h与第二突出部221h相互卡合的局部放大图。因此，应可了解键柱212、第一侧柱211及第二侧柱213可分别于键柱导筒222、第一侧柱导筒221及第二侧柱导筒223中上下运动，而且通过第一突出部211h、213h及第二突出部221h、223h分别将第一侧柱211及第二侧柱213限制于第一侧柱导筒221及第二侧柱导筒223中。图6用来进一步说明，当受力位置不在键帽21中心而是在键帽21的某一端(如C端)时，本技术的倍宽键200将如何运作。如图6所示，当C端受力往下时，D本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倍宽键结构，其特征在于所述倍宽键结构包括：一键帽，所述键帽延伸出一键柱、一第一及第二侧柱，所述第一及第二侧柱分别位于所述键柱的两侧，且分别具有一第一突出部；以及一座体，所述座体延伸出一键柱导筒、一第一及第二侧柱导筒，所述第一及第二侧柱导筒分别位于所述键柱导筒的两侧，且分别具有一第二突出部，其中，所述键柱、所述第一及第二侧柱分别于所述柱导筒、所述第一及第二侧柱导筒中上下移动，且通过所述第一突出部及所述第二突出部分别将所述第一及第二侧柱限制于所述第一及第二侧柱导筒中。

【技术特征摘要】
1.一种倍宽键结构，其特征在于所述倍宽键结构包括一键帽，所述键帽延伸出一键柱、一第一及第二侧柱，所述第一及第二侧柱分别位于所述键柱的两侧，且分别具有一第一突出部；以及一座体，所述座体延伸出一键柱导筒、一第一及第二侧柱导筒，所述第一及第二侧柱导筒分别位于所述键柱导筒的两侧，且分别具有一第二突出部，其中，所述键柱、所述第一及第二侧柱分别于所述柱导筒、所述第一及第二侧柱导筒中上下移动，且通过所述第一突出部及所述第二突出部分别将所述第一及第二侧柱限制于所述第一及第二侧柱导筒中。2.如权利要求1所述的倍宽键结构，其特征在于还包括一薄膜开关，其位于所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵世宏，姜春雷，
申请(专利权)人：达方电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]