晶圆处理装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种晶圆处理装置及方法，晶圆处理装置包括处理容器、供气组件和喷头，处理容器具有供气口，处理容器用以容纳被处理的晶圆；供气组件连通于供气口，用以向处理容器内部供给气体；喷头与供气口的位置对应设置；喷头具有多个喷孔，且沿轴向方向可旋转地设置在处理容器内，以使气体沿喷头的径向方向能够均匀分布，并通过多个喷孔均匀扩散至晶圆。并通过多个喷孔均匀扩散至晶圆。并通过多个喷孔均匀扩散至晶圆。

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理装置及方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种晶圆处理装置及方法。

技术介绍

[0002]在晶圆制造过程中，需要进行化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)、刻蚀(etch)等工艺，通常由喷头喷出气体并使气体与晶圆表面产生反应。然而，相关技术中的处理装置及方法并没有很好地解决晶圆均匀性的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种能够改善晶圆均匀性的晶圆处理装置及方法。
[0004]本专利技术提供的晶圆处理装置，包括：处理容器、供气组件和喷头，处理容器具有供气口，所述处理容器用以容纳被处理的晶圆；供气组件连通于所述供气口，用以向所述处理容器内部供给气体；喷头与所述供气口的位置对应设置；所述喷头具有多个喷孔，且沿轴向方向可旋转地设置在所述处理容器内，以使所述气体沿所述喷头的径向方向能够均匀分布，并通过所述多个喷孔均匀扩散至所述晶圆。
[0005]根据本专利技术的一些实施方式，所述喷头为圆盘状结构。
[0006]根据本专利技术的一些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：处理容器，具有供气口，所述处理容器用以容纳被处理的晶圆；供气组件，连通于所述供气口，用以向所述处理容器内部供给气体；以及喷头，与所述供气口的位置对应设置；所述喷头具有多个喷孔，且沿轴向方向可旋转地设置在所述处理容器内，以使所述气体沿所述喷头的径向方向能够均匀分布，并通过所述多个喷孔均匀扩散至所述晶圆。2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述喷头为圆盘状结构。3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述多个喷孔沿着所述喷头的径向方向呈辐射状布置。4.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述喷头的中心区域的位置与所述供气口的位置对应设置。5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述喷头的旋转轴线与所述供气口的中心线重合设置。6.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括射频电极，所述射频电极连接于所述处理容器，并能够与一外部射频电源连接，用以将所述气体离子化。7.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括基座，所述基座设置在所述处理容器内部，用以承托所述晶圆。8.根据权利要求7所述的晶圆处理装...

【专利技术属性】
技术研发人员：王素丽，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：