一种LED芯片转移方法技术

本发明专利技术公开一种LED芯片转移方法，包括步骤：S1，提供一面制备有LED芯片的生长衬底、目标基板及激光扩散结构；S2，将激光扩散结构置于生长衬底背离LED芯片的一侧，将目标基板朝向LED芯片放置；S3，自激光扩散结构背离生长衬底的一侧照射激光，借由激光将LED芯片从生长衬底上剥离，使LED芯片转移至目标基板。本发明专利技术在生长衬底背离LED芯片的一侧设置激光扩散结构，激光穿过激光扩散结构时，能量被激光扩散结构吸收、分散，使激光实际到达生长衬底与LED芯片的连接界面的能量更加均匀、分散，避免LED芯片受热不均匀，出现局部已经分离，但部分还连接，或者LED芯片局部过度受热，可以实现不损坏LED芯片的情况下，采用足够能量的激光将LED芯片与生长衬底充分剥离。芯片与生长衬底充分剥离。芯片与生长衬底充分剥离。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片转移方法


[0001]本专利技术涉及LED芯片转移
，具体涉及一种LED芯片转移方法。

技术介绍

[0002]Mini/Micro LED芯片在制作完成之后，会通过激光剥离技术(LLO)从生长衬底(如蓝宝石衬底)剥离，转移至目标基板，例如玻璃板、PCB板等。现有技术中，通过激光剥离技术(LLO)从生长衬底剥离LED芯片时，激光的能量集中在激光焦点处，若激光的能量过高，会损坏LED芯片，若激光的能量偏低，则LED芯片无法从生长衬底剥离，此时，会借助表面带有粘胶层的中间转移载板协同进行剥离，通过激光和中间转移载板的方式剥离的LED芯片与生长衬底接触的表面有残留，在剥离后，需要对LED芯片进行清洗，LED芯片转移工序复杂，耗费时间长。
[0003]因此，有必要提供一种新的LED芯片转移方法，以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种能够在避免损坏LED芯片的同时，将LED芯片与生长衬底剥离更充分的LED芯片转移方法。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种LED芯片转移方法，包括步骤：
[0006]S1，提供一面制备有LED芯片的生长衬底、目标基板以及激光扩散结构，所述激光扩散结构用于将入射激光束扩散为能量分布均匀的光束；
[0007]S2，将所述激光扩散结构置于所述生长衬底背离所述LED芯片的一侧，将所述目标基板朝向所述LED芯片放置；
[0008]S3，自所述激光扩散结构背离所述生长衬底的一侧照射激光，借由激光将所述LED芯片从所述生长衬底上剥离，使所述LED芯片转移至所述目标基板。
[0009]与现有技术相比，本专利技术在生长衬底背离LED芯片的一侧设置激光扩散结构，激光穿过激光扩散结构时，能量被激光扩散结构吸收、分散，使得激光实际到达生长衬底与LED芯片的连接界面的能量更加均匀、分散，避免LED芯片受热不均匀，出现局部已经分离，但部分还连接的情况，以及避免LED芯片局部过度受热，损坏LED芯片；与此同时，可以在不损坏LED芯片的情况下，采用足够能量的激光进行剥离，LED芯片与生长衬底的剥离更充分。
[0010]较佳地，所述激光扩散结构包括激光扩散膜和承载所述激光扩散膜的透明基板，所述激光扩散膜用于将入射激光束扩散为能量分布均匀的光束。
[0011]较佳地，在步骤S2中，“将所述激光扩散结构置于所述生长衬底背离所述LED芯片的一侧”为，将所述激光扩散膜与所述生长衬底背离所述LED芯片的一侧相贴。
[0012]在一实施例中，在步骤S3中，使激光的焦点位于所述生长衬底与所述LED芯片的连接界面。
[0013]在一实施例中，在步骤S3中，使激光的焦点位于所述生长衬底与所述LED芯片的连接界面靠近所述生长衬底的一侧。
[0014]在一实施例中，在步骤S3中，“自所述激光扩散结构背离所述生长衬底的一侧照射激光”为：首先以第一强度的激光自所述激光扩散结构背离所述生长衬底的一侧照射，再以第二强度的激光自所述激光扩散结构背离所述生长衬底的一侧照射。
[0015]较佳地，所述第一强度小于或等于所述第二强度。
[0016]在一实施例中，在步骤S3中，“自所述激光扩散结构背离所述生长衬底的一侧照射激光”为：首先以所述第一强度的激光照射剥离所述LED芯片与所述生长衬底的连接界面的边沿位置，再以所述第二强度的激光照射剥离所述LED芯片与所述生长衬底的连接界面的中间位置处。
[0017]在一实施例中，所述目标基板为一侧表面设有粘胶层的转移载板，借由所述粘胶层粘住所述LED芯片。
[0018]较佳地，在步骤S2中，“将所述目标基板朝向所述LED芯片放置”为，将所述目标基板置于所述LED芯片的一侧，并使所述粘胶层与所述LED芯片接触。
