一种不拆卸灭弧室真空开关的真空度测量仪属于检测领域。本发明专利技术由磁场线圈和测量电路两部分组成，磁场线圈和测量电路之间通过两根导线连接，磁场线圈为“两半圆组合式”磁场线圈，在不拆卸灭弧室的情况下，套装于断路器的灭弧室上。本发明专利技术具有实质性特点和显著进步，所使用的两半圆组合式磁场线圈产生的轴向磁场与螺线管相当，提高了不拆卸真空灭弧室的真空度测量灵敏度；采用数字光隔光电隔离及电磁屏蔽技术，增强了真空度测试仪器的抗干扰能力；采用安全保护技术，保证了仪器操作者的人身安全；采用液晶屏的汉字提示，使仪器的操作与使用更加方便。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种真空度测量仪，特别是一种不拆卸灭弧室真空开关真 空度测量仪，属于检测领域。技术背景真空开关在中压领域(6kV， 10kV， 35kV)的应用已有25年的历史，并还 在快速增长。现在电力系统用户开始担心真空灭弧室的真空度状况，亦即真空 开关的开断能力。需要一种简单、准确、具有较高分辨力的测试仪器来检测服 役中的灭弧室的真空度。为了在不拆卸灭弧室的情况下准确测量灭弧室的真空 度，需要有一种特殊型式的磁场线圈。经对现有技术的进一步检索，发现专利 号为97241647，名称为 一种真空灭弧室真空度的测量装置。该专利自述为 一种检测装置，特别适用于输配电系统真空来弧室真空度的测量场合。该装置 是一种真空灭弧室真空度的免拆卸测量装置，主要由一种硅钢片叠装成形的C 形铁芯，在外面套上绕制的线圈，置于真空灭弧室一侧的无障碍空间中，实现 灭弧室真空度的免拆卸测量目的，并具有操作简便，测量重复性好，测量结果 精度高等优点。又发现专利号99250617，名称为电网中真空开关管真空度监测仪。该专利自述为 一种体积小、使用方便且可定量测量的电网中真空开关管真空度监测仪，包括取样峰值锁定电路、用于将取样信号放大的直流快速 放大器、用于将模拟信号转换为数字信号并进行处理的单片机比较运算电路和用于显示真空度数值的显示电路，它还有一个c形电磁线圈和直流高压发生器，所说的电磁线圈和直流高压发生器分别引出该网上真空开关管真空度监测 仪的电磁端和直流高压输出端。上述现有技术均未摆脱不拆卸测量灵敏度低的 缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种不拆卸灭弧室真空开 关真空度测量仪，使其具有不拆卸测量和灵敏度高的特点。采用的技术方案是一种不拆卸灭弧室真空开关的真空度测量仪，由磁场线圈和测量电路两部 分组成，磁场线圈和测量电路之间通过两根导线连接，磁场线圈是一种两半圆组合式磁场线圈，它可以在不拆卸灭弧室的情况下，套装于断路器的灭弧 室上，在测量仪电路的控制下，产生与螺线管型磁场线圈相当强度的轴向磁场。本专利技术在不拆卸灭弧室时，真空度的测量范围为10—l(TSpa，满足了真空开关真空度的定量测试要求。本专利技术的两半圆组合式磁场线圈的功能是产生脉冲磁场，测量电路的 功能是控制电解电容器的充放电及离子电流的测量。磁场线圈由两个半圆柱型线圈相对排列组合而成，两个半圆柱型线圈的一 边由两个小型的门轴绞链连接，另一边由一个金属搭扣连接，左右两个半圆柱 型线圈壁上分别留有接线柱，两个半圆柱型线圈的多匝漆包线通过浇铸的环氧 树脂固定。灭弧室套装在两半圆组合式磁场线圈中间，当通以励磁电流，在每 个半圆柱内的多匝漆包线中产生电流。