一种多层复合荧光陶瓷及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多层复合荧光陶瓷及制备方法，采用真空烧结制备了Y

【技术实现步骤摘要】
一种多层复合荧光陶瓷及制备方法


[0001]本专利技术涉及一种多层复合荧光陶瓷及丝网印刷结合激光烧蚀工艺制备的方法，属于发光材料制备应用


技术介绍

[0002]目前，白光LED/LD因其具有高的发光效率、少的耗电量、短的响应时间、长的使用寿命以及绿色环保等优点，正在取代其他照明技术成为第四代照明光源。在白光LED/LD中，蓝光InGaN/GaN芯片通常与一种或多种绿色
‑
黄色铈掺杂石榴石荧光粉，以及一种红色荧光粉混合封装，来实现白光发射。但这种方式的封装中树脂等有机材料散热性能较差且有热积累效应，在高温下极易老化变质，造成光衰以及色漂移，大大降低了白光LED/LD的使用寿命，特别是在大功率LED/LD的场合，这种封装方式直接影响器件的光参量的品质，极大的限制了其在大功率白光LED/LD领域的发展。
[0003]荧光陶瓷材料由于比树脂/硅胶封装的荧光粉具有更高的化学和热稳定性，在白光LED/LD的应用中受到越来越多的关注，成为当前高功率白光LED/LD照明与显示器件的首选材料。
[0004]然而，目前最本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层复合荧光陶瓷及制备方法，其特征在于包括如下步骤：S1:按照化学式Y
2.94
‑
x
Lu
x
Al5O
12
:0.06Ce
3+
中各元素的化学计量比分别称取纯度大于99.9％的氧化钇、氧化铝、氧化镥、和氧化铈作为原料粉体，其中x为Lu
3+
离子掺杂摩尔百分数，0.00≤x≤0.10，将原料粉体、烧结助剂、球磨介质按一定比例混合，加入磨球在球磨罐中球磨为2h～10h，随后加入粘结剂，压片。S2:采用真空烧结1600℃～1750℃，保温6h～10h制备Lu
3+
离子掺杂的Y
2.94
‑
x
Lu
x
Al5O
12
:0.06Ce
3+
荧光陶瓷，抛光后在1200℃～1500℃退火4h～10h。S3:分别将超细过渡层粉体和红色荧光粉与油墨混合搅拌，并加入稀释剂，随后在步骤2制得的荧光陶瓷片上丝印超细过渡层粉体，丝网的尺寸为20mm
×
20mm，孔径为200目，自然风干后，在其上再丝印红色荧光粉，印刷次数为2次～10次。S4:接通水循环后打开激光器连接的装有AutoLaser系统的计算机，设置好机器的电源参数等基础参数，在AutoLaser系统中确定好直径d＝15mm的圆形工作区域，设置工作起点，将步骤2中经丝网印刷后的荧光陶瓷片放到指定位置，图层参数设为一层，烧蚀方式选择“水平双向”，精度设为0.1mm～0.4mm，激光扫描速度设为1mm/s～4mm/s，激光功率设为5W～25W。S5:烧蚀完毕后设备会自动关闭激光，待荧光陶瓷片冷却至室温后即可取出，即得到高功率LED/LD照明用暖白光高显色指数低色温的多层复合荧光陶瓷材料。2.根据权利要求1所述的一种多层复合荧光陶瓷及制备方法，其特征在于:步骤S1中所述烧结助剂为氧化镁、正硅酸乙酯中的一种或多种，烧结助剂添加量为...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏朝晖，周陶，刘全生，张希艳，孙海鹰，王晓春，米晓云，卢利平，刘秀玲，王能利，修鹏，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：