氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板技术

本发明专利技术公开了一种氮化硅陶瓷基板生坯的制备方法，包括：将硅粉在氮气气氛中灼烧后流延成型，即得氮化硅陶瓷基板坯体生坯成品；其中，灼烧温度为1250~1400℃。相应的，本发明专利技术还公开了一种氮化硅陶瓷基板生坯，其由上述制备方法制备而得。本发明专利技术还公开了一种氮化硅陶瓷基板，其由上述氮化硅陶瓷基板生坯烧制而得。实施本发明专利技术，可提升氮化硅陶瓷基板生坯的生坯强度，降低流延成型后裁切时的破损率，边缘剥落几率，减少边缘变形，有效提升了氮化硅陶瓷基板生产成品率。基板生产成品率。基板生产成品率。

【技术实现步骤摘要】
氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板


[0001]本专利技术涉及氮化硅陶瓷基板
，尤其涉及一种氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的飞速发展，大功率半导体器件对基板材料的热导率和可靠性要求越来越高，常用的氧化铝和氮化铝散热基板材料的力学性能较低，其使用过程中容易因热应力产生裂纹而导致器件失效。而氮化硅陶瓷具有良好的热导率和力学性能，相对于氧化铝和氮化铝而言，更适用于作为对可靠性要求高的大功率半导体封装的基板材料。
[0003]现有的制备氮化硅陶瓷基板的方法主要有两类，一类是通过将用于制备氮化硅的原料粉体烧结出氮化硅陶瓷块体，然后切割得到陶瓷基板。另一类方法是将用于制备氮化硅的粉料加入有机溶剂后采用流延法成型坯体，然后烧成得到陶瓷基板(如专利技术人的前序申请CN105884376B)。然而，采用流延法成型后往往需要裁切，在裁切过程中容易边缘剥落、产生变形，导致成品率较低；流延成型工序已经成为限制氮化硅陶瓷基板成品率的重要因素。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅陶瓷基板生坯的制备方法，其特征在于，将硅粉在氮气气氛中灼烧后流延成型，即得氮化硅陶瓷基板坯体生坯成品；其中，灼烧温度为1250~1400℃。2.如权利要求1所述的氮化硅陶瓷基板生坯的制备方法，其特征在于，灼烧温度为1300~1400℃，在最高温度的保温时间为10~180min。3.如权利要求1所述的氮化硅陶瓷基板生坯的制备方法，其特征在于，所述硅粉的平均粒径≤8μm。4.如权利要求1所述的氮化硅陶瓷基板生坯的制备方法，其特征在于，包括：（1）将硅粉在氮气气氛中灼烧后得到预处理硅粉；（2）将预处理硅粉、分散剂、烧结助剂、粘接剂、增塑剂和溶剂混合均匀，得到成型浆料；（3）将所述成型浆料采用流延成型法成型，干燥即得氮化硅陶瓷基板生坯成品。5.如权利要求4所述的氮化硅陶瓷基板生坯的制备方法，其特征在于，步骤（2）包括：（2.1）将预处理硅粉、烧结助剂和分散剂按照1：（0.05~0.25）：（0.01~0.025）的重量比混合，并加入预处理硅粉和无机烧结助剂总质量1.2~1.5倍的无水乙醇

【专利技术属性】
技术研发人员：黄荣厦，吴建波，刘超华，林华泰，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：