半导体结构及其形成方法技术

方法包括在半导体衬底上方形成多个介电层，蚀刻多个介电层和半导体衬底以形成开口，沉积延伸到开口中的第一衬垫，在第一衬垫上方沉积第二衬垫。第二衬垫延伸到开口中。方法还包括将导电材料填充到开口中以形成通孔，以及在半导体衬底的相对侧上形成导电部件。导电部件通过通孔电互连。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。体结构及其形成方法。体结构及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]硅通孔(TSV)用作器件管芯中的电路径，从而可以互连器件管芯相对侧上的导电部件。TSV的形成工艺包括：蚀刻半导体衬底以形成开口；用导电材料填充开口以形成TSV；实施背侧研磨工艺以从背侧去除半导体衬底的一部分；以及在半导体衬底的背侧上形成电连接件，以连接至TSV。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体衬底上方形成多个介电层；蚀刻所述多个介电层和所述半导体衬底以形成开口；沉积延伸到所述开口中的第一衬垫；在所述第一衬垫上方沉积第二衬垫，其中所述第二衬垫延伸到所述开口中；将所述导电材料填充到所述开口中以形成通孔；以及在所述半导体衬底的相对侧上形成导电部件，其中所述导电部件通过所述通孔电互连。
[0004]本申请的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；多个介电层，位于半导体衬底上方；第一导电部件，位于所述多个介电层上方；第二导电部件，位于所述半导体衬底下面；通孔，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体衬底上方形成多个介电层；蚀刻所述多个介电层和所述半导体衬底以形成开口；沉积延伸到所述开口中的第一衬垫；在所述第一衬垫上方沉积第二衬垫，其中所述第二衬垫延伸到所述开口中；将所述导电材料填充到所述开口中以形成通孔；以及在所述半导体衬底的相对侧上形成导电部件，其中所述导电部件通过所述通孔电互连。2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一衬垫使用非共形沉积方法来实施。3.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积所述第二衬垫使用共形沉积方法来实施。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一衬垫的底部高于所述开口的底部。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一衬垫的底部与所述半导体衬底的顶面齐平。6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一衬垫的底部高于所述半导体衬底的顶面。7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一衬垫的底部低于所述半导体衬底的顶面。8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一衬垫包括沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟明慈，杨固峰，吴仓聚，邱文智，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：