电子器件、电子器件的制造方法和蒸镀掩模组技术

本发明专利技术涉及电子器件、电子器件的制造方法和蒸镀掩模组。电子器件的制造方法具备下述工序：准备工序，准备层积体，该层积体包含具有第1面和位于第1面的相反侧的第2面的基板、位于基板的第1面上的2个以上的第1电极、和第1电极上的有机层；第2电极形成工序，按照沿着基板的第1面的法线方向观察时重叠在2个以上的第1电极上的方式，在有机层上形成第2电极；和除去工序，将第2电极中俯视时位于第1电极之间的区域局部性除去。局部性除去。局部性除去。

【技术实现步骤摘要】
电子器件、电子器件的制造方法和蒸镀掩模组


[0001]本专利技术的实施方式涉及电子器件、电子器件的制造方法和蒸镀掩模组。

技术介绍

[0002]在智能手机、平板电脑等便携式设备中使用的显示装置优选为高清晰，例如像素密度优选为400ppi以上。另外，在便携式设备中，对于应对超高清(UHD)的需求也在提高，该情况下，显示装置的像素密度例如优选为800ppi以上。
[0003]在显示装置中，由于响应性良好、功耗低及对比度高，有机EL显示装置受到关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法，已知使用蒸镀掩模以所期望的图案形成像素或电极的方法，该蒸镀掩模形成有以所期望的图案排列的贯通孔。例如，首先，准备以与像素对应的图案形成有第1电极的基板。接着，通过蒸镀掩模的贯通孔使有机材料附着于第1电极上，在第1电极上形成发光层。接着，通过蒸镀掩模的贯通孔使导电性材料附着于发光层上，在发光层上形成第2电极。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开平9
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115672号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]作为有机EL显示装置中的第2电极的类型，可以考虑第2电极展开在基板的整个区域的类型、和按照基板上具有不存在第2电极的区域的方式形成了第2电极的类型。在后者的情况下，需要适当控制俯视时的第2电极的形状的方法。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]本专利技术的一个实施方式的电子器件的制造方法具备下述工序：准备工序，准备层积体，该层积体包含具有第1面和位于第1面的相反侧的第2面的基板、位于基板的第1面上的2个以上的第1电极、和第1电极上的有机层；第2电极形成工序，按照沿着基板的第1面的法线方向观察时在2个以上的第1电极上重叠的方式，在有机层上形成第2电极；和除去工序，将第2电极中俯视时不与第1电极重叠的区域局部性除去。
[0011]专利技术效果
[0012]根据本专利技术，能够适当控制俯视时的第2电极的形状。
附图说明
[0013]图1是示出本专利技术的一个实施方式的电子器件的一例的截面图。
[0014]图2是将图1的电子器件放大示出的截面图。
[0015]图3是将图1的电子器件放大示出的俯视图。
[0016]图4A是将图2的电子器件进一步放大示出的截面图。
[0017]图4B是将图4A的第2电极放大示出的截面图。
[0018]图4C是用于说明第2电极的厚度的平均值的计算方法的图。
[0019]图4D是示出第2电极的一例的俯视图。
[0020]图5是示出形成有第1电极的状态的基板的一例的截面图。
[0021]图6是示出形成有第1电极的状态的基板的一例的俯视图。
[0022]图7是示出形成有第1电极和有机层的状态的基板的一例的截面图。
[0023]图8是示出形成有第1电极和有机层的状态的基板的一例的俯视图。
[0024]图9是示出形成第1有机层的工序的一例的截面图。
[0025]图10是示出形成第2有机层的工序的一例的截面图。
[0026]图11是示出形成第2有机层的工序的一例的截面图。
[0027]图12是示出形成第2电极的工序的一例的截面图。
[0028]图13是示出形成第2电极的工序的一例的俯视图。
[0029]图14是示出将第2电极局部性除去的工序的一例的截面图。
[0030]图15是示出对第2电极照射激光的工序的一例的图。
[0031]图16是示出包含脉冲的激光的一例的图。
[0032]图17是示出本专利技术的一个实施方式的电子器件的一例的截面图。
[0033]图18A是将图17的电子器件的元件进一步放大示出的截面图。
[0034]图18B是示出图17的电子器件的元件的一例的截面图。
[0035]图19是示出形成有绝缘层和第1电极的状态的基板的一例的截面图。
[0036]图20是示出形成有绝缘层和第1电极的状态的基板的一例的俯视图。
[0037]图21是示出形成有绝缘层、第1电极和有机层的状态的基板的一例的截面图。
[0038]图22是示出形成第2电极的工序的一例的截面图。
[0039]图23是示出将第2电极局部性除去的工序的一例的截面图。
[0040]图24A是示出本专利技术的一个实施方式的电子器件的一例的截面图。
[0041]图24B是示出本专利技术的一个实施方式的电子器件的一例的截面图。
[0042]图25是示出本专利技术的一个实施方式的电子器件的一例的截面图。
[0043]图26是示出形成有绝缘层和第1电极的状态的基板的一例的截面图。
[0044]图27是示出形成第2电极的工序的一例的截面图。
[0045]图28是示出将第2电极局部性除去的工序的一例的截面图。
[0046]图29是示出第1蒸镀掩模的一例的俯视图。
[0047]图30是示出第2蒸镀掩模的一例的俯视图。
[0048]图31是示出第3蒸镀掩模的一例的俯视图。
[0049]图32是示出掩模层积体的一例的俯视图。
