波导结构制造技术

本发明专利技术公开一种波导结构，包括介电层、多层线路层、多层绝缘层以及导体连接层。介电层具有开口。线路层配置于介电层上。绝缘层与线路层交替堆叠。导体连接层以垂直于线路层的方向覆盖开口的外壁且连接位于开口相对两侧的至少二层线路层。至少导体连接层与部分线路层于对应开口处定义出用以传递信号的空气腔。本发明专利技术提供的波导结构，其具有用以传递信号的空气腔，可降低信号传递时的能量耗损，且具有较高的平均功率容量，以及不受空气腔外的介质材料的影响。料的影响。料的影响。

【技术实现步骤摘要】
波导结构


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构，且尤其是涉及一种波导结构。

技术介绍

[0002]目前的基板整合波导(Substrate Integrated Waveguide，SIW)结构常用于高频电路，其中以剖面观之，基板整合波导是由介质材料、位于介质材料相对两表面的上、下金属面以及贯穿介质材料且连接至上、下金属面的铜柱所组成。然而，上述的结构中，上、下金属面及铜柱所包覆的介质材料会造成信号传递时能量的损耗，尤其是愈高频时损耗愈大。因此，在介质材料的选择上往往受限于损耗系数(Dissipation Factor,Df)，易增加电路实现成本。

