陶瓷基板图形化方法技术

本发明专利技术涉及一种陶瓷基板图形化方法，包括：A、基板表面处理，去除陶瓷基板表面的油污和杂质后，进行酸性微蚀，增加基板表面粗糙度；B、旋转匀胶，滴少量的光刻胶到基板表面，采用2000～2500rpm/5s速度动态布胶，主转速为3000～4000rpm/40s，并采用4000～4500rpm/10s速度甩边缘液滴；C、软烘，在115

【技术实现步骤摘要】
陶瓷基板图形化方法


[0001]本专利技术属于陶瓷基板制备
，具体涉及一种陶瓷基板图形化方法。

技术介绍

[0002]陶瓷基板具有高导热、高电绝缘、高机械强度、低膨胀等特性，主要应用于半导体致冷器、光通信模块及LED散热基板及太阳能电池组件等。
[0003]随着5G光通信模块的发展，对陶瓷基板的线路精细度要求越来越高，从微米级向亚微米级发展，对于图形化工艺提出了更高的要求。传统进行陶瓷基板图形化方法过程中，双面曝光机采用打孔定位或者上下菲林mark点对位的方式，正反对位精度和曝光精度在50μm左右，难以达到几微米的精度要求。
[0004]为了提高精度，使用光刻机替代曝光机，可以将图形单面曝光精度提高到几微米甚至是亚微米，但正反对位精度无法控制，正反错位问题仍无法解决。

技术实现思路

[0005]本专利技术是为解决上述技术问题进行的，针对当前陶瓷基板图形化流程过程中线路精细度不高的问题，尤其正反对位精度和曝光精度不高的问题进行改进，提供了一种陶瓷基板图形化方法。
[0006]针对上述问题，本专利技术采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷基板图形化方法，其特征在于，采用加装了CCD相机的半自动光刻机进行，所述CCD相机安装在承片台下方，包括如下步骤：A、基板表面处理去除陶瓷基板表面的油污和杂质后，进行酸性微蚀，增加基板表面粗糙度；B、旋转匀胶先滴少量的光刻胶到基板表面，采用2000～2500rpm/5s速度动态布胶，主转速为3000～4000rpm/40s，并采用4000～4500rpm/10s速度甩边缘液滴；C、软烘在115
±
1℃条件下烘干100～150s；D、第一面曝光将第一面向上光刻曝光，曝光图案中设置对位MarK点；光刻时，采用接触式或接近式曝光，光刻能量10
‑
50mW/cm2，光刻时间1
‑
20s；E、第二面对位曝光将第二面向上光刻曝光，所述CCD相机通过承片台开槽识别第一面对位Mark点，对第二面进行对位曝光并进行光刻，所述开槽的宽度为曝光mark点的1.5
‑
3倍。2.根据权利要求1所述的陶瓷基板图形化方法，其特征在于，还包括F显影及硬烘步骤，所用显影液为0.5～1.5％Na2CO3，硬...

【专利技术属性】
技术研发人员：管鹏飞，贺贤汉，葛荘，王斌，
申请(专利权)人：上海富乐华半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：