用于处理基板的设备和方法技术

公开了一种基板处理设备，包括：转位模块，包括多个装载端口以及传送框架，在每个装载端口上放置其中容纳基板的载体，在所述传送框架中安装传送所述基板的转位机器人；与所述转位模块连接的处理模块，所述处理模块包括处理腔室，在每个处理腔室中处理所述基板；以及基板处理单元，其设置在所述转位模块中并且处理所述基板，所述基板处理单元沿着布置所述多个装载端口的方向设置。载端口的方向设置。载端口的方向设置。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的设备和方法


[0001]本文描述的专利技术构思的实施例涉及基板处理设备和方法，并且更具体地涉及用于使用等离子体处理基板的设备和方法。

技术介绍

[0002]工业上使用的等离子体可分为低温等离子体和热等离子体。低温等离子体在半导体制造过程中使用最广泛，并且热等离子体应用于金属切割。
[0003]大气等离子体是指在将气体的压力维持在100Torr至大气压(760Torr)的范围内时产生低温等离子体的技术。大气等离子体系统是经济的，因为它不需要昂贵的真空设备。此外，大气等离子体系统能够以直排形式执行处理而无需泵送。因此，能够开发出能够使生产率最大化的等离子体系统。大气等离子体系统用于各种应用领域，诸如高速蚀刻和涂覆技术、半导体封装、显示、材料的表面改性和涂覆、纳米颗粒的产生、有害气体的去除、氧化性气体的产生等。
[0004]用于产生大气等离子体的线性等离子体产生设备可以通过一条气体供应管线仅施加预定的流量和预定的混合比，并且可以在沿垂直于等离子体产生设备的长度方向的方向上移动对象的同时执行等离子体处理。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理单元，包括：旋转卡盘，其上放置基板；下部电极，被设置在所述旋转卡盘上；以及等离子体产生设备，位于所述旋转卡盘上方并被配置为产生等离子体，其中所述等离子体产生设备包括：第一上部电极单元，被配置为在所述基板的整个表面上执行等离子体处理；以及第二上部电极单元，被配置为在所述基板的局部区域上执行等离子体处理。2.根据权利要求1所述的基板处理单元，其中所述第一上部电极单元包括第一反应器主体，所述第一反应器主体沿着长度方向跨所述基板呈直线型设置，并且被配置为在被配置为与所述旋转卡盘一起旋转的所述基板的表面上执行等离子体处理。3.根据权利要求1所述的基板处理单元，其中所述第一上部电极单元包括：第一反应器主体，具有沿着长度方向跨所述基板呈直线型设置的中空棒状，所述第一反应器主体在内部具有排放空间；以及喷嘴，沿着所述长度方向在所述第一反应器主体的底表面上呈直线型设置，并且被配置为将在所述排放空间中产生的等离子体喷射到放置在所述旋转卡盘上的所述基板上。4.根据权利要求3所述的基板处理单元，还包括：第一致动器，被配置为移动所述第一反应器主体使得所述第一反应器主体在所述旋转卡盘上沿着第一方向水平地移动，其中所述喷嘴的长度大于或等于所述基板的直径。5.根据权利要求3所述的基板处理单元，其中所述第二上部电极单元包括第二反应器主体，所述第二反应器主体被配置为在所述基板上方移动的同时在所述基板的表面上局部地执行等离子体处理。6.根据权利要求4所述的基板处理单元，其中所述第二反应器主体能够沿着垂直于所述第一方向的第二方向在所述第一反应器主体上移动。7.根据权利要求6所述的基板处理单元，其中所述第二反应器主体沿着安装在所述第一反应器主体的侧表面上的驱动轨道移动。8.根据权利要求5所述的基板处理单元，其中所述第二反应器主体设置在单独的移动臂上，并且在与所述移动臂一起移动的同时在所述基板的所述表面上局部地执行等离子体处理。9.根据权利要求2所述的基板处理单元，其中所述第一反应器主体包括由多个分隔壁分开的独立的排放空间，并且其中反应气体被独立地供应到所述独立的排放空间中。10.根据权利要求1所述的基板处理单元，其中所述基板处理单元附接到转位模块和从所述转位模块拆卸，并且其中所述基板处理单元是大气压等离子体处理设备。11.一种基板处理设备，包括：转位模块，包括多个装载端口和传送框架，在每个装载端口上放置其中容纳基板的载体，在所述传送框架中安装被配置为传送所述基板的转位机器人；与所述转位模块连接的处理模块，所述处理模块包括处理腔室，在每个处理腔室中处
理所述基板；以及基板处理单元，被设置成能够安装到所述转位模块和从所述转位模块拆卸，所述基板处理单元包括被配置为在所述基板上执行等离子体处理的等离子体产生设备，其中所述等离子体产生设备包括：第一上部电极单元，被配置为在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恒林，金旼永，朴志焄，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：