单面沉积镀膜装置制造方法及图纸

技术编号:31211527 阅读:9 留言:0更新日期:2021-12-04 17:31
本实用新型专利技术公开了单面沉积镀膜装置,该装置包括:外槽;内槽,所述内槽设在所述外槽内;待镀膜基板支撑件,所述待镀膜基板支撑件设在所述内槽的内部,适于支撑待镀膜基板;所述待镀膜基板支撑件的高度小于所述内槽的深度,所述待镀膜基板支撑件与所述待镀膜基板的高度之和大于所述内槽的深度;加热件,所述加热件设在所述内槽的底壁和/或侧壁上。利用该装置能够实现单面镀膜的目的,同时具有操作简单、成膜质量高且降低所需镀膜溶液的量等优点。成膜质量高且降低所需镀膜溶液的量等优点。成膜质量高且降低所需镀膜溶液的量等优点。

【技术实现步骤摘要】
单面沉积镀膜装置


[0001]本技术属于镀膜装置
,具体涉及一种单面沉积镀膜装置。

技术介绍

[0002]钙钛矿太阳能电池以其光电转化效率高、材料成本低、易于制备以及可薄膜化、柔性化等特点而受到广泛关注,并被认为是最具有商业化前景的新一代太阳能电池。目前针对钙钛矿太阳能电池,可采用NIP结构和PIN结构两种电池结构。
[0003]通常在制备PIN钙钛矿太阳能电池时,在TCO透明电极上沉积一层P型空穴传输层,而后在此膜层上制备钙钛矿膜层,后续沉积电子传输层和背电极从而完成电池的制备,而制备NIP钙钛矿太阳电池时,其结构顺序与PIN相反,即在TCO透明电极上沉积一层N 型空穴传输层,而后在此膜层上制备钙钛矿膜层,后续沉积空穴传输层和背电极完成从而电池的制备。为了提高钙钛矿太阳能电池的稳定性,同时考虑N型或P型电荷传输膜层迁移率的需求,兼顾经济性和可大规模生产特性,通常将无机氧化物膜层作为电荷传输层的首选材料,如PIN结构中,采用NiOx膜层作为空穴传输层。在NIP结构中,则可采用TiO2、 SnO2、ZnO等作为电子传输层,针对此类氧化物膜层的大规模制备技术,CBD镀膜因其具有工艺成熟、成本低和操作简单等优势,所制备的膜层具有保型覆盖等特点,在钙钛矿太阳能电池中得到广泛关注。
[0004]在实际产品开发中,成熟的大面积(大于1m2)CBD镀膜装置由于设备占地面积大、成本高、操作复杂等原因,并不适合小尺寸工艺研究。而目前实验室中使用的立式CBD镀膜设备,则具有溶液容量大、操作复杂、成膜质量低(具有大颗粒吸附等)以及双面镀膜等缺点,给工艺研发带来了较大的难题,从而不利于高效钙钛矿器件的性能提升。

