量子点基板的制作方法以及量子点基板技术

本申请实施例公开了一种量子点基板的制作方法以及量子点基板，量子点基板的制作方法包括以下步骤：提供基材，基材上设有沉积槽、第一电极和第二电极，第一电极设于沉积槽的底部，第一电极和第二电极绝缘设置；将具有量子点的量子点溶液添加至沉积槽内；对第一电极和第二电极施加电压，使得第一电极和第二电极之间形成电场，电场使量子点沉积于第一电极，从而在第一电极上形成量子点层。本申请可以解决由于打印精度低而导致难以采用喷墨打印技术制备大面积的量子点薄膜的技术问题。制备大面积的量子点薄膜的技术问题。制备大面积的量子点薄膜的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
量子点基板的制作方法以及量子点基板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种量子点基板的制作方法以及量子点基板。

技术介绍

[0002]作为一种新型的纳米荧光材料，量子点(Quantum dots，QD)具有光谱随尺寸可调、发射峰半波宽窄、斯托克斯位移大、激发效率高等一系列独特的光学性能，从而可以赋予显示器更宽广的色域。
[0003]喷墨打印(Ink
‑
jet Print，IJP)技术是一种应用广泛、比较直接的技术，可以实现材料的有效利用，形成单独的像素点和打印器件的柔性设计。目前喷墨打印技术遇到的最大挑战是面对高分辨率显示时获得单个极小而稳定的液滴，并且干燥后形成均一的像素点。
[0004]采用喷墨打印技术制作量子点薄膜时，由于量子点溶液具有流体特性，所喷涂的量子点溶液会流动，导致打印精度下降，难以制备大面积的量子点薄膜。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种量子点基板的制作方法以及量子点基板，可以解决由于打印精度低而导致难以采用喷墨打印技术制备大面积的量子点薄膜的技术问题。
[0006]本申请实施例提供一种量子点基板的制作方法，包括以下步骤：
[0007]提供基材，所述基材上设有沉积槽、第一电极和第二电极，所述第一电极设于所述沉积槽的底部，所述第一电极和所述第二电极绝缘设置；
[0008]将具有量子点的量子点溶液添加至所述沉积槽内；
[0009]对所述第一电极和所述第二电极施加电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电场，所述电场使所述量子点沉积于所述第一电极，从而在所述第一电极上形成量子点层。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述提供基材的步骤具体包括：
[0011]提供基片，在所述基片上形成堤坝，所述堤坝在所述基片上围合出凹槽；
[0012]形成设于所述凹槽的底部的所述第一电极以及设于所述堤坝上的所述第二电极，所述第二电极开设有第一开口；
[0013]在所述第二电极上形成阻隔层，所述阻隔层开设有第二开口，所述凹槽、所述第一开口和所述第二开口依次连通形成所述沉积槽，从而得到所述基材。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述形成设于所述凹槽的底部的所述第一电极以及设于所述堤坝上的所述第二电极的步骤具体包括：
[0015]在所述基片和所述堤坝上形成导电层；
[0016]对所述导电层进行图案化处理，从而获得设于所述凹槽的底部的所述第一电极以及设于所述堤坝上的所述第二电极。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述基材设有多个所述沉积槽，每一所述沉积槽具有对应的所述第一电极和所述第二电极。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，在所述第一电极上形成所述量子点层的步骤后，所述量子点基板的制作方法还包括以下步骤：
[0019]对所述基材和所述量子点层进行清洗处理。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，在所述对所述基材和所述量子点层进行清洗处理的步骤后，所述量子点基板的制作方法还包括以下步骤：
[0021]对所述量子点层进行加热处理。
[0022]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点溶液包括含量为0.01wt％～80wt％的量子点组合物和含量为20wt％～99.9wt％溶剂，其中，所述量子点组合物包括所述量子点和配体。
