半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成多个分立的核心层，核心层的延伸方向为第一方向，与第一方向相垂直的方向为第二方向；形成覆盖核心层侧壁的侧墙层；在基底上形成图形传递层，图形传递层覆盖侧墙层的侧壁；在第二方向上，在相邻侧墙层之间的图形传递层中形成第一沟槽；形成第一沟槽后，去除核心层，形成第二沟槽；以图形传递层和侧墙层为掩膜，沿第一沟槽和第二沟槽刻蚀基底，形成目标图形。本发明专利技术提高图形传递的精度。本发明专利技术提高图形传递的精度。本发明专利技术提高图形传递的精度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方 法。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业的快速成长，半导体技 术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积 更小、电路精密度更高、电路复杂度更高的方向发展。
[0003]在集成电路发展过程中，通常功能密度(即每一芯片的内连线结构的数量) 逐渐增加的同时，几何尺寸(即利用工艺步骤可以产生的最小元件尺寸)逐渐 减小，这相应增加了集成电路制造的难度和复杂度。
[0004]目前，在技术节点不断缩小的情况下，如何提高形成于晶圆上的图形与目 标图形的匹配度成为了一种挑战。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高图形 传递的精度。
[0006]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括： 提供基底；在所述基底上形成多个分立的核心层，所述核心层的延伸方向为第 一方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成多个分立的核心层，所述核心层的延伸方向为第一方向，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向；形成覆盖所述核心层侧壁的侧墙层；在所述基底上形成图形传递层，所述图形传递层覆盖所述侧墙层的侧壁；在所述第二方向上，在相邻所述侧墙层之间的所述图形传递层中形成第一沟槽；形成所述第一沟槽后，去除所述核心层，形成第二沟槽；以所述图形传递层和侧墙层为掩膜，沿所述第一沟槽和第二沟槽刻蚀所述基底，形成目标图形。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述核心层的侧壁的侧墙层的步骤包括：形成保形覆盖所述核心层和基底的侧墙材料层，位于所述核心层的侧壁的所述侧墙材料层作为侧墙层；去除所述核心层之前，所述形成方法还包括：回刻蚀所述侧墙材料层，去除高于所述核心层的顶面的所述侧墙材料层。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述图形传递层后，去除所述核心层之前，回刻蚀所述侧墙材料层。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述图形传递层后，在相邻所述核心层之间的所述图形传递层中形成第一沟槽之前，回刻蚀所述侧墙材料层。5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成覆盖所述核心层的侧壁的图形传递层的步骤包括：形成覆盖所述侧墙材料层的图形传递材料层；对所述图形传递材料层进行平坦化处理，去除高于所述侧墙材料层顶面的所述图形传递材料层，剩余的所述图形传递材料层作为图形传递层。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述侧墙材料层后，在相邻所述核心层之间的所述图形传递层中形成第一沟槽之前，所述形成方法还包括：回刻蚀所述图形传递层，使剩余的所述图形传递层的顶面和所述核心层的顶面相齐平。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一沟槽后，去除所述核心层之前，所述形成方法还包括：至少在一个所述第一沟槽中形成阻挡层，所述阻挡层在所述第一方向上分割所述第一沟槽。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在相邻所述核心层之间的所述图形传递层中形成第一沟槽的步骤中，所述第一沟槽在所述第二方向上的侧壁露出所述侧墙层；或者，在所述第二方向上，所述第一沟槽和所述侧墙层通过所述图形传递层相隔离。9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在相邻所述侧墙层之间的所述图形传递层中形成第一沟槽步骤包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀相邻所述侧墙层之间的所述图形传递层。10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二沟槽的步骤中，
采用湿法刻蚀工艺，去除所述核心层。11.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱辰，何作鹏，杨明，姚达林，卑多慧，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：