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双位控制继电器制造技术

技术编号:3132516 阅读:230 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及自动断续器的技术,这种双位控制继电器包括变压器B,串联接在变压器B次级绕组上的继电器J↓[1]和可控硅SCR,与继电器J↓[1]并联的二极管D↓[2],串联的接在变压器B次级绕组上的二极管D↓[1]和电阻R及表头,连接在电阻R和可控硅控制端间的常开触点J↓[1-1],用此继电器电接点不被氧化和烧坏,可延长使用寿命。(*该技术在2003年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于自动断续器的
目前市场上无塔上水装置或压力装置的双位控制,都是通过电接点压力表和两个中间继电器来带动主接触器动作的,但中间继电器都是由~380V或~220V供电,电接点容易被电火花氧化以至烧坏,同时自身线圈也容易烧坏。本技术的目的是提供一种供电电压低、电接点不易氧化烧坏的继电器。这种双位控制继电器包括变压器B,串联的接在变压器B次级绕组上的继电器J1和可控硅SCR,与继电器J1并联的二极管D2,接在变压器B次级绕组上的二极管D1,与二极管D1串联的电阻R,指针接在电阻R上的表头,设在表头上与可控硅SCR控制端连接的低位指针,设在表头上与变压器B的次级绕组和可控硅负极连接的高位指针,接在可控硅SCR控制端上与可控硅负极和变压器B次级绕组连接的电容C,接在电阻R和可控硅SCR控制端的常开触点J1-1。由于此继电器采用低压供电,不产生电火花,电接点不被火花氧化和烧坏,延长了使用寿命。附图示出了本技术的实施例。如图所示的双位控制继电器,包括变压器B,接在变压器B次级绕组上的继电器J1,与继电器J1串联的可控硅SCR,与继电器J1并联、正极接在可控硅SCR正极上、负极接在变压器B次级绕组上的二极管D2,正极接在变压器B次级绕组和二极管D2负极上的二极管D1,接在二极管D1负极上的电阻R,中间指针(2)接在电阻R上的表头(1),装在表头(1)上与可控硅SCR的控制端连接的低位指针(3),装在表头(1)上与变压器B次级绕组和可控硅SCR负极连接的高位指针(4),正极接在可控硅SCR控制端、负极接在可控硅负极和变压器B次级绕组上的电容C,接在电阻R和可控硅SCR控制端的常开触点J1-1。当水位或压力到达低位时,中间指针(2)和低位指针(3)接触,在正半周时,使可控硅SCR的控制端接正电位,则可控硅导通,继电器J1动作,使常开触点J1-1闭合自保,使得当压力增高中间指针(2)脱离低位指针(3)时,可控硅控制端保持高电位。当负半周时,可控硅不导通,继电器J1线圈通过二极管D2放电,继续保持常开触点J1-1闭合,当压力增加到高限时,中间指针(2)与高位指针(4)接触,使可控硅控制端瞬时接低电位,可控硅不导通,继电器J1停止工作。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双位控制继电器,包括变压器B,其特征是还包括串联的接在变压器B次级绕组上的继电器J↓[1]和可控硅SCR,与继电器J↓[1]并联的二极管D↓[2],接在变压器B次级绕组上的二极管D↓[1],与二极管D↓[1]串联的电阻R,指针(2)接在电阻R上的表头(1),设在表头(1)上与可控硅SCR控制端连接的低位指针(3),设在表头(1)上与变压器B次级绕组和可控硅负极连接的高位指针(4),接在可控硅SCR控制端上与变压器B次级绕组和可控硅负极连接的电容C,接在电阻R和可控硅SCR控制端的常开触点J↓[1-1]。

【技术特征摘要】
1.一种双位控制继电器,包括变压器B,其特征是还包括串联的接在变压器B次级绕组上的继电器J1和可控硅SCR,与继电器J1并联的二极管D2,接在变压器B次级绕组上的二极管D1,与二极管D1串联的电阻R,指针(2)接在电阻R上的表头(1),设在表头(1)上与可控硅SCR控制端连接的低位指针(3),设在...

【专利技术属性】
技术研发人员:李雁平
申请(专利权)人:李雁平
类型:实用新型
国别省市:37[中国|山东]

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