【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及温度熔断器和使用它的电池。
技术介绍
图32是现有的温度熔断器的剖面图。如图32所示,现有的温度熔断器具有含锡的可熔合金2和连接其两端部的一对导线3。而且,该连接的方法是通过普通焊接、超声波焊接、在导线3和可熔合金2中通电,使可熔合金2熔化进行连接。再有,要在可熔合金2的表面涂敷助熔剂14,并且把可熔合金2收放在有开口部的绝缘壳1内。而且,该绝缘壳4的开口部用硬化树脂封口体5封口。所述现有的温度熔断器随着周围温度的上升使助熔剂3熔化,除去可熔合金2的表面氧化膜。之后,当周围温度继续上升超过可熔合金2的熔点时,可熔合金2熔断,而切断通电。为了能确实地熔断,必须要在可熔合金2的表面的尽可能多的部分或者全部涂敷助熔剂4。在温度熔断器熔断时,在熔断的可熔合金2的尖端之间会发生电弧,特别在切断时电流或者切断电压大的场合,电弧的能量就大。而且,通过该电弧的能量分解或者气化涂敷在可熔合金2表面的助熔剂4,因此,由封口体5密封的绝缘壳1内的气体分子数量急速增加,温度熔断器内部空间的压力上升。此时,当电弧能量特别大的场合,可能会造成密封的劣化或者构成温度熔断器的绝缘壳破损。因而,现有的温度熔断器不能作为用于高电压·大电流切断用的温度熔断器。
技术实现思路
本专利技术的温度熔断器,具有绝缘壳,其是有开口部的有底筒状体;可熔合金,其配设在绝缘壳内;导线,其一端与可熔合金连接,另一端从绝缘壳的开口部引到绝缘壳外;助熔剂,其被涂敷在可熔合金上;封口体,其封堵绝缘壳的开口部;且使绝缘壳内的可熔合金和封口体之间的空间容积比助熔剂的体积大。在该温度熔断器,因为在绝缘壳内的可 ...
【技术保护点】
一种温度熔断器,其具有:绝缘壳,其是具有开口部的有底的筒状体;可熔合金,其配设在所述绝缘壳内;导线,其一端与所述可熔合金连接,另一端从所述绝缘壳的开口部引到所述绝缘壳外;助熔剂,其被涂敷在所述可熔合金上;封口体,其封堵所述绝缘壳的开口部;所述绝缘壳内的所述可熔合金和所述封口体之间的空间容积比所述助熔剂的体积要大。
【技术特征摘要】
JP 2001-6-5 169238/20011.一种温度熔断器,其具有绝缘壳,其是具有开口部的有底的筒状体;可熔合金,其配设在所述绝缘壳内;导线,其一端与所述可熔合金连接,另一端从所述绝缘壳的开口部引到所述绝缘壳外;助熔剂,其被涂敷在所述可熔合金上;封口体,其封堵所述绝缘壳的开口部;所述绝缘壳内的所述可熔合金和所述封口体之间的空间容积比所述助熔剂的体积要大。2.如权利要求1所述的温度熔断器,其特征在于,从所述可熔合金看,所述可熔合金和所述封口体之间的所述空间位于和重力方向大体一致的方向上。3.如权利要求1所述的温度熔断器,其特征在于,所述助熔剂含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。4.一种温度熔断器,其具有绝缘壳,其是具有开口部的有底的筒状体;可熔合金,其配设在所述绝缘壳内;导线,其一端与所述可熔合金连接,另一端从所述绝缘壳的开口部引到所述绝缘壳外;助熔剂,其被涂敷在所述可熔合金上;封口体,其封堵所述绝缘壳的开口部;所述绝缘壳内的所述可熔合金和所述绝缘壳的内底部之间的空间的容积比所述助熔剂的体积要大。5.如权利要求4所述的温度熔断器,其特征在于,从所述可熔合金看,所述可熔合金和所述绝缘壳的内底部之间的所述空间位于和重力方向大体一致的方向上。6.如权利要求4所述的温度熔断器,其特征在于,所述助熔剂含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。7.一种温度熔断器,其具有绝缘壳,其是在两端具有开口部的筒状体;可熔合金,其配设在所述绝缘壳内;一对导线,每根导线的一端部分别连接所述可熔合金的两端部,每根导线的另一端部分别通过所述绝缘壳的开口部引到所述绝缘壳外;助熔剂,其涂敷在所述可熔合金上;封口体,其封堵所述绝缘壳两端的开口部;所述绝缘壳内的所述可熔合金的表面和对向所述可熔合金的所述表面的所述绝缘壳的内表面部之间的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。8.如权利要求4所述的温度熔断器,其特征在于,从所述可熔合金看,所述可熔合金的所述表面和所述绝缘壳的所述内面部之间的所述空间位于和重力方向大体一致的方向上。9.如权利要求4所述的温度熔断器,其特征在于,所述助熔剂含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。10.一种温度熔断器,其具有绝缘壳,其是在两端具有开口部的筒状体;可熔合金,其配设在所述绝缘壳内;一对导线,每根导线的一端部分别连接所述可熔合金的两端部,每根导线的另一端部分别通过所述绝缘壳的开口部引到所述绝缘壳外;助熔剂,其涂敷在所述可熔合金上;封口体,其封堵所述绝缘壳两端的开口部;所述绝缘壳内的所述可熔合金一方的端部和所述一对的封口体的一方之间的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。11.如权利要求10所述的温度熔断器,其特征在于,从所述可熔合金看,所述可熔合金的所述一方的端部和所述一对封口体的所述的一方之间的所述的空间位于和重力方向大体一致的方向上。12.如权利要求11所述的温度熔断器,其特征在于,所述助熔剂含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。13.一种温度熔断器,其具有第一绝缘膜;一对金属端子,其分别安装在所述第一绝缘膜上,使其各自的一部从所述第一绝缘膜向第一方向突出;可熔合金,其位于由所述第一绝缘膜的所述第一方向上,连接在所述一对金属端子的所述一部之间;助熔剂,其涂敷在所述可熔合金上;第二绝缘膜,其被安装在所述第一绝缘膜上,使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上,并且与所述第一绝缘膜之间形成空间;所述第一绝缘膜的第一方向的面和对向所述第一绝缘膜的所述面的所述可熔合金的面之间的空间的容积要大于所述助熔剂的体积。