[0050]图33是示出通过使用图29～31的蒸镀掩模而形成的有机层的俯视图。
[0051]图34是示出在图33的有机层上形成的第2电极的一例的俯视图。
[0052]图35是示出形成于第2电极的第2电极开口的一例的俯视图。
[0053]图36是沿着XXXVI
‑
XXXVI线观察图35的电子器件的截面图。
[0054]图37是示出本专利技术的一个实施方式的电子器件的一例的俯视图。
[0055]图38是将图37的电子器件的第2显示区域放大示出的俯视图。
[0056]图39是示出第1显示区域的一例的俯视图。
[0057]图40是示出第2显示区域的一例的俯视图。
[0058]图41是示出第2显示区域的有机层的一例的俯视图。
具体实施方式
[0059]在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，“基板”、“基材”、“板”、“片”或“膜”等表示成为某一结构的基础的物质的用语并非仅基于称呼的不同而相互区分。
[0060]在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于限定形状、几何学条件以及它们的程度的例如“平行”、“正交”等用语或长度、角度的值等，不限于严格的含义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来解释。
[0061]在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在某个部件或某个区域等某一结构处于其他部件或其他区域等其他结构的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包括某一结构与其他结构直接接触的情况。此外，还包括在某一结构与其他结构之间包含另外的结构的情况、即间接接触的情况。只要没有特别说明，“上”、“上侧”、“上方”或者“下”、“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件的制造方法，其具备下述工序：准备工序，准备层积体，该层积体包含具有第1面和位于所述第1面的相反侧的第2面的基板、位于所述基板的所述第1面上的2个以上的第1电极、和所述第1电极上的有机层；第2电极形成工序，按照沿着所述基板的所述第1面的法线方向观察时与2个以上的所述第1电极重叠的方式，在所述有机层上形成第2电极；和除去工序，将所述第2电极中俯视时不与所述第1电极重叠的区域局部性除去。2.如权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中，除去工序将所述第2电极中俯视时位于所述第1电极之间的区域局部性除去。3.如权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中，所述除去工序包括对所述第2电极照射激光而形成第2电极开口的照射工序。4.如权利要求3所述的电子器件的制造方法，其中，所述照射工序包括通过激光掩模的贯通孔对所述第2电极照射激光而形成第2电极开口的工序。5.如权利要求3所述的电子器件的制造方法，其中，所述第2电极包含面向所述第2电极开口的侧面，所述第2电极的所述侧面的高度大于所述第2电极中俯视时与所述第1电极重叠的区域的厚度。6.如权利要求5所述的电子器件的制造方法，其中，所述第2电极的所述侧面的高度为所述第2电极中俯视时与所述第1电极重叠的区域的厚度的1.1倍以上。7.如权利要求3～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其具备形成俯视时与所述第2电极和所述第2电极开口重叠的保护层的工序。8.如权利要求3～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述照射工序包括对所述有机层中俯视时与所述第2电极开口重叠的区域照射激光而形成有机层开口的工序。9.如权利要求8所述的电子器件的制造方法，其中，所述有机层的面向所述有机层开口的侧面的宽度为2.0μm以下。10.如权利要求1～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述层积体的所述有机层包含在俯视时不与所述第1电极重叠的位置处相互重叠的第1有机层和第2有机层，所述除去工序包含将相互重叠的所述第1有机层和所述第2有机层至少局部性除去的工序。11.如权利要求1～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述层积体包含俯视时位于相邻的2个所述有机层之间的有机层开口，所述第2电极形成工序按照俯视时所述第2电极与所述有机层和所述有机层开口重叠的方式形成所述第2电极，所述除去工序将所述第2电极中俯视时与所述有机层开口重叠的区域局部性除去。12.如权利要求1～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述层积体包含俯视时位于所述第1电极之间的绝缘层。13.如权利要求12所述的电子器件的制造方法，其中，所述除去工序包括将所述绝缘层局部性除去的工序。14.如权利要求1～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述准备工序包括通过蒸镀掩模的贯通孔将所述有机层的材料蒸镀到所述第1电极上的工序。
15.一种电子器件，其具备：具有第1面和位于所述第1面的相反侧的第2面的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：池永知加雄，井上功，中村阳子，
申请(专利权)人：大日本印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：