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本实用新型公开了一种超结MOSFET功率器件的版图结构，包括MOSFET版图结构，所述MOSFET版图结构主要包括有源区及设置在有源区相邻两侧的终端结构，所述终端结构由若干终端小模块组合而成，所述终端小模块包括横向或纵向布置的第一模块和第二...
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