静态随机存取存储元件的制作方法技术

本发明专利技术公开一种静态随机存取存储元件的制作方法，其步骤包含在一存储单元上形成两个作为载入晶体管的P通道栅、两个作为驱动晶体管的N通道栅、以及两个作为存取晶体管的N通道栅。在一虚置单元上形成至少一第一虚置栅，该第一虚置栅位于该基底上并邻近其中一该作为存取晶体管的N通道栅。在该存储单元上形成一位线节点，该位线节点位于该第一虚置栅与该作为存取晶体管的N通道栅之间。在该虚置单元上形成一金属层电连接至该第一虚置栅以及一接地电压。以及在该虚置单元上形成一第二虚置栅，该第二虚置栅邻近该第一虚置栅，且该第二虚置栅与其中一该作为载入晶体管的P通道栅以及该作为驱动晶体管的N通道栅以该位线节点为中心对称。中心对称。中心对称。

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储元件的制作方法
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201710849991.4，申请日：2017年09月20日，专利技术名称：静态随机存取存储元件)的分案申请。


[0002]本专利技术涉及集成电路元件的领域，特别是涉及鳍式场效晶体管的静态随机存取存储单元及其制作方法。

技术介绍

[0003]集成电路的功能与效能在过去的四十年间有着爆炸性的成长。在集成电路的演进中，电路的功能密度(即每芯片区域中互连元件的数量)一般会随着图形尺寸(即制作工艺所能制作出的最小部件或是线结构)的缩小而增长。电路尺寸的微缩有益于增加生产效率并降低相关成本，但同时也会增加IC制作以及制作工艺的复杂度。一般的互补式金属氧化物半导体IC元件中会有两种主要的组成部件，亦即晶体管与导线。经由尺寸的微缩，晶体管的效能与密度都能获得改善得以如前述般增进IC的效能与功能性。然而，将晶体管彼此互联的导线(互连结构)却会因尺寸微缩的关系而劣化。因此在现今的IC电路中是导线对于IC的效能、功能性以及功耗有主要的影响。
[0004]为增进功能密度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储元件的制作方法，包含：提供基底，其上界定有存储单元以及邻近该存储单元的虚置单元；在该存储单元上形成两个作为载入晶体管的P通道栅、两个作为驱动晶体管的N通道栅、以及两个作为存取晶体管的N通道栅；在该虚置单元上形成至少一第一虚置栅，该第一虚置栅位于该基底上并邻近其中一该作为存取晶体管的N通道栅，其中该第一虚置栅与该作为存取晶体管的N通道栅跨过主动区域；在该存储单元上形成位线节点，该位线节点位于该第一虚置栅与该作为存取晶体管的N通道栅之间，其中该位线节点电连接至该主动区域；在该虚置单元上形成金属层，该金属层电连接至该第一虚置栅，其中该第一虚置栅经由该金属层电连接至接地电压；以及在该虚置单元上形成第二虚置栅，该第二虚置栅位于该基底上并邻近该第一虚置栅，其中该第二虚置栅与其中一该作为载入晶体管的P通道栅以及该作为驱动晶体管的N通道栅以该位线节点为中心对称。2.如权利要求1所述的静态随机存取存储元件的制作方法，还包含形成第一导体图形与第二导体图形，其中该第一导体图形与该第二导体图形分别位于该第一虚置栅与该作为存取晶体管的N通道栅上，且该第一导体图形与第二导体图形以该位线节点为中心对称。3.如权利要求2所述的静态随机存取存储元件的制作方法，还包含形成导孔电连接该第一导体图形与该金属层。4.如权利要求1所述的静态随机存取存储元件的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄莉萍，黄俊宪，郭有策，龙镜丞，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：