【技术实现步骤摘要】
一种上下分位内存模组
[0001]本技术涉及内存芯片模组
，具体涉及一种上下分位内存模组。
技术介绍
[0002]随着电子产品的迅速发展，许多电子产品需要应用到内存芯片进行存储数据信息。将内存模组合理安排在PCB电路板上，以达到内存模组的存储数据功能。目前，在内存模组生产测试过程中，不可避免的会出现部分不良芯片，这些不良芯片会出现不良缺陷地址范围，这些不良芯片由于出现一定缺陷，不能实现全部功能，往往会被丢弃，导致芯片的浪费。
[0003]因此，针对以上问题点，现有的芯片模组有待进一步改进，以将不良内存芯片实现再次利用。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是为了克服不良芯片浪费的问题，对正常测试过程中出现的不良缺陷地址范围的内存芯片，通过内存单元的拼接电路技术，将不良内存芯片重新结合之后，合理安排在电路板上，可以获得拼接后的内存模组；具体地，采用具有损坏的内存芯片的内存芯片单元并使其连接驱动模块，驱动模块再连接可变电源模块，通过可变电源模块进行输出电压变化，传输给驱动模块，再传输给内存芯片单元，可...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种上下分位内存模组，其特征在于，所述上下分位内存模组包括：内存单元、可变电源模块、驱动模块和电路板，所述内存单元、可变电源模块和驱动模块均连接在电路板上；所述内存单元包括至少四个内存芯片单元，且至少一个内存芯片单元由第一内存芯片和第二内存芯片组合而成，所述第一内存芯片和第二内存芯片均为相同损坏的内存芯片，所述相同损坏的内存芯片为在芯片内部的上半部损坏的内存芯片或者下半部损坏的内存芯片；所述第一内存芯片和所述第二内存芯片均设有BG0端子和BG1端子，所述第一内存芯片的BG0端子连接所述第二内存芯片的BG0端子，所述可变电源模块的输出端连接所述驱动模块的输入端，所述驱动模块的输出端并联连接所述第一内存芯片的BG1端子和所述第二内存芯片的BG1端子。2.根据权利要求1所述的一种上下分位内存模组，其特征在于，所述可变电源模块为能够提供VDD电压的电源，所述VDD电压为器件内部的工作电压，所述驱动模块为电阻R1，所述第一内存芯片和第二内存芯片均为在芯片内部的上半部损坏的内存芯片，所述电阻R1的一端并...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁嘉玲，
申请(专利权)人：厦门市原子通电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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