附图说明
[0019]图1为本专利技术一实施例LED芯片转移方法的流程图。
[0020]图2为本专利技术第一实施例LED芯片转移至目标基板的过程示意图。
[0021]图3为本专利技术第二实施例LED芯片转移至目标基板的过程示意图。
[0022]图4为本专利技术第三实施例LED芯片转移至目标基板的过程示意图。
[0023]图5为本专利技术第四实施例LED芯片转移至目标基板的过程示意图。
[0024]图6为本专利技术第五实施例LED芯片转移至目标基板的过程示意图。
具体实施方式
[0025]为详细说明本专利技术的内容、构造特征、所实现目的及效果，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]在专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本专利技术和简化描述，因而不能理解为对本专利技术保护内容的限制。
[0027]请参阅图1至图6，本专利技术的LED芯片转移方法，包括以下步骤：
[0028]S1，提供一面制备有LED芯片10的生长衬底20、目标基板30以及激光扩散结构40，激光扩散结构40用于将入射激光束扩散为能量分布均匀的光束。
[0029]S2，将激光扩散结构40置于生长衬底20背离LED芯片10的一侧，将目标基板30朝向LED芯片10放置。
[0030]S3，自激光扩散结构40背离生长衬底20的一侧照射激光50，借由激光50将LED芯片10从生长衬底20上剥离，使LED芯片10转移至目标基板30。
[0031]下面，以具体实施例为例结合附图对本专利技术的LED芯片转移方法进行详细说明。
[0032]请参阅图2至图6，图2至图6所示实施例中，生长衬底20的下表面具有多个LED芯片10，在步骤S2中，将激光扩散结构40置于生长衬底20的上方，将目标基板30置于LED芯片10
的下方。在步骤S3中，自激光扩散结构40的上方照射激光50，激光50自上向下穿过激光扩散结构40到达生长衬底20，实现将LED芯片10从生长衬底20上剥离转移至目标基板30。
[0033]如图2至图6所示，在这些实施例中，激光扩散结构40包括激光扩散膜41和承载激光扩散膜41的透明基板42，激光扩散膜41用于将入射激光束扩散为能量分布均匀的光束，激光扩散膜41可以采用现有的任意具有激光能量吸收/扩散功能的膜材，例如中国专利CN1238149C公开的一种激光焊接吸收薄膜。透明基板42优选为激光透过率较高的材质，例如透明玻璃板等。在步骤S2中，“将激光扩散结构40置于生长衬底20背离LED芯片10的一侧”具体为，将激光扩散结构40置于生长衬底20的上方，并使激光扩散膜41与生长衬底20的上表面相贴。
[0034]在一些实施例中，在步骤S3中，自激光扩散结构40的上方照射激光50时，使激光50的焦点位于生长衬底20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片转移方法，其特征在于，包括步骤：S1，提供一面制备有LED芯片的生长衬底、目标基板以及激光扩散结构，所述激光扩散结构用于将入射激光束扩散为能量分布均匀的光束；S2，将所述激光扩散结构置于所述生长衬底背离所述LED芯片的一侧，将所述目标基板朝向所述LED芯片放置；S3，自所述激光扩散结构背离所述生长衬底的一侧照射激光，借由激光将所述LED芯片从所述生长衬底上剥离，使所述LED芯片转移至所述目标基板。2.如权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述激光扩散结构包括激光扩散膜和承载所述激光扩散膜的透明基板，所述激光扩散膜用于将入射激光束扩散为能量分布均匀的光束。3.如权利要求2所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S2中，“将所述激光扩散结构置于所述生长衬底背离所述LED芯片的一侧”为，将所述激光扩散膜与所述生长衬底背离所述LED芯片的一侧相贴。4.如权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S3中，使激光的焦点位于所述生长衬底与所述LED芯片的连接界面。5.如权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S3中，使激光的焦点位于所述生长衬底与所述LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛水源，庄文荣，孙明，付小朝，
申请(专利权)人：东莞市中麒光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：