【技术实现步骤摘要】
一种左右分位内存模组
[0001]本技术涉及内存芯片模组
，具体涉及一种左右分位内存模组。
技术介绍
[0002]随着电子产品的迅速发展，许多电子产品需要应用到内存芯片进行存储数据信息。将内存模组合理安排在PCB电路板上，以达到内存模组的存储数据功能。目前，在内存模组生产测试过程中，不可避免的会出现部分不良芯片，这些不良芯片会出现不良缺陷地址范围，这些不良芯片由于出现一定缺陷，不能实现全部功能，往往会被丢弃，导致芯片的浪费。
[0003]因此，针对以上问题点，现有的芯片模组有待进一步改进。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是为了克服不良内存芯片浪费的问题，对正常测试过程中出现的不良缺陷地址范围的内存芯片，通过内存单元的拼接电路技术，将不良内存芯片重新结合之后，合理安排在电路板上，可以获得拼接后的内存模组；具体地，采用具有损坏的内存芯片的内存芯片单元并使其连接驱动模块，驱动模块再连接可变电源模块，通过可变电源模块进行输出电压变化，传输给驱动模块，再传输给内存芯片单元，可以实现内存芯片单元中的内存...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种左右分位内存模组，其特征在于，所述左右分位内存模组包括：内存单元、可变电源模块、驱动模块和电路板，所述内存单元、可变电源模块和驱动模块均连接在电路板上；所述内存单元包括至少四个内存芯片单元，且至少一个内存芯片单元由第一内存芯片和第二内存芯片组合而成，所述第一内存芯片和第二内存芯片均为相同损坏的内存芯片，所述相同损坏的内存芯片为在芯片内部的左半部损坏的内存芯片或者右半部损坏的内存芯片；所述第一内存芯片和所述第二内存芯片均设有行寻址A15端子、A16端子和A17端子，所述第一内存芯片的行寻址A15端子、A16端子和A17端子分别与所述第二内存芯片的行寻址A15端子、A16端子和A17端子相对应，所述第一内存芯片的行寻址A15端子、A16端子和A17端子分别连接所述驱动模块的三个输入端，所述驱动模块的三个输出端对应连接所述第二内存芯片的行寻址A15端子、A16端子和A17端子，所述驱动模块的电源端连接所述可变电源模块的输出端。2.根据权利要求1所述的一种左右分位内存模组，其特征在于，所述可变电源模块为能够提供VSS电压的电源，所述VSS电压为电路公共接地端电压，所述驱动模块包括一个电阻R6和三个导线，所述三个导线分别连接所述驱动模块的三个输入端和对应的三个输出端，所述第一内存芯片和第二内存芯片均为在芯片内部的右半部损坏的内存芯片，所述电阻R6的一端并联连接所述第一内存芯片的行寻址A17端子和所述第二内存芯片的行寻址A17端子，所述电阻R6的另一端连接VSS的电源的输出端，所述第一内存芯片的行寻址A15和A16端子分别对应连接所述第二内存芯片的行寻址A15和A16端子。3.根据权利要求1所述的一种左右分位内存模组，其特征在于，所述可变电源模块为能够提供VDD电压的电源，所述VDD电压为器件内部的工作电压，所述驱动模块包括一个电阻R5和三个导线，所述三个导线分别连接所述驱动模块的三个输入端和对应的三个输出端，所述第一内存芯片和第二内存芯片均为在芯片内部的左半部损坏的内存芯片，所述电阻R5的一端并联连接所述第一内存芯片的行寻址A17端子和所述第二内存芯片的行寻址A17端子，所述电阻R5的另一端连接VDD的电源的输出端，所述第一内存芯片的行寻址A15和A16端子分别对应连接所述第二内存芯片的行寻址A15和A16端子。4.根据权利要求1所述的一种左右分位内存模组，其特征在于，所述可变电源模块为能够提供VSS电压的电源，所述VSS电压为电路公共接地端电压，所述驱动模块包括一个电阻R4和三个导线，所述三个导线分别连接所述驱动模块的三个输入端和对应的三个输出端，所述第一内存芯片和第二内存芯片均为在芯片内部的右半部损坏的内存芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱刚，
申请(专利权)人：厦门市原子通电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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