多层瓷介片状电容器制造技术

一种多层瓷介片状电容器，满足Ｘ７Ｒ性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小，绝缘电阻（ＩＲ）的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中，介电层包含作为主要组分ＢａＴｉＯ↓［３］并包含作为次要组分按特定比例的ＭｇＯ、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］、ＢａＯ与ＣａＯ中至少一种及ＳｉＯ↓［２］。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的ＭｎＯ、Ｖ↓［２］Ｏ↓［５］与ＭｏＯ↓［３］中至少一种。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多层瓷介片状电容器。多层瓷介片状电容器已经作为一种紧凑的、完全可靠的、大电容量的电子元件被广泛采用，一个电子设备中包含许多该电容器。鉴于当前对尺寸更小、性能更高的电子设备的日益增长的需求，多层瓷介片状电容器也遇到尺寸更小、电容量更大、成本更低和可靠性更高的更严格要求。多层瓷介片状电容器一般是通过把一种内电极形成浆料和一种介电层形成浆料用压片、印刷及类似技术叠层，然后通过共同烧制成一体而制作的。一般来说内电极是由如Pd和Pd合金的导体制成的，但是贵重的钯部分地被用比较便宜的Ni和Ni合金之类的碱金属所代替。由于如果在环境空气中烧制的话碱金属制成的内电极会氧化，故介电层和内电极层须在一种还原炉气中共同烧制。然而，在还原炉气中烧制引起诸介电层还原，造成电阻率降低。于是提出采用不可还原的介电材料。然而，采用不可还原介电材料的多层瓷介片状电容器有一些问题，其中包括绝缘电阻(IR)的寿命短和可靠性低。当该介电材料承受直流电场时，还产生另一个问题，即它的电容率εs随着时间而降低。如果为了提供尺寸较小和电容量较大的片状电容器而采用较薄的介电层，则跨越该电容器施加直流电场引起诸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层瓷介片状电容器，该电容器有一个包含交替叠合的介电层和内电极层的电容器片体，其中 所述介电层包含作为主要组分的钛酸钡和作为次要组分的氧化镁、氧化钇、从氧化钡和氧化钙中至少选一种、氧化硅、氧化锰、以及从氧化钒和氧化钼中至少选一种，按这样一种比例，即每１００ｍｏｌ的ＢａＴｉＯ↓［３］中有 ＭｇＯ：０．１至３ｍｏｌ Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］：大于０ｍｏｌ并且小于等于５ｍｏｌ ＢａＯ＋ＣａＯ：２至１２ｍｏｌ ＳｉＯ↓［２］：２至１２ｍｏｌ ＭｎＯ：大于０ｍｏｌ并且小于等于０．５ｍｏｌ Ｖ↓［２］Ｏ↓［５］：０至０．３ｍｏｌ ＭｏＯ↓［３］：０至０．３ｍ...

【技术特征摘要】
JP 1994-10-19 279867/1994;JP 1994-10-19 279868/1991.一种多层瓷介片状电容器，该电容器有一个包含交替叠合的介电层和内电极层的电容器片体，其中所述介电层包含作为主要组分的钛酸钡和作为次要组分的氧化镁、氧化钇、从氧化钡和氧化钙中至少选一种、氧化硅、氧化锰、以及从氧化钒和氧化钼中至少选一种，按这样一种比例，即每100mol的BaTiO3中有i0.1至3molY2O3大于0mol并且小于等于5molBaO+CaO2至12molSiO22至12molMnO大于0mol并且小于等于0.5molV2O50至0.3molMoO30至0.3molV2O5+MnO3大于0mol其中假定钛酸钡、氧化镁、氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤阳，川野直树，野村武史，中野幸惠，岚友宏，山松纯子，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]