【技术实现步骤摘要】
一种降低钨靶材组件变形的焊接方法
[0001]本专利技术涉及钨靶材领域,具体涉及一种降低钨靶材组件变形的焊接方法。
技术介绍
[0002]目前,半导体用大功率溅射靶材的W靶多采用扩散焊接方式连接,靶坯材料为纯钨,背板材料多为铜合金或者铝合金。
[0003]如CN111014930A公开了一种钨靶材组件两步热等静压扩散焊接方法。所述焊接方法,以钨靶坯与Al中间层先进行热等静压扩散焊接,然后再将其与铜背板进行第二次热等静压扩散焊接,最终获得钨靶材组件,所述钨靶材组件的钨靶坯
‑
Al中间层焊接面的焊接强度≥125MPa,Al中间层
‑
铜背板焊接面的焊接强度≥65MPa,两个焊接面的焊合率均>99.5%,焊接后靶材的整体变形程度小,并且适用于大功率的溅射机台,保证溅射过程中不会脱焊、掉靶。
[0004]CN112846171A公开了一种用于钨靶材热等静压扩散焊接的粉末层,其由Ti、Al和Cu构成,各粉末质量占比为Ti粉末15%
‑
25%,Cu粉末15
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种降低钨靶材组件变形的焊接方法,其特征在于,所述焊接方法包括:将第一板、第二板、钨靶材、中间层和背板依次组装得到预组件,将所述预组件置于包套中进行热等静压焊接;所述第一板的厚度为20
‑
40mm;所述第二板的厚度为10
‑
15mm。2.如权利要求1所述的焊接方法,其特征在于,所述第一板的材质包括铜或铜合金。3.如权利要求1或2所述的焊接方法,其特征在于,所述第二板的材质包括铝或铝合金。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的焊接方法,其特征在于,所述中间层的材质包括铝或铝合金;优选地,所述中间层的厚度为4
‑
6mm。5.如权利要求1
‑
4任一项所述的焊接方法,其特征在于,所述预组件置于包套后进行抽真空处理。6.如权利要求5所述的焊接方法,其特征在于,所述抽真空处理的终点为绝对真空度≤0.01Pa。7.如权利要求1
‑
6任一项所述的焊接方法,其特征在于,所述热等静压的温度为400
‑
500℃。8.如权利要求1
‑
技术研发人员:姚力军,潘杰,边逸军,王学泽,廖培君,沈学峰,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。