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本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板生坯的制备方法，包括：将硅粉在氮气气氛中灼烧后流延成型，即得氮化硅陶瓷基板坯体生坯成品；其中，灼烧温度为1250~1400℃。相应的，本发明还公开了一种氮化硅陶瓷基板生坯，其由上述制备方法制备而得。本发明还公开...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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