FINFET多输入标准单元版图结构及半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种FINFET多输入标准单元版图结构，包括有源区图形、六个栅条图形、有源区金属图形、有源区金属截断图形、栅线金属图形、输入连接孔图形、连接金属图形，四个栅条金属图形依次位于中间的四个栅条图形上且位于两个有源区图形之间，四个栅条金属图形交错排布且均偏向对应栅条图形的同一侧，第一金属图形至第四金属图形依次覆盖四个输入连接孔图形，第五金属图形位于第四金属图形相对第三金属图形的两个有源区金属图形上且位于相应的栅条图形之间。本发明专利技术中，利用有源区金属截断图形以截断有源区金属图形，以使得栅条金属图形可以交错排布，从而达到栅条金属图形上的连接金属图形紧凑排布的目的，以解决多输入标准单元布置不紧凑的问题。元布置不紧凑的问题。元布置不紧凑的问题。

【技术实现步骤摘要】
FINFET多输入标准单元版图结构及半导体器件


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种FINFET多输入标准单元版图结构及半导体器件。

技术介绍

[0002]在集成电路设计中，可重复使用的标准单元具有非常重要的作用，该标准单元可以显著提高电路工程师和版图工程师的工作效率。
[0003]FinFET(Fin Field
‑
Effect Transistor，鳍式场效应晶体管)可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。
[0004]图1是现有技术中FINFET多输入标准单元版图结构的示意图。第一有源区图形AA1
’
上设置有四个PMOS晶体管，第二有源区图形AA2
’
上设置有四个NMOS晶体管，四个PMOS晶体管及四个NMOS晶体管利用四个器件栅线图形PO
’
连接。位于第一有源区图形AA1
’
及第二有源区图形AA2
’
之间的栅线图形PO
’
上设置有栅条金属图形M2
>’
，位于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种FINFET多输入标准单元版图结构，其特征在于，包括两个有源区图形、六个栅条图形、十个有源区金属图形、有源区金属截断图形、四个栅线金属图形、四个输入连接孔图形、连接金属图形；每个有源区图形沿第一方向延伸且两个所述有源区图形沿第二方向间隔设置，每个所述栅条图形沿所述第二方向延伸，六个所述栅条图形沿所述第一方向间隔排布于两个所述有源区图形上，所述第二方向与所述第一方向正交；所述有源区金属截断图形沿所述第一方向延伸且间隔设置于两个所述有源区图形之间，所述有源区金属截断图形位于中间四个所述栅条图形上；十个所述有源区金属图形依次设置于每两个相邻的所述栅条图形之间的两个所述有源区图形上，每个所述有源区金属图形沿所述第二方向延伸，部分所述有源区金属图形部分位于所述有源区金属截断图形上；四个所述栅条金属图形依次位于六个所述栅条图形的中间的四个栅条图形上且位于两个所述有源区图形之间，四个所述栅条金属图形沿所述第一方向交错排布且均偏向对应栅条图形的同一侧；四个所述输入连接孔图形依次设置于四个所述栅条金属图形上；所述连接金属图形包括沿所述第一方向依次间隔排列的第一金属图形至第五金属图形，其中，所述第一金属图形至第四金属图形依次覆盖四个所述输入连接孔图形，所述第五金属图形位于所述第四金属图形相对所述第三金属图形一侧的两个有源区金属图形上且位于相应的栅条图形之间。2.根据权利要求1所述的FINFET多输入标准单元版图结构，其特征在于，两个所述有源区均包括若干沿所述第二方向间隔排列的鳍片。3.根据权利要求2所述的FI...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮筱津，高唯欢，胡晓明，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：