半导体装置制造方法及图纸

半导体装置(1)具备：安装基板(20)；以及半导体元件(10)，隔着金属凸块(30)被配置在安装基板(20)，半导体元件(10)，具有半导体层叠结构(11)以及第1电极，安装基板(20)，具有第2电极，金属凸块(30)具有与半导体元件(10)的第1电极相接的第1层(31)、以及位于该第1电极的相反侧的第2层(32)，构成第1层(31)的结晶的平均结晶粒径，比构成第2层(32)的结晶的平均结晶粒径大，第2层(32)位于与半导体元件(10)的第1电极隔开的位置。电极隔开的位置。电极隔开的位置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请是申请日为2018年12月20日的PCT/JP2018/047041进入中国国家阶段的中国专利申请No.201880088260.5的分案申请。


[0002]本公开涉及半导体装置，尤其涉及通过金属凸块接合了半导体元件与安装基板的半导体装置。

技术介绍

[0003]LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等半导体发光元件，作为各种设备的光源而被利用。例如，LED被用于DRL(Daytime Running Lights：日间行车灯)以及HL(Head Lamp：前照灯)等车载用照明装置的车载光源。尤其是使用光输出为1W以上的高功率LED的车载光源的市场发展，Halogen(卤素)灯或HID(High
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Intensity Discharge：高强度气体放电)灯的LED化迅速扩大。
[0004]关于车载光源，对节省空间以及提高设计性的要求高涨，所以LED向小型化、高电流化、集成化的方向发展。因此在确保LED的可靠性时，如何对LED产生的热进行散热成为关键。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置具备：安装基板；以及半导体元件，隔着金属凸块被配置在所述安装基板，所述半导体元件，具有半导体层叠结构以及第1电极，所述安装基板，具有第2电极，所述第1电极，由包含障壁电极的层叠结构来构成，被配置在与所述障壁电极在厚度方向上重叠的位置的所述金属凸块是单一形成的部件，所述金属凸块包含与所述第2电极相接的第2层、位于所述第2电极的相反侧的第1层、以及位于所述第1层与所述第2层之间的过渡区域，构成所述第2层的结晶的平均结晶粒径，比构成所述第1层的结晶的平均结晶粒径大，关于所述过渡区域的平均结晶粒径，随着从所述第1层侧朝向所述第2层侧，从所述第1层的平均结晶粒径逐渐接近于所述第2层的平均结晶粒径，所述第1层位于与所述第2电极隔开的位置。2.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体层叠结构具有基板、和从所述基板侧依次层叠的第1导电型半导体层、活性层以及第2导电型半导体层。3.一种半导体装置，所述半导体装置具备：安装基板；以及发光二极管芯片，隔着由金而成的金属凸块被配置在所述安装基板，所述发光二极管芯片具有半导体层叠结构以及第1电极，所述半导体层叠结构具有基板、和从所述基板侧依次层叠的第1导电型半导体层、活性层以及第2导电型半导体层，所述第1电极与所述第2导电型半导体层相接配置，所述安装基板，具有由陶瓷而成的基板和第2电极，所述金属凸块具有与所述第2电极相接的第2层、以及位于所述第2电极的相反侧的第1层，构成所述第2层的结晶的平均结晶粒径，比构成所述第1层的结晶的平均结晶粒径大，所述第1层位于与所述第2电极隔开的位置，在将所述第1层的水平方向的平均结晶粒径设定为r11、将所述第1层的高度方向的平均结晶粒径设定为r12、将所述第2层的水平方向的平均结晶粒径设定为r21、将所述第2层的高度方向的平均结晶粒径设定为r22时，满足r11<r12、r21>r22、r12/r11<...

【专利技术属性】
技术研发人员：广木均典，林茂生，中岛健二，福久敏哉，政元启明，山田笃志，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：