测量电路包括双向可控硅(一)和(二)、整流二极管、倍压整流电路、升压器、硅堆、限流电阻、多路转换器、A/D、数字光隔、80C196单片机系统、 光电隔离与驱动器、保护电路、光电隔离器、放电电阻、电容C1、 C3，可控硅 Dl、 Dl、电容C2、取样电阻Ro，其连接方式为通过变压器隔离后的交流电 源 280V连接到双向可控硅(一)和(二)的第1脚，双向可控硅(一)和(二) 的第2脚连接到整流二极管或倍压整流电路，双向可控硅(一)和(二)的第3 脚连接到光电隔离器，电容C1的正极连接整流二极管和升压器的原边一端，电 容C3的正极连接倍压整流电路和磁场线圈的某一接线柱，可控硅D1的输出端 连接电容C1的负极，Dl的输入端连接升压器的原边另一端，可控硅D2的输出 端连接电容C3的负极，D2的输入端连接磁场线圈的另一接线柱，Dl、 D2的控 制极连接光电隔离与驱动器，光电隔离与驱动器与保护电路相连，升压器的高 压输出端连接硅堆的一端，硅堆的另一端连接限流电阻和电容C2，电容C2的 另一端接升压器的高压接地端，放电电阻与电容C2并联，限流电阻的另一端连 接到仪器的高压输出，该高压输出连接到被测量灭弧室的导电杆上，被测量灭 弧室另一导电杆连接到仪器的信号输入端，该信号输入端连接取样电阻Ro和多 路转换器与A/D，取样电阻Ro的另一端连接到升压器的高压接地端，80C196 单片机系统与数字光隔、光电隔离器、光电隔离与驱动器相连接。80C196单片机系统包括80C196单片机、32k程序存储器、液晶屏、微型 打印机；光电隔离与驱动器包括光隔4N25、三极管S8550;保护电路包括 保护电容、二极管、三极管S8050等。双向可控硅(一)、(二)各为一 12A/ 800V双向可控硅，整流二极管为2个12A / 1200V 二极管；倍压整流电路为通用的四级不对称倍压整流电路，整流使用8个12A/ 1200V 二极管，倍压使用 两串电容，其中的一串为四个10000DF/ 450V的电容，另一串为三个330DF/ 450V的电容，这两串电容并联，等效电容为C2。电容C2为3300微法/ 450V的电容；光电隔离器为2片过零光隔MOC3083; 可控硅D1、 D2各为-95A/ 1600V可控硅；升压器为DQ42汽车点火线圈；硅堆 由四个12kV的硅粒子串联；电容Cl为2200pF / 40kV的高压电容；限流电阻 由2个2MQ的电阻串联；放电电阻由2个100M 的电阻串联；硅堆、电容C3、 限流电阻、放电电阻四个元件作为一个整体，通过浇铸的环氧树脂固定。80C196 单片机系统和光电隔离器控制双向可控硅(一)(二)，通过整流及倍压整流后 给电容C1、 C2充电，当电容C1上的电压达到预定值200V, C2上的电压达到 预定值1600V后，再由单片机系统和光电隔离与驱动器控制触发可控硅D1、 D3 导通，电容C1对升压器初级线圈放电，电容C2对磁场线圈放电，升压器次级 的高电压经硅堆整流、电容C3滤波、限流电阻限流后输出到灭弧室的触头上， 当磁场线圈产生的磁场达到某一临界值时，真空灭弧室的极间会产生离子电流， 离子电流经取样电阻R。、多路转换、A/D、数字光隔后输入单片机系统。当没接磁场线圈时不能充电，当接磁场线圈但充电途中断电时，保护电容 触发D1，使电容C2上的残余电荷通过磁场线圈释放掉，使用放电电阻释放C3 上的残余电荷，从而保护了人身安全。本专利技术具有实质性特点和显著进步，所使用的两半圆组合式磁场线圈产生 的轴向磁场与螺线管相当，提高了不拆卸真空灭弧室的真空度测量灵敏度；采 用数字光隔、光电隔离及电磁屏蔽技术，增强了真空度测试仪器的抗干扰能力； 采用安全保护技术，保证了仪器操作者的人身安全；采用液晶屏的汉字提示， 使仪器的操作与使用更加方便。