显示装置制造方法及图纸

提供一种被窄边框化了的显示装置。显示装置包括彼此重叠的第一层、第二层以及第三层，第一层包括栅极驱动电路及数据驱动电路，第二层包括解复用电路，第三层包括显示部，在显示部中像素排列为矩阵形状，解复用电路的输入端子与数据驱动电路电连接，解复用电路的输出端子与像素电连接，栅极驱动电路及数据驱动电路包括与像素重叠的区域，栅极驱动电路及数据驱动电路不明确地分开而具有彼此重叠的区域，并且栅极驱动电路及数据驱动电路的个数可以都为五个以上。为五个以上。为五个以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

技术介绍

[0003]作为可用于晶体管的半导体材料，使用金属氧化物的氧化物半导体受到瞩目。例如，专利文献1公开了如下半导体装置：层叠有多个氧化物半导体层，在该多个氧化物半导体层中，被用作沟道的氧化物半导体层包含铟及镓，并且铟的含量比高于镓的含量比，使得场效应迁移率(有时简称为迁移率或μFE)得到提高的半导体装置。
[0004]由于能够用于半导体层的金属氧化物可以利用溅射法等形成，所以可以用于构成大型显示装置的晶体管的半导体层。此外，因为可以将使用多晶硅或非晶硅的晶体管的生产设备的一部分改良而利用，所以还可以抑制设备投资。此外，与使用非晶硅的晶体管相比，使用金属氧化物的晶体管具有高场效应迁移率，所以可以实现设置有驱动器电路的高功能的显示装置。
[0005]此外，作为用来增强现实(AR：Augmented Reality)或虚拟现实(VR：Virtual Reality)的显示装置，可穿戴型显示装置、固定式显示装置逐渐普及。作为可穿戴型显示装置，例如，有头戴显示器(HMD：Head Mounted Display)或眼镜型显示装置等。作为固定式显示装置，例如，有平视显示器(HUD：Head
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Up Display)等。
[0006]再者，在作为具有摄像装置的电子设备的数码相机等中设置有用来在拍摄前确认待拍图像的取景器，该取景器使用电子取景器。在该电子取景器中设置有显示部，可以将由摄像装置拍摄的图像作为图像显示在该显示部上。例如，专利文献2公开了能够从图像中心部到图像边缘部连续得到良好的可见度的电子取景器。[先行技术文献][专利文献][0007][专利文献1]日本专利申请公开第2014
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7399号公报[专利文献2]日本专利申请公开第2012
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42569号公报