技术实现思路

[0005]本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本技术的目的在于提出一种单面沉积镀膜装置。利用该装置能够实现单面镀膜的目的,同时具有操作简单、成膜质量高且降低所需镀膜溶液的量等优点。
[0006]本技术提出了一种单面沉积镀膜装置。根据本技术的实施例,所述装置包括:
[0007]外槽;
[0008]内槽,所述内槽设在所述外槽内;
[0009]待镀膜基板支撑件,所述待镀膜基板支撑件设在所述内槽的内部,适于支撑待镀膜基板;所述待镀膜基板支撑件的高度小于所述内槽的深度,所述待镀膜基板支撑件与所述待镀膜基板的高度之和大于所述内槽的深度;
[0010]加热件,所述加热件设在所述内槽的底壁和/或侧壁上。
[0011]根据本技术实施例的单面沉积镀膜装置,在内槽中装满镀膜溶液,将待镀膜基板至于待镀膜基板支撑件上,通过控制待镀膜基板支撑件的高度小于内槽的深度,且待
镀膜基板支撑件与待镀膜基板的高度之和大于内槽的深度,使得待镀膜基板的非镀膜面(即上表面)位于内槽中镀膜溶液的溶液面上方,待镀膜基板的镀膜面(即下表面)则位于溶液面下方,从而实现了待镀膜基板(例如玻璃CBD)单面镀膜的目的。通过镀膜溶液溢流的设计方案,大大降低了膜层表面大颗粒的物理吸附,提高了膜层质量。
[0012]另外,根据本技术上述实施例的单面沉积镀膜装置还可以具有如下附加的技术特征:
[0013]在本技术的一些实施例中,所述装置还包括:内槽流液口,所述内槽流液口设置在所述内槽的底壁和/或侧壁上。由此,实现镀膜完成后镀膜溶液经由内槽流液口流入外槽中。
[0014]在本技术的一些实施例中,所述内槽流液口带有控制阀门。
[0015]在本技术的一些实施例中,所述装置还包括:保温套,所述保温套设在所述内槽的外表面上。由此,对内槽中的镀膜溶液进行保温,使该镀膜溶液的温度维持在合适的温度范围内,从而保证镀膜过程顺利完成,同时防止热损失。
[0016]在本技术的一些实施例中,所述加热件为加热电阻丝或者热循环水。由此,更好地对内槽中的镀膜溶液进行加热,使该镀膜溶液的温度维持在合适的温度范围内,从而保证镀膜过程顺利完成。
[0017]在本技术的一些实施例中,所述待镀膜基板支撑件为多根立柱。
[0018]在本技术的一些实施例中,所述内槽通过多根地脚柱设在所述外槽中,所述多根地脚柱适于支撑所述内槽。
[0019]在本技术的一些实施例中,所述外槽的底部设有溶液箱,所述溶液箱的上部设有镀膜溶液流入口,从所述内槽中流出的镀膜溶液通过所述镀膜溶液流入口流入所述溶液箱中;所述溶液箱的底部设有外槽流液出口。
[0020]在本技术的一些实施例中,所述内槽的深度为2mm

5mm。由此,通过将内槽的深度控制在上述范围内,来控制镀膜溶液的深度,从而大大降低了镀膜实验的镀膜溶液消耗量。
[0021]在本技术的一些实施例中,所述待镀膜基板支撑件的高度与所述内槽的深度之差为1mm

1.5mm。由此,最大限度地降低镀膜反应溶液的消耗量。
[0022]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0023]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
[0024]图1是根据本技术实施例的单面沉积镀膜装置的剖视图。
[0025]图2是根据本技术实施例的单面沉积镀膜装置的主视图。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参
考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本技术,而不能理解为对本技术的限制。
[0027]在本技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。
[0028]在本技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0029]在本技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单面沉积镀膜装置,其特征在于,包括:外槽;内槽,所述内槽设在所述外槽内;待镀膜基板支撑件,所述待镀膜基板支撑件设在所述内槽的内部,适于支撑待镀膜基板;所述待镀膜基板支撑件的高度小于所述内槽的深度,所述待镀膜基板支撑件与所述待镀膜基板的高度之和大于所述内槽的深度;加热件,所述加热件设在所述内槽的底壁和/或侧壁上。2.根据权利要求1所述的单面沉积镀膜装置,其特征在于,还包括:内槽流液口,所述内槽流液口设置在所述内槽的底壁和/或侧壁上。3.根据权利要求2所述的单面沉积镀膜装置,其特征在于,所述内槽流液口带有控制阀门。4.根据权利要求1所述的单面沉积镀膜装置,其特征在于,还包括:保温套,所述保温套设在所述内槽的外表面上。5.根据权利要求1所述的单面沉积镀膜装置,其特征在于,所述加热件为加热电阻丝或者热循环水。6.根据权利要求1所述的单面沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙合成邵君蒋艺宸
申请(专利权)人:无锡极电光能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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