附图说明图1本专利技术磁场线圈结构示意2本专利技术磁场线圈电流方向原理示意3本专利技术测量电路框图具体实施方式如图II、图2和图3所示，本专利技术的一种不拆卸灭弧室真空开关的真空度 测量仪，由磁场线圈1和测量电路2两部分组成，磁场线圈1和测量电路2之 间通过两根导线连接，磁场线圈1为两半圆组合式磁场线圈，磁场线圈1由两 个半圆柱型线圈22、 23相对排列组合而成，两个半圆柱型线圈22、 23的一边 由两个小型的门轴绞链4连接，另一边由一个金属搭扣5连接，两个半圆柱型线圈壁上分别留有接线柱3和6，两个半圆柱型线圈22、 23的多匝漆包线通过 浇铸的环氧树脂固定，两半圆组合式磁场线圈套装本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种不拆卸灭弧室真空开关的真空度测量仪，包括：磁场线圈重和测量电路（２），其特征在于磁场线圈（Ⅱ）和测量电路（２）之间通过两根导线连接，磁场线圈（１）为两半圆组合式磁场线圈，磁场线圈（１）由两个半圆柱型线圈（２２、２３）相对排列组合而成，两个半圆柱型线圈（２２、２３）的一边由两个小型的门轴绞链（４）连接，另一边由一个金属搭扣（５）连接，两个半圆柱型线圈壁上分别留有接线柱（３、６），两个半圆柱型线圈（２２、２３）的多匝漆包线通过浇铸的环氧树脂固定，两半圆组合式磁场线圈套装在灭弧室（７）周围。
【技术特征摘要】
1、一种不拆卸灭弧室真空开关的真空度测量仪，包括磁场线圈重和测量电路(2)，其特征在于磁场线圈(II)和测量电路(2)之间通过两根导线连接，磁场线圈(1)为两半圆组合式磁场线圈，磁场线圈(1)由两个半圆柱型线圈(22、23)相对排列组合而成，两个半圆柱型线圈(22、23)的一边由两个小型的门轴绞链(4)连接，另一边由一个金属搭扣(5)连接，两个半圆柱型线圈壁上分别留有接线柱(3、6)，两个半圆柱型线圈(22、23)的多匝漆包线通过浇铸的环氧树脂固定，两半圆组合式磁场线圈套装在灭弧室(7)周围。2、 根据权利要求1所述的一种不拆卸灭弧室真空开关的真空度测量仪，其 特征是测量电路(2)包括第一双向可控硅(8)、第二双向可控硅(9)、整流 二极管(10)、倍压整流电路(11)、升压器(12)、硅堆(13)、限流电阻(14)、 多路转换器(15)、 A/D (16)、数字光隔(17)、 80C196单片机系统(18)、光 电隔离与驱动器(19)、光电隔离器(20)、放电电阻(21)、第一电容(Cl)、 第三电容(C3)，第一可控硅(Dl)、第二可控硅(D2)、第二电容电容(C2)、 取样电阻(Ro)、保护电路(24)，其连接方式为通过变压器隔离后的交流电 源(-280V)连接到双向可控硅(8、 9)的第1脚，双向可控硅(8、 9)的第2 脚连接到整流二极管(10)或倍压整流电路(11)，双向可控硅(8、 9)的第3 脚连接到光电隔离器(20)，第一电容(Cl)的正极连接整流二极管(10)和升 压器(12)的低电压一端，第三电容(C，)的正极连接倍压整流电路(11)和 磁场线圈(1)的某一接线柱，第一可控硅(Dl)的输出端连接第一电容(Cl) 的负极，第一可控硅(Dl)的输入端连接升压器(12)的低电压另一端，第二 可控硅(D2)的输出端连接第三电容(C3)的负极，第二可控硅(D。)的输入 端连接磁场线圈(1)的另一接线柱，第一、第二可控硅(D...
【专利技术属性】
技术研发人员：代晓岩，
申请(专利权)人：代晓岩，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]
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