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一种导电ZnO薄膜及其制备方法技术

技术编号:28059259 阅读:83 留言:0更新日期:2021-04-14 13:34
本发明专利技术涉及导电薄膜技术领域,尤其涉及一种导电ZnO薄膜及其制备方法。本发明专利技术提供的制备方法,包括以下步骤:将醋酸锌、乙醇胺和二甲氧基乙醇混合,得到醋酸锌前驱体溶胶;将醋酸锌前驱体溶胶在透明基板上成膜,得到醋酸锌凝胶膜;将醋酸锌凝胶膜进行热处理,得到第一层ZnO薄膜;重复所述成膜和热处理的过程1~5次,得到多层堆叠的ZnO薄膜;将所述多层堆叠的ZnO薄膜进行紫外光辐照,得到导电ZnO薄膜。根据实施例的记载,利用本发明专利技术所述的制备方法制备得到的导电ZnO薄膜的电阻率与AZO有相当接近的电阻率,同时在红外和近红外光区具有较好的透射率,可以用作红外和近红外的探测器以及太阳能电池器件的透明电极材料。能电池器件的透明电极材料。能电池器件的透明电极材料。

【技术实现步骤摘要】
一种导电ZnO薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及导电薄膜
,尤其涉及一种导电ZnO薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]透明导电氧化物(TCO)薄膜是一类具有高导电性(高载流子、高迁移率和低电阻率)、在可见光区具有高透射率的特殊半导体光电材料。由于具有这些特殊性,TCO薄膜已经作为一种重要的透明电极材料广泛应用于诸多光电器件中,如发光二极管、平板显示器、太阳能电池、薄膜晶体管、透明加热元件、透明热反射材料等。ZnO基TCO薄膜因其低成本、无毒和稳定性高等优点,引起了科研界和工业界的广泛关注。本征ZnO是一种宽禁带(约3.3eV)直接带隙半导体材料。经过特殊掺杂后的ZnO薄膜具有优良的电学和光学性能。
[0003]例如Al掺杂可以在ZnO中产生自由电子,Al
3+
作为大半径极化子,可以增加晶体中的n型导电率,Al掺杂ZnO(AZO)薄膜的光学透射光谱在可见光波长区域内显示出非常好的透射率,介于85%和95%之间。但是Al掺杂ZnO在红外区域有较强吸收。因此,Al掺杂ZnO薄膜由于有较大的红外吸收损失而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电ZnO薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将醋酸锌、乙醇胺和二甲氧基乙醇混合,得到醋酸锌前驱体溶胶;将所述醋酸锌前驱体溶胶在透明基板上成膜,得到醋酸锌凝胶膜;将所述醋酸锌凝胶膜进行热处理,得到第一层ZnO薄膜;依次重复进行所述成膜和热处理的过程1~5次,得到多层堆叠的ZnO薄膜;将所述多层堆叠的ZnO薄膜进行紫外光辐照,得到所述导电ZnO薄膜。2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述醋酸锌、乙醇胺和二甲氧基乙醇的用量比为(1~2)g:(200~300)μL:(10~25)mL。3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述混合在搅拌的条件下进行;所述混合的相对湿度为15~30%,温度为15~40℃,时间为8~12h。4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述成膜的相对湿度为15~30%,温度为15~40℃。5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈志汪洁唐正马在飞
申请(专利权)人:东华大学
类型:发明
国别省市:

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