技术实现思路

[0003]本专利技术是针对一种波导结构，其具有用以传递信号的空气腔，可降低信号传递时的能量耗损，且具有较高的平均功率容量(Average power handling)，以及不受空气腔外的介质材料的影响。
[0004]根据本专利技术的实施例，波导结构包括介电层、多层线路层、多层绝缘层以及导体连接层。介电层具有开口。线路层配置于介电层上。绝缘层与线路层交替堆叠。导体连接层以垂直于线路层的方向覆盖开口的外壁且连接位于开口相对两侧的至少二层线路层。至少导体连接层与部分线路层于对应开口处定义出用以传递信号的空气腔。
[0005]在根据本专利技术的实施例的波导结构中，上述的介电层具有彼此相对的第一表面与第二表面。线路层包括第一内层线路层、第二内层线路层、第一增层线路层与第二增层线路层。绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层。导体连接层连接第一内层线路层与第二内层线路层。
[0006]在根据本专利技术的实施例的波导结构中，上述的第一内层线路层配置于介电层的第一表面上。第一绝缘层位于第一增层线路层与第一内层线路层之间。第一绝缘层具有连通开口的第一开口。第二内层线路层配置于介电层的第二表面上。第二绝缘层位于第二增层线路层与第二内层线路层之间。第二绝缘层具有连通开口的第二开口。第一开口的内壁与第二开口的内壁切齐导体连接层。第一增层线路层延伸覆盖第一开口，而第二增层线路层延伸覆盖第二开口。部分第一增层线路层、第一开口的内壁、导体连接层、第二开口的内壁以及部分第二增层线路层定义出空气腔。
[0007]在根据本专利技术的实施例的波导结构中，上述的波导结构还包括：多个导电通孔，配置于空气腔的相对两侧，且贯穿第一增层线路层、第一绝缘层、第一内层线路层、介电层、第二内层线路层、第二绝缘层以及第二增层线路层。导电通孔电连接第一增层线路层、第一内层线路层、第二内层线路层以及第二增层线路层。
[0008]在根据本专利技术的实施例的波导结构中，上述的第一绝缘层与第二绝缘层分别位于介电层的第一表面与第二表面上。第一增层线路层与第二增层线路层分别覆盖第一绝缘层
与第二绝缘层。第一绝缘层延伸覆盖开口的第一部分位于第一内层线路层与第一增层线路层之间。第二绝缘层延伸覆盖开口的第二部分位于第二内层线路层与第二增层线路层之间。部分第一增层线路层、部分第二增层线路层以及导体连接层定义出空气腔。
[0009]在根据本专利技术的实施例的波导结构中，上述的第一绝缘层位于第一增层线路层与第一内层线路层之间。第二绝缘层位于第二增层线路层与第二内层线路层之间。第二增层线路层覆盖介电层的第二表面且具有连通开口的耦合开口。导体连接层连接第一内层线路层、第一增层线路层以及第二增层线路层。
[0010]在根据本专利技术的实施例的波导结构中，上述的线路层还包括第三增层线路层，而绝缘层还包括第三绝缘层。第三绝缘层覆盖第二增层线路层，而第三增层线路层覆盖部分第三绝缘层。第二增层线路层、第三绝缘层与第三增层线路层定义出微带线部。
[0011]在根据本专利技术的实施例的波导结构中，上述的波导结构还包括：多个导电通孔，配置于空气腔的周围，且贯穿第一增层线路层、第一绝缘层、第一内层线路层、第二内层线路层以及第二绝缘层。导电通孔电连接第一增层线路层、第一内层线路层、第二内层线路层以及第二增层线路层。
[0012]在根据本专利技术的实施例的波导结构中，上述的波导结构还包括：馈入部以及保护层。馈入部贯穿第三绝缘层且穿过耦合开口而电连接第一内层线路层与第三增层线路层。保护层包覆馈入部的周围表面，其中馈入部通过保护层电性绝缘于第二增层线路结构。
[0013]在根据本专利技术的实施例的波导结构中，上述的波导结构还包括：天线组件，包括至少一天线元件。绝缘层还包括第三绝缘层，且第三绝缘层覆盖第二增层线路层且具有连通开口与耦合开口的绝缘开口。天线组件覆盖第三绝缘层，且天线元件对应绝缘开口设置。导体连接层连接第一内层线路层、第一增层线路层、第二内层线路层以及第二增层线路层。
[0014]基于上述，本专利技术的波导结构包括介电层、多层线路层、多层绝缘层以及导体连接层，其中介电层、多层线路层及多层绝缘层可视为是多层电路板，且至少导体连接层与部分线路层于对应介电层的开口处可定义出用以传递信号的空气腔。通过空气腔的设计，可降低信号传递时的能量耗损。因此，本专利技术的波导结构除了具有低耗损之外，亦具有较高的平均功率容量，且不受空气腔之外的介质材料的影响。
附图说明
[0015]图1A是本专利技术的一实施例的一种波导结构的俯视示意图；
[0016]图1B是沿图1A的线A-A的剖面示意图；
[0017]图1C是沿图1A的线A
’-
A
’
的剖面示意图；
[0018]图2是本专利技术的另一实施例的一种波导结构的剖面示意图；
[0019]图3A是本专利技术的另一实施例的一种波导结构的局部俯视示意图；
[0020]图3B是沿图3A的线B-B的剖面示意图；
[0021]图3C是沿图3A的线C-C的剖面示意图；
[0022]图4A是本专利技术的另一实施例的一种波导结构的局部俯视示意图；
[0023]图4B是沿图4A的线D-D的剖面示意图；
[0024]图4C是沿图4A的线E-E的剖面示意图；
[0025]图5A是本专利技术的另一实施例的一种波导结构的局部俯视示意图；
[0026]图5B是沿图5A的线F-F的剖面示意图。
[0027]附图标记说明
[0028]100a、100c、100d、100e、100f:波导结构；
[0029]110a、110c、110d、110e:介电层；
[0030]111a、110c:第一表面；
[0031]112a、112d、112e:开口；
[0032]113a、113c、113d、113e:第二表面；
[0033]120a、120d、120e:线路层；
[0034]122a、122c、122d、122e、122f:第一内层线路层；
[0035]124a、124c、124d、124e、124f:第二内层线路层；
[0036]126a、126c、126d、126e、126f:第一增层线路层；
[0037]128a、128c、128d、1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种波导结构，其特征在于，包括：介电层，具有开口；多层线路层，配置于所述介电层上；多层绝缘层，与所述多层线路层交替堆叠；以及导体连接层，以垂直于所述多层线路层的方向覆盖所述开口的外壁且连接位于所述开口相对两侧的所述多层线路层至少其中二个，其中至少所述导体连接层与部分所述多层线路层于对应所述开口处定义出用以传递信号的空气腔。2.根据权利要求1所述的波导结构，其特征在于，所述介电层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述多层线路层包括第一内层线路层、第二内层线路层、第一增层线路层与第二增层线路层，而所述多层绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层，所述导体连接层连接所述第一内层线路层与所述第二内层线路层。3.根据权利要求2所述的波导结构，其特征在于，所述第一内层线路层配置于所述介电层的所述第一表面上，而所述第一绝缘层位于所述第一增层线路层与所述第一内层线路层之间，所述第一绝缘层具有连通所述开口的第一开口，所述第二内层线路层配置于所述介电层的所述第二表面上，而所述第二绝缘层位于所述第二增层线路层与所述第二内层线路层之间，所述第二绝缘层具有连通所述开口的第二开口，且所述第一开口的内壁与所述第二开口的内壁切齐所述导体连接层，而所述第一增层线路层延伸覆盖所述第一开口，所述第二增层线路层延伸覆盖所述第二开口，且部分所述第一增层线路层、所述第一开口的内壁、所述导体连接层、所述第二开口的内壁以及部分所述第二增层线路层定义出所述空气腔。4.根据权利要求3所述的波导结构，其特征在于，还包括：多个导电通孔，配置于所述空气腔的相对两侧，且贯穿所述第一增层线路层、所述第一绝缘层、所述第一内层线路层、所述介电层、所述第二内层线路层、所述第二绝缘层以及所述第二增层线路层，其中所述多个导电通孔电连接所述第一增层线路层、所述第一内层线路层、所述第二内层线路层以及所述第二增层线路层。5.根据权利要求2所述的波导结构，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层分别位于所述介电层的所述第一表面与所述第二表面上，所述第一增层线路层与所述第二增层线路层分别覆盖所述第一绝缘层与所述第二绝缘层，所述第一绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐震寰，刘乃祯，林楹凯，李宗翰，张昭威，
申请(专利权)人：旭德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：