超结MOSFET功率器件的版图结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种超结MOSFET功率器件的版图结构，包括MOSFET版图结构，所述MOSFET版图结构主要包括有源区及设置在有源区相邻两侧的终端结构，所述终端结构由若干终端小模块组合而成，所述终端小模块包括横向或纵向布置的第一模块和第二模块，第一模块和第二模块的大小相同且第一模块和第二模块均由若干P柱和N柱组合而成，相邻两终端小模块之间的第一模块和第二模块交错布置使得终端结构中的P柱和N柱互相补偿耗尽，在功率器件的四周形成击穿电压一致的终端结构；第一模块由纵向交错布置的若干P柱和N柱组合而成，第二模块由横向交错布置的若干P柱和N柱组合而成；所述终端小模块内的P柱与N柱之间设置有间隙。端小模块内的P柱与N柱之间设置有间隙。端小模块内的P柱与N柱之间设置有间隙。

【技术实现步骤摘要】
超结MOSFET功率器件的版图结构


[0001]本技术涉及半导体
，具体涉及一种超结MOSFET功率器件的版图结构。

技术介绍

[0002]高压大功率超结MOSFET器件可被广泛用于太阳能、风力发电、服务器和通信电源系统、医疗和工业控制、电源开关等领域，是大功率电力电子行业应用的关键器件。同其他高压功率器件一样，超结MOSFET也存在着终端保护环结构。良好的终端保护环设计，能保证器件击穿电压的同时，还能保证器件的可靠性。目前应用较为广泛的超结终端结构是采用与原胞一样的结构，P柱与N柱交替排列，互相耗尽来承受高电压。但这种终端结构在阻断状态时表面会出现锯齿形的电场峰值，终端区P柱和N柱的宽度、间距、浓度等工艺偏差都容易导致电场峰值显著增大而发生器件的损毁。同时，目前较为传统的终端设计只能改善器件两侧的击穿特性，使得另外两侧更容易发生击穿，大大影响了器件的稳定性和可靠性。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种能有效提高器件稳定性和可靠性的超结MOSFET功率器件的版图结构。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.超结MOSFET功率器件的版图结构，包括MOSFET版图结构，其特征在于：所述MOSFET版图结构主要包括有源区及设置在有源区相邻两侧的终端结构，所述终端结构由若干终端小模块组合而成，所述终端小模块包括横向或纵向布置的第一模块和第二模块，第一模块和第二模块的大小相同且第一模块和第二模块均由若干P柱和N柱组合而成，相邻两终端小模块之间的第一模块和第二模块交错布置使得终端结构中的P柱和N柱互相补偿耗尽，在功率器件的四周形成击穿电压一致的终端结构。2.根据权利要求1所述的超结MOSFET功率器件的版图结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雪萌，王艳颖，钱晓霞，汤艺，
申请(专利权)人：上海道之科技有限公司，
类型：新型
国别省市：