一种薄膜电阻结构、其制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种薄膜电阻结构、其制备方法及应用。所述薄膜电阻结构包括两个图形化薄膜电阻，两个所述图形化薄膜电阻相互配合形成嵌套结构，并且两个图形化薄膜电阻之间无电性连接，各自构成一个独立的温度敏感单元。采用本发明专利技术中的薄膜电阻结构制备而成的薄膜温度传感器可靠性和稳定性好，精度高。精度高。精度高。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜电阻结构、其制备方法及应用


[0001]本专利技术属于温度测控
，具体涉及一种薄膜电阻结构、其制备方法及应用。

技术介绍

[0002]电阻温度传感器是利用敏感材料的电阻值随温度单值变化制得的测温元件。其中，铂电阻具有灵敏度高、精度高、线性度好、测量温区大、稳定性好等特点，广泛应用于温度测控领域。
[0003]随着薄膜技术的发展，铂薄膜电阻在保留线绕型铂电阻优势的基础上极大地降低了成本，该电阻体积小、响应速度快、一致性好、使用方便灵活，市场需求旺盛。但铂机械性能差，铂薄膜电阻在生产应用过程中很容易发生机械损伤，且实际应用时电阻薄膜直接暴露于高温环境下存在热挥发和薄膜团聚等问题，影响电阻性能，因此对薄膜电阻进行封装保护非常有必要。
[0004]现有封装技术中低温釉料封装保护研究有一定成果，但铂薄膜电阻应用于高温环境时，高温釉料封装具有一定的缺陷，其主要问题是高温釉料烧结温度高，烧结温区大，釉料热膨胀系数(CTE)变化大，釉料与铂薄膜CTE失配严重，烧结过程中釉料变形严重，导致铂薄膜电阻断路。高温釉料封装的另一个问题是高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜电阻结构，其特征在于包括两个图形化薄膜电阻，两个所述图形化薄膜电阻相互配合形成嵌套结构，并且两个图形化薄膜电阻之间无电性连接。2.根据权利要求1所述的薄膜电阻结构，其特征在于，两个所述图形化薄膜电阻上的激励电流方向相反。3.根据权利要求1
‑
2中任一项所述的薄膜电阻结构，其特征在于，具体包括：形成于衬底表面的图形化铂薄膜电阻；形成于图形化铂薄膜电阻上的氧化铝保护层；形成于氧化铝保护层上的隔离层；以及保护釉层，其完全覆盖所述图形化铂薄膜电阻、氧化铝保护层及隔离层。4.根据权利要求3所述的薄膜电阻结构，其特征在于，所述隔离层的材质为高温陶瓷胶。5.根据权利要求4所述的薄膜电阻结构，其特征在于，所述图形化铂薄膜电阻形成于衬底表面的第一区域，所述衬底表面的第二区域还设置有与所述图形化铂薄膜电阻配合的引线焊盘和引线，所述引线焊盘与引线通过铂浆电连接。6.一种如权利要求1
‑
5任一项所述的薄膜电阻结构的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲锐方，范亚明，吕伟明，李淑君，梁哲珲，
申请(专利权)人：江西省纳米技术研究院，
类型：发明
国别省市：