[0023]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点溶液中的所述量子点的浓度为1毫克/毫升～350毫克/毫升。
[0024]可选的，在本申请的一些实施例中，通过电泳沉积的方式将所述量子点沉积于所述第一电极时，所述沉积槽内的电场强度为5
×
105伏/米～4
×
107伏/米。
[0025]本申请实施例还提供一种量子点基板，包括：
[0026]基片；
[0027]堤坝，设于所述基片上，所述堤坝在所述基片上围合出凹槽；
[0028]第一电极，设于所述凹槽的底部；
[0029]第二电极，设于所述堤坝上，所述第二电极开设有与所述凹槽连通的第一开口；以及
[0030]阻隔层，设于所述第二电极上，所述阻隔层开设有与所述第一开口连通的第二开口，所述第二开口至少裸露部分所述第二电极。
[0031]本申请实施例的量子点基板的制作方法以及量子点基板，通过在基材上设置沉积槽，当采用喷墨打印的方式将量子点溶液添加至沉积槽内时，沉积槽可以限定量子点溶液的流动，有利于保证打印精度；此外，本申请实施例的基材还设有位于沉积槽底部的第一电极以及至少部分延伸至沉积槽内的第二电极，通过电泳沉积的方式将量子点沉积于第一电极，从而在第一电极上形成量子点层，进一步保证量子点层的成膜精度，有利于大面积且高效地制备高分辨率量子点层。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1是本申请实施例提供的量子点基板的制作方法的流程示意图；
[0034]图2是本申请实施例提供的基材的立体结构示意图；
[0035]图3是本申请实施例提供的基材的剖视结构示意图；
[0036]图4是本申请实施例提供的在基材的沉积槽内设置量子点溶液的剖视结构示意
图；
[0037]图5是本申请实施例提供的在基材的沉积槽内设置量子点溶液并对第一电极和第二电极施加电压的立体结构示意图；
[0038]图6是本申请实施例提供的在基材的第一电极上形成量子点层的剖视结构示意图；
[0039]图7是本申请实施例提供的设有堤坝的基片的立体结构示意图；
[0040]图8是本申请实施例提供的设有堤坝的基片的剖视结构示意图；
[0041]图9是本申请实施例提供的设有堤坝和导电层的基片的剖视结构示意图；
[0042]图10是本申请实施例提供的设有堤坝、第一电极和第二电极的基片的立体结构示意图；
[0043]图11是本申请实施例提供的设有堤坝、第一电极和第二电极的基片的剖视结构示意图；
[0044]图12是本申请实施例提供的设有堤坝、第一电极、第二电极和阻隔材料层的基片的剖视结构示意图。
具体实施方式
[0045]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0046]本申请实施例提供一种量子点基板的制作方法以及量子点基板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基材，所述基材上设有沉积槽、第一电极和第二电极，所述第一电极设于所述沉积槽的底部，所述第一电极和所述第二电极绝缘设置；将具有量子点的量子点溶液添加至所述沉积槽内；对所述第一电极和所述第二电极施加电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电场，所述电场使所述量子点沉积于所述第一电极，从而在所述第一电极上形成量子点层。2.根据权利要求1所述的量子点基板的制作方法，其特征在于，所述提供基材的步骤具体包括：提供基片，在所述基片上形成堤坝，所述堤坝在所述基片上围合出凹槽；形成设于所述凹槽的底部的所述第一电极以及设于所述堤坝上的所述第二电极，所述第二电极开设有第一开口；在所述第二电极上形成阻隔层，所述阻隔层开设有第二开口，所述凹槽、所述第一开口和所述第二开口依次连通形成所述沉积槽，从而得到所述基材。3.根据权利要求2所述的量子点基板的制作方法，其特征在于，所述形成设于所述凹槽的底部的所述第一电极以及设于所述堤坝上的所述第二电极的步骤具体包括：在所述基片和所述堤坝上形成导电层；对所述导电层进行图案化处理，从而获得设于所述凹槽的底部的所述第一电极以及设于所述堤坝上的所述第二电极。4.根据权利要求1所述的量子点基板的制作方法，其特征在于，所述基材设有多个所述沉积槽，每一所述沉积槽具有对应的所述第一电极和所述第二电极。5.根据权利要求1所述的量子点基板的制作方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：石志清，赵金阳，陈黎暄，段淼，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：