低能散高亮度负氧离子产生装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种低能散高亮度负氧离子产生装置，包括放电室、陶瓷窗、射频天线以及进气管道；所述放电室为一端开口，另一端封闭的腔体结构，所述放电室的开口端设置有金属法兰，所述放电室的封闭端设置有离子引出孔；所述陶瓷窗与所述金属法兰的法兰面贴合设置，并将所述金属法兰的法兰口封闭；所述射频天线设置在所述陶瓷窗上；所述进气管道设置在所述金属法兰的顶部，且位于所述陶瓷窗的后方，所述进气管道与所述放电室连通。本发明专利技术能够产生低能散、高亮度的负氧离子束，提高离子束亮度及空间分辨率。间分辨率。间分辨率。

【技术实现步骤摘要】
低能散高亮度负氧离子产生装置


[0001]本专利技术涉及负氧离子产生装置
，具体是关于一种低能散高亮度负氧离子产生装置。

技术介绍

[0002]二次离子质谱仪具有高精度、高分辨率原位元素分析能力，在地球科学等多个学科领域有广泛的应用，是目前最先进的微区元素分析仪器之一。在质谱仪上开展地质年代学研究，需要入射的初级离子束为负氧离子，目标测试离子为电正性的放射性同位素离子。由于强电负性的O
‑
、O2‑
离子可以有效提高电正性的二次离子产率，降低荷电效应对分析的影响，而其他类型离子源不能高效产生二次离子，因此双等离子体离子源或者射频离子源作为二次离子质谱仪器的初级离子束离子源产生负氧离子，被广泛应用于地质年代学微区原位分析。
[0003]但是目前在二次离子质谱仪上所采用的离子源产生O
‑
、O2‑
离子束，能散大不利于微小束斑形成(能散几十个电子伏，甚至百电子伏)，因此需要一种技术方案来产生低能散高亮度的负氧离子束，提高离子束亮度及空间分辨率。

技术实现思路
<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低能散高亮度负氧离子产生装置，其特征在于，包括放电室、陶瓷窗、射频天线以及进气管道；所述放电室为一端开口，另一端封闭的腔体结构，所述放电室的开口端设置有金属法兰，所述放电室的封闭端设置有离子引出孔；所述陶瓷窗与所述金属法兰的法兰面贴合设置，并将所述金属法兰的法兰口封闭；所述射频天线设置在所述陶瓷窗上；所述进气管道设置在所述金属法兰的顶部，且位于所述陶瓷窗的后方，所述进气管道与所述放电室连通。2.根据权利要求1所述的低能散高亮度负氧离子产生装置，其特征在于，还包括多峰磁体，所述多峰磁体套设在所述放电室外。3.根据权利要求1所述的低能散高亮度负氧离子产生装置，其特征在于，所述射频天线为由一根管状天线本体在所述陶瓷窗上螺...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙良亭，金钱玉，赵红卫，
申请(专利权)人：中国科学院近代物理研究所，
类型：发明
国别省市：