【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化合物和有机半导体层、有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示或照明器件
[0001]本专利技术涉及一种化合物以及包含所述化合物的有机半导体层。本专利技术还涉及一种有机电子器件,所述有机电子器件包含含有所述化合物的所述有机半导体层。此外,本专利技术涉及包含所述有机电子器件的显示器件或照明器件。
技术介绍
[0002]作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有广视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现性。典型的OLED包含依次层叠在基底上的阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极。在这方面,HTL、EML和ETL是由有机和/或有机金属化合物形成的薄膜。
[0003]当将电压施加到阳极和阴极时,从阳极电极注入的空穴通过HTL向EML移动,并且从阴极电极注入的电子通过ETL向EML移动。空穴和电子在EML中重新结合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时,就会发出光。空穴和电子的注入和流动应当平衡,使得具有上述结构的OLED具有优异的效率。
[0004]然而,仍然需要改进用于有机电子器件中的各种化合物的电子性质,特别是用于改进其性能,并且提供具有改进的性能的各种有机电子器件。本专利技术的一个具体目的是提高顶部发光OLED的性能,特别是关于其寿命和效率。
技术实现思路
[0005]因此,本专利技术的一个目的是提供克服现有技术的缺点的新型有机电子器件和用于其中的化合物,特别是提供具有改进的性能并适于改进包含所述化合物的有机电子器件,特别 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】1.一种式(I)的化合物其中R1至R
11
中的一个或两个独立地为基团G,其中G选自:取代或未取代的C6至C
48
芳基;取代或未取代的C2至C
42
杂芳基;以及取代或未取代的烯基;取代或未取代的C1至C
16
烷基;取代或未取代的C1至C
16
烷氧基;CN;F;氘;腈;氨基;P(=Y)(R
12
)2,其中Y为O或S,其中R
12
独立地选自C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、C6至C
18
芳基和C3至C
25
杂芳基;剩余不是G的R1至R
11
为H;所述一个或两个G可以通过直接键或通过间隔单元连接到式(I)中的苯并吖啶部分;如果存在一个或两个间隔单元,则所述一个或两个间隔单元独立地选自取代或未取代的C6至C
18
芳亚基和取代或未取代的C2至C
20
杂芳亚基;如果存在R1至R
11
和/或间隔单元中的一个或多个取代基,则所述一个或多个取代基独立地选自:C6至C
18
芳基,其中可以规定,相邻的C6至C
18
芳基取代基通过直接键相互连接;C3至C
20
杂芳基;C1至C
16
烷基;D;F;C1至C
16
烷氧基;CN;CN取代的C6至C
18
芳基;以及P(=Y)(R
12
)2,其中Y为O或S,其中R
12
独立地选自C1至C
16
烷基、C1至C
16
烷氧基、C6至C
18
芳基和C3至C
25
杂芳基;并且可以规定,如果R9和R
11
中的一个为G,则R9和R
11
中的另一个为H。2.根据权利要求1所述的化合物,其中在R
11
为G的情况下,R1至R
10
中的一个也是G,其中所述两个G相互独立地选择。3.根据权利要求1所述的化合物,其中在R
11
为G的情况下,该基团G上的取代基独立地选自:D、F、CN、腈、氨基、C6至C
18
芳基、CN取代的C6至C
18
芳基、C3至C
20
杂芳基、CN、C1至C
16
烷基、取代或未取代的烯基以及取代或未取代的C1至C
技术研发人员:埃莱娜,
申请(专利权)人:诺瓦尔德股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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