一种高精度BANDGAP设计方法技术

本发明专利技术公开了一种高精度BANDGAP设计方法，所涉及到的带隙基准电路包括依次电连接的偏置模块、启动模块、运放模块以及核心模块；运放模块包括第一运放模块和第二运放模块；本发明专利技术通过启动模块消除简并点，使整个电路正常启动；在核心模块中设计高阶温度补偿模块、温度系数修调模块以及精度修调模块，通过对负温度系数的修调、高阶温度补偿以及输出参考电压精度的修调，使得带隙基准电路输出参考电压具有高精度，高可靠性的优点，能够满足现代集成电路的快速发展要求。路的快速发展要求。路的快速发展要求。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度BANDGAP设计方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，具体涉及一种高精度BANDGAP设计方法。

技术介绍

[0002]由于带隙基准电路(简称BANDGAP)可以产生与电源电压、工艺参数和温度关系很小的参考电压，因此它广泛应用于模拟集成电路中，并作为一种稳定的参考电压源。带隙基准电路的目的是产生一个对温度变化保持恒定的量，传统的带隙基准电路包括两个双极型晶体管，如图1所示，由于双极型晶体管的基极电压V
BE
在室温时(300K)具有负温度系数，而两个具有不同电流密度的双极型晶体管的基极
‑
发射极电压差V
T
在室温时具有正温度系数，由于V
T
与V
BE
的电压温度系数相反，将V
T
乘以合适的系数后，再与V
BE
进行加权，从而在一定范围内抵消V
BE
的温度漂移特性，得到近似零温度漂移的输出参考电压V
REF
，这就是带隙基准电路的基本设计思想。
>[0003]双极型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高精度BANDGAP设计方法，其特征在于：带隙基准电路包括依次电连接的偏置模块、启动模块、运放模块以及核心模块；所述运放模块包括第一运放模块和第二运放模块；所述启动模块消除简并点，使电路正常启动；电路启动后，所述偏置模块为运放模块和核心模块提供电流镜像；所述第一运放模块产生正温度系数电流，所述第二运放模块产生负温度系数电流，在电流镜像的作用下，所述核心模块根据正温度系数电流和负温度系数电流之间的误差信号修调负温度系数电流，进行高阶温度补偿以及修调输出参考电压精度，输出高精度的参考电压。2.根据权利要求1所述的高精度BANDGAP设计方法，其特征在于：所述偏置模块包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5以及电阻R1；MP1、MP2、MP3和MP4的源极与所述启动模块的第一端电连接；MP1的漏极和栅极、MP2的栅极均与R1的第一端电连接；MP2的漏极与MN1的漏极和栅极、MN2的栅极、MN3和MN4的栅极电连接；MN1的源极与MN3的漏极电连接，MN2的源极与MN4的漏极电连接；MN2的漏极与MP5的漏极电连接；MP5的源极与MP3的漏极电连接，MP6的源极与MP4的漏极电连接；MP3、MP4、MP5和MP6的栅极，MP6的漏极，以及MN5的漏极和栅极均与所述启动模块的第二端电连接；所述R1的第二端，MN3、MN4和MN5的源极均与所述启动模块的第三端电连接。3.根据权利要求1所述的高精度BANDGAP设计方法，其特征在于：所述启动模块包括PMOS管MP7、PMOS管MP8以及NMOS管MN6；所述MP7的源极作为启动模块的第一端，MN6的栅极作为启动模块的第二端，MN6的源极作为启动模块的第三端；MP7的栅极与MP8的源极电连接；MP7的漏极和MP8的栅极均与MN6的漏极电连接；MP8的漏极与所述第一运放模块电连接。4.根据权利要求1所述的高精度BANDGAP设计方法，其特征在于：所述第一运放模块包括PMOS管MP9、PMOS管MP10、PMOS管MP11、PMOS管MP12、运算放大器A1、三极管Q1、三极管Q2以及电阻R2；MP9和MP10的源极均与所述启动模块的第一端电连接，MP9和MP10的栅极均通过电容C1与所述启动模块的第一端电连接；MP9和MP10的栅极还与运算放大器A1的输出端电连接；MP9的漏极与MP11的源极电连接，MP10的漏极与MP12的源极电连接，MP11的栅极与MP12的栅极电连接；MP11的漏极与运算放大器A1的负向输入端、Q1的集电极以及所述启动模块中MP8的漏极电连接；MP12的漏极与运算放大器A1的正向输入端、R2的第一端以及运算放大器A2的负向输入端电连接；R2的第二端与Q2的集电极电连接；Q1和Q2的基极、Q1和Q2的发射极均与所述启动模块的第三端电连接；所述第二运放模块包括PMOS管MP13、PMOS管MP14、运算放大器A2以及电阻R3；所述运算放大器A2的输出端、MP13的栅极均通过电容C2与所述启动模块的第一端电连接，MP13的源极与所述启动模块的第一端电连接；MP13的漏极与MP14的源极电连接；MP14的漏极与R3的第一端电连接，R3的第二端与所述启动模块的第三端电连接；运算放大器A2的正向输入端与所述核心模块中多路复用器M1的输出端电连接。5.根据权利要求4所述的高精度BANDGAP设计方法，其特征在于：所述运算放大器A1和运算放大器A2均包括PMOS管MP25、PMOS管MP26、PMOS管MP27、PMOS管MP28、PMOS管MP29、PMOS管MP30、PMOS管MP31、NMOS管MN7、NMOS管MN8、NMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈冠旭，韩智毅，王忠岩，
申请(专利权)人：广东华芯微特集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：