曝光系统及曝光方法技术方案

一种曝光系统，包括光源组件、半透镜、全反射镜、弧形镜组、掩膜板和透镜组，光源组件发出的光依次经过半透镜、弧形镜组、掩膜板、透镜组后进行第一次曝光，全反射镜与半透镜相对设置，半透镜可将光反射至全反射镜，全反射镜反射的光实现第二次曝光。本发明专利技术的曝光系统能提高图像线宽关键尺寸的均一性，提升了产品良率。本发明专利技术还涉及一种曝光方法。本发明专利技术还涉及一种曝光方法。本发明专利技术还涉及一种曝光方法。

【技术实现步骤摘要】
曝光系统及曝光方法


[0001]本专利技术涉及线路制作
，特别涉及一种曝光系统及曝光方法。

技术介绍

[0002]显示面板包括显示区(Active Area)和位于显示区边缘的布线区(Fan
‑
out)。通过位于布线区的线路是利用曝光机进行曝光，之后进行显影等工艺制作形成。但是，制作的图像线宽CD会出现局部异常，线宽偏大或偏小，影响CD均一性及SPC CPK(品质系统管控指标)，影响产品良率。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种曝光系统，能提高图像线宽关键尺寸的均一性，提升了产品良率。
[0004]一种曝光系统，包括光源组件、半透镜、全反射镜、弧形镜组、掩膜板和透镜组，光源组件发出的光依次经过半透镜、弧形镜组、掩膜板、透镜组后进行第一次曝光，全反射镜与半透镜相对设置，半透镜可将光反射至全反射镜，全反射镜反射的光实现第二次曝光。
[0005]在本专利技术的实施例中，上述全反射镜与所述掩膜板错开设置，所述全反射镜反射的光未经过所述掩膜板和所述透镜组。
[0006]在本专利技术的实施例中，上述曝光系统还包括透视屏，所述透视屏与所述全反射镜相对设置，所述全反射镜反射的光经过所述透视屏后实现所述第二次曝光，所述透视屏用于控制光的透过率。
[0007]在本专利技术的实施例中，上述透视屏包括第一基板、第二基板以及设置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述第一基板和/或所述第二基板上设有驱使液晶分子偏转的电路层。
[0008]在本专利技术的实施例中，上述透镜组包括梯形镜、凹面镜和凸面镜，所述梯形镜与所述掩膜板的出光面相对设置，所述凸面镜设置于所述梯形镜与所述凹面镜之间，光线经所述梯形镜、所述凹面镜、所述凸面镜、所述凹面镜、所述梯形镜依次反射后进行所述第一次曝光。
[0009]在本专利技术的实施例中，上述曝光系统还包括第一遮光器件和第二遮光器件，所述第一遮光器件设置在所述第一次曝光的光路上，所述第一遮光器件用于导通或阻断曝光光路，所述第二遮光器件设置在所述第二次曝光的光路上，所述第二遮光器件用于导通或阻断曝光光路。
[0010]在本专利技术的实施例中，上述半透镜的透过率大于或等于80％，所述半透镜的反射率小于或等于20％。
[0011]本专利技术还涉及一种曝光方法，所述方法利用上述的曝光系统，所述方法包括：
[0012]控制所述光源组件发出光线，光线依次经过所述半透镜、所述弧形镜组、所述掩膜板、所述透镜组后对待曝光的基板进行第一次曝光；
[0013]利用所述半透镜将光反射至所述全反射镜，利用所述全反射镜反射的光对所述基板进行第二次曝光。
[0014]在本专利技术的实施例中，上述方法还包括：
[0015]将透视屏设置于所述第二次曝光的光路上，利用所述透视屏遮挡光线，控制所述透视屏的透过率。
[0016]在本专利技术的实施例中，上述方法还包括：
[0017]将第一遮光器件设置在所述第一次曝光的光路上，将第二遮光器件设置在所述第二次曝光的光路上，所述第一遮光器件用于导通或阻断曝光光路，所述第二遮光器件用于导通或阻断曝光光路；
[0018]当对所述基板进行所述第一次曝光时，控制所述第一遮光器件导通光路，控制所述第二遮光器件阻断光路；
[0019]当对所述基板进行所述第二次曝光时，控制所述第一遮光器件阻断光路，控制所述第二遮光器件导通光路。
[0020]本专利技术的曝光系统可对基板进行两次不同光量的曝光，第一次对基板进行正常光量的曝光，完成曝光后再对基板进行第二次曝光，对基板上的图像进行塑形，有利于提高图像线宽关键尺寸(CD)的均一性以及品质系统管控指标(SPC CPK)，提升了产品良率。
附图说明
[0021]图1是本专利技术的曝光系统的结构示意图。
[0022]图2是本专利技术的曝光系统对基板第一次曝光时的示意图。
[0023]图3是本专利技术的曝光系统对基板第二次曝光时的示意图。
[0024]图4是对曝光后的基板进行显影后的示意图。
具体实施方式
[0025]本专利技术提供了一种曝光系统。
