一类含硅快速图形化嵌段共聚物的制备和应用方法技术

本发明专利技术涉高分子材料技术领域，具体涉及一种组装尺寸和组装形貌高度可控且PDI较小的含硅快速图形化嵌段共聚物，以及该含硅快速图形化嵌段共聚物的制备方法和作为复合图形化材料的应用。本发明专利技术设计合成了一类同时具有超高分辨率、高刻蚀对比度且可在低温下快速自组装的含硅DSA快速图形化嵌段共聚物，所述含硅快速图形化嵌段共聚物不仅能够在80℃下仅通过1min退火就能形成稳定的超高纳米结构，且由于含硅组分的存在，所述含硅快速图形化嵌段共聚物还具有较高的抗刻蚀选择性。物还具有较高的抗刻蚀选择性。物还具有较高的抗刻蚀选择性。

【技术实现步骤摘要】
一类含硅快速图形化嵌段共聚物的制备和应用方法


[0001]本专利技术涉高分子材料
，具体涉及一种组装尺寸和组装形貌高度可控且PDI较小的含硅快速图形化嵌段共聚物，以及该含硅快速图形化嵌段共聚物的制备方法和作为复合图形化材料的应用。

技术介绍

[0002]集成电路(integrated circuit,IC)是信息化时代最关键的技术之一，从日常生活到工业生产，所有涉及到电子运算的器件均离不开芯片，也正是因为有了功能不断变得强大的芯片，个人计算机才变得能够集成越来越强大的功能，移动电话才能走入3G和4G的时代。在集成电路的制造中，光刻(photolithography)是举足轻重的关键技术。芯片的功能能够得到不断的提高，离不开光刻技术材料与工艺的发展。
[0003]光刻(photolithography)是利用光化学反应将掩膜(mask)上的预设图形转印至衬底(substrate)上的过程。在光刻工艺中，光刻胶(photo
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resist)是最关键的材料。入射光通过掩膜版，使掩膜版上的图形被投射到涂布在衬底上的光刻胶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含硅快速图形化嵌段共聚物，其特征在于：所述含硅快速图形化嵌段共聚物包含嵌段A和嵌段B；所述嵌段A含有单体结构单元MA1和/或MA2；所述嵌段B含有单体结构单元MB1，或所述嵌段B含有单体结构单元MB1以及MB2和/或MB3；所述MA1的结构：所述MA2的结构：所述MB1的结构：所述MB2的结构：所述MB3的结构：2.根据权利要求1所述的含硅快速图形化嵌段共聚物，其特征在于，所述MA1和MA2中的R1选自：取代或未取代的C1
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C6烷基、取代或未取代的C1
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C6烷氧基、取代或未取代的C6
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C10芳基、取代或未取代的C1
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C20硅烷基、取代或未取代的C1
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C20硅氧烷基、取代或未取代的C1
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C20锗烷基、取代或未取代的C1
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C20锗氧烷基、取代或未取代的C1
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C20锡烷基、取代或未取代的C1
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C20锡氧烷基；其中，R1中所述的取代指选自以下一个或多个取代基取代：卤素、羟基、三甲基硅烷基、三甲基硅烷基氧基、三乙氧基硅烷基、三甲基锗烷基、三甲基锗烷基氧基、三乙氧基锗烷基、三甲基锡烷基、三甲基锡烷基氧基、三乙氧基锡烷基、未取代或被羟基取代的烷基、未取代或被羟基取代的芳基。3.根据权利要求1所述的含硅快速图形化嵌段共聚物，其特征在于，所述MB1中的R2选自：无取代或卤素取代的C1
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C10直链烷基、无取代或卤素取代的C1
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C10分支烷基、无取代或卤素取代的C6
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C20环状烷基；所述MB1中的R3选自：H、卤素、取代或未取代的C1
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C6烷基、取代或未取代的C1
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C6烷氧基、取代或未取代的C6
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C10芳基；其中，R3中所述的取代指选自以下一个或多个取代基取代：卤素、羟基、三甲基硅烷基、三甲基硅烷基氧基、三乙氧基硅烷基、三甲基锗烷基、三甲基锗烷基氧基、三乙氧基锗烷基、三甲基锡烷基、三甲基锡烷基氧基、三乙氧基锡烷基、未取代或被羟基取代的烷基、未取代或被羟基取代的芳基。4.根据权利要求1所述的含硅快速图形化嵌段共聚物，其特征在于，所述MB2中的R4选自：H、取代或未取代的含1
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5个Si的硅烷基、取代或未取代的含1
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5个Ge的锗烷基、取代或未
取代的含1
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5个Sn的锡烷基、取代或未取代的C1
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C10的烷基、取代或未取代的烃氧基、取代或未取代的酯基、取代或未取代的C3
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C6的环烷基、取代或未取代的C6
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C10的芳基、取代或未取代的含1
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3个选自N、O、S的C6
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C10的杂芳基、羟基、卤素；其中，R4中所述的取代指选自以下一个或多个取代基取代：C1
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【专利技术属性】
技术研发人员：邓海，周家诺，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：