DrMOS电路及其输出电流的补偿方法、线路板技术

本申请公开了一种DrMOS电路及其主管电流的检测方法、线路板，涉及DrMOS封装集成技术领域，其中，DrMOS电路输出电流的补偿方法包括：获取所述第一电感的第一电流；根据所述第一电流、所述第一MOS管的电阻值和所述第一电阻的电阻值得到第二电流；根据所述第一MOS管的温度系数和所述第一电阻的温度系数，得到电流补偿曲线；获取所述第一MOS管的第一温度；根据所述第一温度和所述电流补偿曲线，得到补偿电流；根据所述第二电流和所述补偿电流，得到输出电流。本申请能够通过根据不同的第一MOS管来设定电流补偿曲线，添加补偿电流准确控制DrMOS电路的输出电流。DrMOS电路的输出电流。DrMOS电路的输出电流。

【技术实现步骤摘要】
DrMOS电路及其输出电流的补偿方法、线路板


[0001]本申请涉及DrMOS封装集成
，特别涉及一种DrMOS电路及其输出电流的补偿方法、线路板。

技术介绍

[0002]DrMOS就是Driver+MOS管，是把驱动电路和MOS管集成在一起，得到很低的引线电阻和电感、很强的散热能力，达到用非常高的功率密度实现电源转换。
[0003]DrMOS里驱动电路和MOS管的集成一般分为两种。一种是单片集成，即驱动电路和MOS管是做在一个晶圆上的，该方法对工艺可靠性要求较高，成本也较高。另一种是通过封装进行集成，MOS管是采用专门的工艺，并且加工工序比驱动电路减小很多，可靠性及成本显著降低。
[0004]在DrMOS里，需要向前级控制器报告MOS管流过的电流值。在单片集成DrMOS里，一般通过简单的采样管即可实现；在封装集成的DrMOS里，如专门定制MOS管，也可以在MOS管里定制一个采样管，把采样管的端口引出到驱动电路里以得到预期的采样电流。但是在一般的封装集成DrMOS里，如采用通用MOS管，并没有定制的采样管存在，如何得到MO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DrMOS电路输出电流的补偿方法，其特征在于，所述DrMOS电路包括：放大器、第一MOS管、第二MOS管、第一电阻和第一电感，所述放大器的正极输入端接地，所述放大器的负极输入端分别与所述第一电阻的一端、所述第二MOS管的源极连接，所述放大器的输出端与所述第二MOS管的栅极连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一电感的一端、所述第一MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的源极接地，所述补偿方法包括：获取所述第一电感的第一电流；根据所述第一电流、所述第一MOS管的电阻值和所述第一电阻的电阻值得到第二电流；根据所述第一MOS管的温度系数和所述第一电阻的温度系数，得到电流补偿曲线；获取所述第一MOS管的第一温度；根据所述第一温度和所述电流补偿曲线，得到补偿电流；根据所述第二电流和所述补偿电流，得到输出电流。2.根据权利要求1所述的DrMOS电路输出电流的补偿方法，其特征在于，所述根据所述第一电流、所述第一MOS管的电阻值和所述第一电阻的电阻值得到第二电流，包括：将所述第一电流、所述第一MOS管的电阻值和所述第一电阻的电阻值输入到预设的第一计算公式，得到第二电流，其中，所述第一计算公式如下：其中，I
s1
为第二电流，I
L
为第一电流，R
onL
为所述第一MOS管的电阻值，R
sns
为所述第一电阻的电阻值与温度的函数关系式。3.根据权利要求1所述的DrMOS电路输出电流的补偿方法，其特征在于，所述电流补偿曲线为：其中，I
x
(T)为所述线性关系曲线，C0为常数，R
onL
(T)为所述第一MOS管的电阻值与温度的函数关系式，R
sns
(T)为所述第一电阻的电阻值与温度的函数关系式。4.根据权利要求1所述的DrMOS电路输出电流的补偿方法，其特征在于，所述获取所述第一MOS管的第一温度，包括：获取所述第一MOS管源极和漏极两端的的第一电压；根据所...

【专利技术属性】
技术研发人员：万锦嵩，
申请(专利权)人：东莞市长工微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：