一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法技术

本发明专利技术属于陶瓷制备领域，具体涉及一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体与烧结助剂按一定比例混合均匀，首先将混合后的粉体在低温、常压、通氮气条件下进行预处理；再经过研磨、过筛；随后在热压炉中进行高温烧结。经过预处理的粉体氧含量有明显降低，热压制备的氮化硅陶瓷热导率沿压力方向大于80W/m

【技术实现步骤摘要】
一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法


[0001]本专利技术属于陶瓷材料制备
，涉及一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法。

技术介绍

[0002]氮化硅较为常见的两种六方晶型分别为α
‑
Si3N4和β
‑
Si3N4，α相Si3N4高温q且有液相存在会转变为β
‑
Si3N4。因此我们常说的氮化硅陶瓷通常是指β
‑
Si3N4。室温下，β
‑
Si3N4沿a轴和c轴的理论热导分别为170W
·
m
‑1·
K
‑1和450W
·
m
‑1·
K
‑1。配以氮化硅陶瓷良好的绝缘性能、抗化学腐蚀性、优异的力学性能和抗热震性，其作为半导体器件封装基板备受关注。
[0003]热压烧结(hot pressing sintering
‑
HPS)是将原料粉末放于石墨模具中，在轴向压力和高温的共同作用下的一种烧结方式。可快速获得高致密度氮化硅陶瓷，但陶瓷导热性能普遍本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：将氮化硅粉体与烧结助剂进行湿法球磨混合，所得浆料进行真空烘干；将混合后的粉体在低温、常压、通氮气条件下预处理；将预处理后的粉体进行研磨、过筛；将所述粉体进行热压烧结。2.根据权利要求1所述一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，烧结助剂选取La(NO3)3、Yb(NO3)3、Y(NO3)3或Nb(NO3)3的一种，以及Mg(NO3)2、MgCl2或MgSO4的一种，氮化硅粉体与烧结助剂的质量比为95～90:10～5，其中稀土硝酸盐烧结助剂含量是换算为Re2O3、镁盐烧结助剂含量是换...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦明礼，王月隆，田建军，吴昊阳，贾宝瑞，张智睿，章林，曲选辉，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：