14.如权利要求13所述的温度熔断器,其特征在于,从所述可熔合金看,所述第一绝缘膜的所述面和所述可熔合金的所述面之间的所述空间位于和重力方向大体一致的方向上。15.如权利要求13所述的温度熔断器,其特征在于,还具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二绝缘膜形成的温度熔断器本体,所述温度熔断器本体的长度L1、宽度L2、厚度L3满足如下的关系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。16.如权利要求13所述的温度熔断器,其特征在于,所述助熔剂含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。17.一种温度熔断器,其具有第一绝缘膜;一对金属端子,其分别安装在所述第一绝缘膜上,使其各自的一部从所述第一绝缘膜向第一方向突出;可熔合金,其位于由所述第一绝缘膜的所述第一方向上,连接在所述一对金属端子的所述一部之间;助熔剂,其涂在所述可熔合金上;第二绝缘膜,其被安装在所述第一绝缘膜上,使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上,并且与所述第一绝缘膜之间形成空间;所述第二绝缘膜的面和对向所述第二绝缘膜的所述面的所述可熔合金的面之间的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。18.如权利要求17所述的温度熔断器,其特征在于,从所述可熔合金看,所述第二绝缘膜的所述面和所述可熔合金的所述面之间的所述空间位于和重力方向大体一致的方向上。19.如权利要求17所述的温度熔断器,其特征在于,还具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二绝缘膜形成的温度熔断器本体,所述温度熔断器本体的长度L1、宽度L2、厚度L3满足如下的关系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。20.如权利要求17所述的温度熔断器,其特征在于,所述助熔剂含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。21.一种温度熔断器,其具有第一绝缘膜;一对金属端子,其分别安装在所述第一绝缘膜上,使其各自的一部从所述第一绝缘膜向第一方向突出;可熔合金,其位于由所述第一绝缘膜的所述第一方向上,连接在所述一对金属端子的所述一部之间;助熔剂,其涂敷在所述可熔合金上;第二绝缘膜,其通过密封固定部安装在所述第一绝缘膜上,使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上,并且与所述第一绝缘膜之间形成空间;所述可熔合金的一端与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的所述密封固定部之间形成的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。22.如权利要求21所述的温度熔断器,其特征在于,所述可熔合金的所述一端与所述第一绝缘膜和第二绝缘膜的所述密封固定部之间形成的所述空间,从所述可熔合金看,位于和重力方向大体一致的方向上。23.如权利要求21所述的温度熔断器,其特征在于,还具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二绝缘膜形成的温度熔断器本体,所述温度熔断器本体的长度L1、宽度L2、厚度L3满足如下的关系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。24.如权利要求21所述的温度熔断器,其特征在于,所述助熔剂含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。25.一种温度熔断器,其具有第一绝缘膜;一对金属端子,其被安装在所述第一绝缘膜上;可熔合金,其位于由所述第一绝缘膜开始的第一方向上,连接在所述一对金属端子的端部之间;助熔剂,其涂敷在所述可熔合金上;第二绝缘膜,其被安装在所述第一绝缘膜上,使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上,并且与所述第一绝缘膜之间形成空间;所述第一绝缘膜的面和对向所述第一绝缘膜的所述面的所述可熔合金的面之间的空间容积要比所述助熔剂的体积大。26.如权利要求25所述的温度熔断器,其特征在于,所述第一绝缘膜的所述面和所述可熔合金的所述面之间的所述空间,从所述可熔合金看,位于和重力方向大体一致的方向上。27.如权利要求25所述的温度熔断器,其特征在于,还具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二绝缘膜形成的温度熔断器本体,所述温度熔断器本体的长度L1、宽度L2、厚度L3满足如下的关系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。28.如权利要求25所述的温度熔断器,其特征在于,所述助熔剂含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。29.一种温度熔断器,其具...
【专利技术属性】
技术研发人员:仙田谦治,河野笃司,和田达也,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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