芯片型电容器上板隔离防护处理方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片型电容器隔离防护处理方法，该方法包括：在电容器本体两端沾附银导体并高温烧结，然后浸泡于绝缘材料中形成绝缘保护层以提升耐压性从而保护电容器，将包覆绝缘保护层的电容器两端部绝缘保护层磨除，再低温银浆沾银、镀镍和镀锡。通过该方法处理的电容器可以在高压环境下安全工作，同时有效隔绝其它导电介质与电容器接触，进而抑制电容器产生瞬间跳火花的现象发生，以确保电容器上板后达到正常工作的安全防护效用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片型电容器隔离防护处理的方法。
技术介绍
如图10所示，已知芯片型电容器通常于电容器本体1’内部设置有内电极12’，由内电极12’延伸至本体两侧形成端电极11’，而于端电极11’处必须附有多层金属导体，例如银导体层2’、镍导体层3’及锡导体层4’，最外层的锡层作为焊接贴合组立之用。对于目前适用于高压的芯片型电容器而言，传统芯片型电容器其介于两焊接端间的端电极裸片处并未作有效的隔绝处理，因此当裸片上掉入尘埃或其它导电介质形成导体时，该电容器的裸片容易因电流使得附近分子的基发放出电磁波，此瞬间电磁波释放的跳火花现象会导致电容器本身的烧损，严重的甚至导致焊接基板的烧毁，进而影响电子组件的工作。迫切需要对芯片型电容器进行处理，以使芯片型电容器可以安全使用并提高其耐压性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种芯片型电容器隔离防护处理的方法，其可以使所得电容器在高压环境下安全工作，同时有效隔绝其它导电介质与电容器接触，进而抑制电容器产生瞬间跳火花的现象发生，以确保电容器上板后达到正常工作的安全防护效用。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的芯片型电容器隔离防护处理的方法包括在电容器本体两端沾附银导体并高温烧结，然后浸泡于干燥后形成绝缘物质的液体(即液态绝缘材料)中，例如凡立水中，形成绝缘保护层以提升耐压性从而保护电容器，将包覆绝缘保护层的电容器两端部绝缘保护层磨除，再低温银浆沾银、镀镍和镀锡。附图说明图1为本专利技术中电容器本体示意图；图2为本专利技术中电容器两端沾附银导体层的示意图；图3为本专利技术中电容器隔绝保护层包覆成形的示意图；图4为本专利技术中电容器两端电极处的隔绝保护层去除包覆的示意图；图5为本专利技术中电容器两端电极低温沾附银导体层的示意图；图6为本专利技术中电容器两端电极电镀镍导体层的示意图；图7为本专利技术中电容器两端电极电镀锡导体层的示意图；图8为本专利技术中电容器焊接结合基板的示意图；图9为本专利技术芯片型电容器隔离防护处理方法的流程示意图；图10为已知电容器电极层构成示意图。附图标号说明1电容器本体；11端电极；12内电极；2银导体层；3绝缘保护层；4银导体层；5镍导体层；6锡导体层；7基板；1’电容器本体；11’端电极；12’内电极；2’银导体层；3’镍导体层；4’锡导体层。具体实施例方式关于本专利技术为达上述特征所采用的技术手段及其功效，现在例举较佳实施例并配合附图说明如下请参阅图1至图9所示，本专利技术实施步骤如下步骤1、将内部设置有内电极12的电容器本体1两端的端电极11以高温银浆沾银处理，经过干燥、高温烧结、冷却后形成银导体层2，如图2所示，并通过银导体层2将电极导出。步骤2、于电容器本体1及沾有银导体层2的两端电极11上外覆一层绝缘保护层3形成隔绝层包覆，如图3所示，由绝缘保护层3将整个电容器本体1及两端电极部11包覆，形成隔绝的保护层，其中通过使用浸泡方式，优选采用吸附效果较佳的真空浸泡方式将绝缘材料吸附于芯片本体的间隙/毛细孔隙中中，以补充填满材料的毛细孔，，从而提升芯片电容器的耐压性。步骤3、将电容器本体1两端电极11处的绝缘保护层3予以磨除，使导电性的银导体层2外露，如图4所示。步骤4、将电容器本体1两端的银导体层2覆以银导体层4，如图5所示，银导体层4是以低温银浆将银金属沾附并经过干燥、烧结硬化成型的，由于采低温烧结，因此绝缘保护层3的绝缘保护效果不会受到高温破坏。步骤5、在电容器本体1两端电极11电镀镍导体层5，如图6所示，以强化保护电极端。步骤6、在电容器本体1两端电极11电镀锡导体层6，形成电容器的焊接点，以其结合于基板7上(如图7至图9所示)。由上述说明可知，本专利技术所提供一种芯片型电容器隔离防护处理方法，是在以电容器本体上形成强化隔绝保护层包覆并制造电容器本体端电极的方法，其使得电容器本体外缘受一层真空渗透形成的绝缘保护层包覆，并利用各导体层相互接触而能与基板焊接，使用该方法生产的电容器可以抑制目前用于高电压的芯片型电容器上所产生瞬间跳火花现象的发生，以确保电容器上板后达到正常工作的安全防护效用，极具产业利用性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片型电容器隔离防护处理方法，该方法包括：在电容器本体两端沾附银导体并高温烧结，然后浸泡于干燥后形成绝缘物质的液体中，形成绝缘保护层以提升耐压性从而保护电容器，将包覆绝缘保护层的电容器两端部绝缘保护层磨除，再低温银浆沾银、镀镍和镀锡。

【技术特征摘要】
1.一种芯片型电容器隔离防护处理方法，该方法包括在电容器本体两端沾附银导体并高温烧结，然后浸泡于干燥后形成绝缘物质的液体中，形成绝缘保护层以提升耐压性从而保护电容器，将包覆绝缘保护层的电容器两端部绝缘保护层磨除，再低温银浆沾银、镀镍和镀锡。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤步骤1、电容器本体两端的端电极以高温银浆沾银处理，经过干燥、高温烧结、冷却后形成银导体层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王朝奎，
申请(专利权)人：青业电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]