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0008]如头戴显示器(HMD)等显示面离使用者近的显示装置有如下问题：使用者更易于看到像素而可能感到很强的颗粒感，有时会减弱AR或VR的沉浸感或临场感。此外，与光学取景器同样，电子取景器包括目镜部，使用者眼睛接近目镜部来确认到显示在电子取景器的显示部上的图像。因此，电子取景器的显示部离使用者近。由此，使用者易于看到设置在显
示部中的像素而可能感到很强的颗粒感。鉴于此，作为HMD及电子取景器，需求具备精细的像素的显示装置。例如，像素密度优选为1000ppi以上，更优选为2000ppi以上，进一步优选为5000ppi以上。此外，例如设置在电子取景器中的显示装置优选能够显示4K(像素数为3840
×
2160)、5K(像素数为5120
×
2880)或更高清晰的图像。
[0009]另一方面，在像素密度高的情况下，需要以高密度集成设置如数据驱动电路等驱动电路中的晶体管等。但是，因为高密度集成化达到极限等，所以相对于显示部的面积的数据驱动电路的占有面积有可能增大。这会导致作为没有显示部的区域的边框增大。
[0010]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种被窄边框化了的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种小型显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种布局自由度高的的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种像素密度高的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够显示高清晰度图像的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够显示高质量图像的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够显示富有临场感的图像的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够显示高亮度图像的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种以高速工作的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种廉价的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种上述显示装置的工作方法。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种包括上述显示装置的电子设备。
[0011]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。此外，上述以外的目的是可以从说明书、附图、权利要求书等的记载衍生出来的。解决技术问题的手段
[0012]本专利技术的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括彼此重叠的第一层、第二层以及第三层，第一层包括栅极驱动电路及数据驱动电路，第二层包括解复用电路，第三层包括显示部，在显示部中像素排列为矩阵形状，解复用电路的输入端子与数据驱动电路电连接，解复用电路的输出端子与像素电连接，栅极驱动电路包括与像素重叠的区域，数据驱动电路包括与像素重叠的区域，并且栅极驱动电路包括与数据驱动电路重叠的区域。
[0013]此外，在上述方式中，解复用电路也可以包括与像素重叠的区域。
[0014]此外，在上述方式中，显示装置还可以包括D/A转换电路，该D/A转换电路可以包括电位生成电路及传输晶体管逻辑电路，电位生成电路可以设置在数据驱动电路的外部，传输晶体管逻辑电路可以设置在数据驱动电路中，设置在D/A转换电路中的传输晶体管逻辑电路的个数可以小于设置在显示部中的像素的列数，设置在D/A转换电路中的电位生成电路的个数可以小于传输晶体管逻辑电路的个数，电位生成电路可以具有生成不同水平的多个电位的功能，并且传输晶体管逻辑电路可以具有接收图像数据并基于该图像数据的数字值输出电位生成电路所生成的多个电位中的任一个的功能。
[0015]此外，在上述方式中，传输晶体管逻辑电路的个数也可以为像素的列数的两分之一以下。
[0016]此外，在上述方式中，像素也可以包括在沟道形成区中含有金属氧化物的晶体管，该金属氧化物也可以包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)以及Zn。
[0017]此外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括彼此重叠的第一层、第二层以及第三层，第一层包括栅极驱动电路、第一数据驱动电路、第二数据驱动电路、第三数据驱动电路、第四数据驱动电路以及第五数据驱动电路，第二层包括第一解复用电路、第二解复用电路、第三解复用电路、第四解复用电路以及第五解复用电路，第三层包括第一显示部、第二显示部、第三显示部、第四显示部以及第五显示部，在第一显示部中第一像素排列为矩阵形状，在第二显示部中第二像素排列为矩阵形状，在第三显示部中第三像素排列为矩阵形状，在第四显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，包括：彼此重叠的第一层、第二层以及第三层，其中，所述第一层包括栅极驱动电路及数据驱动电路，所述第二层包括解复用电路，所述第三层包括显示部，在所述显示部中像素排列为矩阵形状，所述解复用电路的输入端子与所述数据驱动电路电连接，所述解复用电路的输出端子与所述像素电连接，所述栅极驱动电路包括与所述像素重叠的区域，所述数据驱动电路包括与所述像素重叠的区域，并且，所述栅极驱动电路包括与所述数据驱动电路重叠的区域。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述解复用电路包括与所述像素重叠的区域。3.根据权利要求1或2所述的显示装置，还包括D/A转换电路,其中所述D/A转换电路包括电位生成电路及传输晶体管逻辑电路，所述电位生成电路设置在所述数据驱动电路的外部，所述传输晶体管逻辑电路设置在所述数据驱动电路中，设置在所述D/A转换电路中的所述传输晶体管逻辑电路的个数小于设置在所述显示部中的所述像素的列数，设置在所述D/A转换电路中的所述电位生成电路的个数小于所述传输晶体管逻辑电路的个数，所述电位生成电路生成不同水平的多个电位，并且所述传输晶体管逻辑电路接收图像数据并基于该图像数据的数字值输出所述电位生成电路所生成的所述多个电位中的任一个。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述传输晶体管逻辑电路的个数为所述像素的列数的两分之一以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其中像素包括在沟道形成区中含有金属氧化物的晶体管，并且所述金属氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)以及Zn。6.一种显示装置，包括：彼此重叠的第一层、第二层以及第三层，其中，所述第一层包括栅极驱动电路、第一数据驱动电路、第二数据驱动电路、第三数据驱动电路、第四数据驱动电路以及第五数据驱动电路，所述第二层包括第一解复用电路、第二解复用电路、第三解复用电路、第四解复用电路以及第五解复用电路，所述第三层包括第一显示部、第二显示部、第三显示部、第四显示部以及第五显示部，在所述第一显示部中第一像素排列为矩阵形状，在所述第二显示部中第二像素排列为矩阵形状，在所述第三显示部中第三像素排列为矩阵形状，
在所述第四显示部中第四像素排列为矩阵形状，在所述第五显示部中第五像素排列为矩阵形状，所述第一解复用电路的输入端子与所述第一数据驱动电路电连接，所述第二解复用电路的输入端子与所述第二数据驱动电路电连接，所述第三解复用电路的输入端子与所述第三数据驱动电路电连接，所述第四解复用电路的输入端子与所述第四数据驱动电路电连接，所述第五解复用电路的输入端子与所述第五数据驱动电路电连接，所述第一解复用电路的输出端子与所述第一像素电连接，所述第二解复用电路的输出端子与所述第二像素电连接，所述第三解复用电路的输出端子与所述第三像素电连接，所述第四解复用电路的输出端子与所述第四像素电连接，所述第五解复用电路的输出端子与所述第五像素电连接，所述栅极驱动电路包括与所述第一像素重叠的区域，所述第一数据驱动电路包括与所述第一像素重叠的区域，所述第二数据驱动电路包括与所述第二像素重叠的区域，所述第三数据驱动电路包括与所述第三像素重叠的区域，所述第四数据驱动电路包括与所述第四像素重叠的区域，...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川贵史，池田隆之，小林英智，宍户英明，胜井秀一，木村清贵，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：