[0026]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0027]为了便于本领域技术人员的理解，本专利技术通过以下实施例对本专利技术提供的技术方案的具体实现过程进行说明。
[0028]图1是本专利技术的曝光系统的结构示意图，图2是本专利技术的曝光系统对基板第一次曝光时的示意图，图3是本专利技术的曝光系统对基板第二次曝光时的示意图，图4是对曝光后的基板进行显影后的示意图，如图1至图4所示，曝光系统包括光源组件11、半透镜12、全反射镜13、弧形镜组14、掩膜板15和透镜组16，光源组件11发出的光依次经过半透镜12、弧形镜组14、掩膜板15、透镜组16后进行第一次曝光，全反射镜13与半透镜12相对设置，半透镜12可将光反射至全反射镜13，全反射镜13反射的光实现第二次曝光。
[0029]本专利技术的曝光系统可对基板进行两次不同光量的曝光，第一次对基板进行正常光
量的曝光，完成曝光后再对基板进行第二次曝光，对基板上的图像进行塑形，有利于提高图像线宽关键尺寸(CD)的均一性以及品质系统管控指标(SPC CPK)，提升了产品良率。
[0030]进一步地，全反射镜13与掩膜板15错开设置，全反射镜13反射的光未经过掩膜板15和透镜组16。
[0031]进一步地，曝光系统还包括透视屏17，透视屏17与全反射镜13相对设置，全反射镜13反射的光经过透视屏17后实现第二次曝光，透视屏17用于控制光的透过率。在本实施例中，透视屏17通过控制光的透过率，进而控制曝光能量，保证第二次曝光能量为第一次曝光能量的0％～10％，实现图像塑形功能，例如图像线宽的关键尺寸(CD)微调至1um以内。
[0032]进一步地，透视屏17包括第一基板、第二基板以及设置于第一基板与第二基板之间的液晶层，第一基板和/或第二基板上设有驱使液晶分子偏转的电路层。在本实施例中，第一基板和第二基板为透明基板，例如为玻璃板或透明塑胶板，根据实际需要可自由选择。
[0033]进一步地，透镜组16包括梯形镜161、凹面镜162和凸面镜163，梯形镜161与掩膜板15的出光面相对设置，凸面镜163设置于梯形镜161与凹面镜162之间，光线经梯形镜161、凹面镜162、凸面镜163、凹面镜162、梯形镜161依次反射后进行第一次曝光。
[0034]进一步地，曝光系统还包括第一遮光器件(图未示)和第二遮光器件(图未示)，第一遮光器件设置在第一次曝光的光路上，第一遮光器件用于导通或阻断曝光光路，第二遮光器件设置在第二次曝光的光路上，第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光系统，其特征在于，包括光源组件、半透镜、全反射镜、弧形镜组、掩膜板和透镜组，所述光源组件发出的光依次经过所述半透镜、所述弧形镜组、所述掩膜板、所述透镜组后进行第一次曝光，所述全反射镜与所述半透镜相对设置，所述半透镜可将光反射至所述全反射镜，所述全反射镜反射的光实现第二次曝光。2.如权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述全反射镜与所述掩膜板错开设置，所述全反射镜反射的光未经过所述掩膜板和所述透镜组。3.如权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述曝光系统还包括透视屏，所述透视屏与所述全反射镜相对设置，所述全反射镜反射的光经过所述透视屏后实现所述第二次曝光，所述透视屏用于控制光的透过率。4.如权利要求3所述的曝光系统，其特征在于，所述透视屏包括第一基板、第二基板以及设置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述第一基板和/或所述第二基板上设有驱使液晶分子偏转的电路层。5.如权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述透镜组包括梯形镜、凹面镜和凸面镜，所述梯形镜与所述掩膜板的出光面相对设置，所述凸面镜设置于所述梯形镜与所述凹面镜之间，光线经所述梯形镜、所述凹面镜、所述凸面镜、所述凹面镜、所述梯形镜依次反射后进行所述第一次曝光。6.如权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述曝光系统还包括第一遮光器件和第二遮光器件，所述第一遮光器件设...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪杰，杨莉，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：