一种晶体原位退火装置制造方法及图纸

一种晶体原位退火装置，属于晶体制备领域，具体涉及晶体生长完成后实现原位退火的装置，设置在主炉体内，所述装置包括上密封罩、上密封罩驱动装置、下密封罩、下密封罩驱动装置，上密封罩下部开口形成上密封罩主体，下密封罩上部开口，上密封罩主体外设置上密封罩加热丝，下密封罩上部开口外设置下密封罩加热丝；在上密封罩驱动装置和下密封罩驱动装置驱动下，密封罩主体和下密封罩的上部开口部分重叠，形成退火空间。采用本实用新型专利技术提出的退火装置，可以在合适的空间内实现晶体的原位退火，尤其是需要在特定气氛下退火时，保证气体不外露、不凝结，维持良好的退火环境，保证晶体质量。质量。质量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体原位退火装置


[0001]本技术属于晶体制备领域，具体涉及晶体生长完成后实现原位退火的装置。

技术介绍

[0002]当前技术中，晶体生长完成后的原位退火或在线退火是通过控制温度梯度，在原生长环境装完成，如申请号为201610950624 .9的中国专利、申请号201810801199 .6的中国专利申请、申请号为200610002268.4的中国专利。
[0003]但在制备半绝缘磷化铟（InP）晶体时，退火需要在特定的气氛，如纯磷气氛和磷化铁气氛下完成，如果还在原生长环境下完成退火，由于气体会在整个空间内蔓延，遇到温度比较低的炉壁时，气体会成为固体挂在炉壁上，不能保证退火气氛或者需要消耗大量保持气氛的物质。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种装置，在半绝缘磷化铟（InP）晶体生长完成后实现原位退火。
[0005]为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0006]一种晶体原位退火装置，设置在主炉体内，所述装置包括上密封罩、上密封罩驱动装置、下密封罩、下密封罩驱动装置，上密封罩下部开口形成上密封罩主体，下密封罩上部开口，上密封罩主体外设置上密封罩加热丝，下密封罩上部开口外设置下密封罩加热丝；在上密封罩驱动装置和下密封罩驱动装置驱动下，密封罩主体和下密封罩的上部开口部分重叠，形成退火空间。
[0007]进一步地：在主炉体内部设置储存室，其空间大小根据下密封罩设定；下密封罩驱动装置驱动下密封罩隐入和伸出储存室。
[0008]进一步地：所述上密封罩还包括籽晶口，籽晶杆穿过籽晶口。
[0009]进一步地：所述上密封罩还包括液封帽，所述籽晶杆上在位于上密封罩下面的位置设置液封槽，密封罩主体和下密封罩的上部开口部分重叠时，液封帽进入液封槽。
[0010]进一步地：工作时，下密封罩和液封槽内设置氧化硼，密封罩主体的下部和液封帽的下部分别浸入液化氧化硼，形成液封结构。
[0011]进一步地：所述上密封罩主体内设置储存槽。
[0012]有益效果：采用本技术提出的退火装置，可以在合适的空间内实现晶体的原位退火，尤其是需要在特定气氛下退火时，保证气体的压力、不凝结，维持良好的退火环境，保证晶体质量。
附图说明
[0013]图1为原位退火装置装配示意图；
[0014]图2为升降杆结构示意图；
[0015]图3为下密封罩的固定结构示意图；
[0016]图4为驱动杆及其固定结构示意图；
[0017]图5为下密封罩在炉体内的位置示意图；
[0018]图6为上密封罩结构示意图；
[0019]图7为原位退火装置使用状态示意图。
[0020]其中：1：主炉体；3：籽晶杆；3
‑
1：辅助籽晶杆；3
‑
2：液封槽；3
‑
3：籽晶夹头； 4：上密封罩；4
‑
1：籽晶口；4
‑
2：上密封罩支撑； 4
‑
3：液封帽； 4
‑
4：上密封罩主体；4
‑
5：储存槽；5：升降杆；5
‑
1：升降杆右支撑； 5
‑
2：升降杆左支撑；8：晶体；9：下密封罩；22：储存室；23：下密封罩驱动；24：驱动杆；24
‑
1：下密封罩支撑；24
‑
2：固定盖；24
‑
3：固定槽；24
‑
4：固定半圈I； 24
‑
5：固定半圈II； 27：上密封罩加热丝；28：下密封罩加热丝。
具体实施方式
[0021]下面结合附图对本技术做进一步说明。
[0022]参看图1，一种晶体原位退火装置，设置在主炉体1内。所述装置包括上密封罩4、上密封罩驱动装置、下密封罩9、下密封罩驱动装置，上密封罩4下部开口形成上密封罩主体4
‑
4，下密封罩9上部开口，上密封罩主体4
‑
4外设置上密封罩加热丝27，下密封罩9上部开口外设置下密封罩加热丝28。
[0023]在上密封罩驱动装置和下密封罩驱动装置驱动下，密封罩主体4
‑
4和下密封罩的上部开口部分重叠，形成退火空间。
[0024]参看图2，所述的上密封罩驱动装置包括连接驱动机构的升降杆5，升降杆支撑连接上密封罩4，升降杆5驱动上密封罩4上下运动。
[0025]上密封罩驱动装置包括连接驱动机构的升降杆5和连接到升降杆5的升降杆支撑，升降杆支撑为半圆形的升降杆右支撑5
‑
1和升降杆左支撑5
‑
2，升降杆支撑连接通过上密封罩支撑4
‑
2固定上密封罩4，升降杆5驱动上密封罩4上下运动。
[0026]参看图3、图4，下密封罩驱动装置包括连接驱动机构的驱动杆24，驱动杆24连接下密封罩9，驱动杆24驱动下密封罩9左右运动。
[0027]固定半圈I24
‑
4和固定半圈II24
‑
5与下密封罩支撑24
‑
1相连，下密封罩9放置在下密封罩支撑24
‑
1中。固定半圈I24
‑
4和固定半圈II24
‑
5与固定槽24
‑
3配合。固定盖24
‑
2将下密封罩9固定在下密封罩支撑24
‑
1中
[0028]为了不影响晶体的正常生长，本实用型新在主炉体1内部设置了储存室22，储存室22空间大小根据下密封罩9设定。参看图5。
[0029]驱动杆24穿过储存室22，外部与下密封罩驱动23相连。驱动杆24驱动下密封罩9隐入和伸出储存室22。
[0030]晶体生长时，下密封罩9隐入储存室22，不造成影响；退火时，下密封罩9伸出储存室22，与上密封罩4配合，形成退火空间。
[0031]参看图6、图7，上密封罩4顶部设置还包括籽晶口4
‑
1，籽晶杆3还包括辅助籽晶杆3
‑
1，辅助籽晶杆3
‑
1穿过籽晶口4
‑
1。这种结构可以保证晶体生长完成后，晶体进入密封罩主体4
‑
4，完成退火。
[0032]上密封罩4还包括液封帽4
‑
3。
[0033]籽晶杆3上在位于上密封罩4下面的位置设置液封槽3
‑
2，密封罩主体4
‑
4和下密封罩的上部开口部分重叠时，液封帽4
‑
3进入液封槽3
‑
2。
[0034]上密封罩主体4
‑
4内设置储存槽4
‑
5，储存槽4
‑
5内放置红磷等保持气氛的物质，在加热器化后，使气化的红磷充满整个退火空间。
[0035]设备工作时，参看图7、图1，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体原位退火装置，设置在主炉体（1）内，其特征在于：所述装置包括上密封罩（4）、上密封罩驱动装置、下密封罩（9）、下密封罩驱动装置，上密封罩（4）下部开口形成上密封罩主体（4
‑
4），下密封罩（9）上部开口，上密封罩主体（4
‑
4）外设置上密封罩加热丝（27），下密封罩（9）上部开口外设置下密封罩加热丝（28）；在上密封罩驱动装置和下密封罩驱动装置驱动下，密封罩主体（4
‑
4）和下密封罩的上部开口部分重叠，形成退火空间。2.根据权利要求1所述的晶体原位退火装置，其特征在于，所述的上密封罩驱动装置包括连接驱动机构的升降杆（5）和连接到升降杆（5）的升降杆支撑，升降杆支撑连接上密封罩（4），升降杆（5）驱动上密封罩（4）上下运动。3.根据权利要求1所述的晶体原位退火装置，其特征在于，所述的下密封罩驱动装置包括连接驱动机构的驱动杆（24），驱动杆（24）连接下密封罩（9），驱动杆（24）驱动下密封罩（9）左右运动。4.根据权利要求3所述的晶体原位退火装置，其特征在于，在主炉体（1）内部设置储存室（22），其空间大小根据下密封罩（9）设定；驱动杆（24）驱动下密封罩（9）隐入和伸出储存室（22）。5.根据权利要求1所述的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王书杰，孙聂枫，徐森锋，孙同年，刘惠生，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：