【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及形状记忆材料,特别是涉及具有磁场可控的双向形状记忆效应的CoNiGa磁性单晶及其制备方法。
技术介绍
通常的形状记忆合金在相对高的温度下具有一种晶体结构(以下称为母相),而在相对低的温度下自发变成另外一种晶体结构,一般称之为马氏体相。当从较高的温度降温到较低的温度时,材料从母相转变为马氏体相,该相转变叫做马氏体相变。反过来,从相对低的温度加热材料,合金会从马氏体相转变为母相,这种相反的相转变称为马氏体逆相变。一般将马氏体转变的开始点和终点,分别称为Ms点和Mf点,将马氏体逆相变的开始和终点,分别称为As点和Af点。如果Ms和As之间差值较小,比如为几度或几十度,材料的这种马氏体相变被称为热弹性马氏体相变。一般地,将某种合金材料在母相以确定的形状冷却,直到马氏体相后,再人为地改变原有形状S,然后,将合金材料升温,直到转变成奥氏体时,如果合金材料的形状完全或部分地转变为原来的形状,这种现象称为形状记忆效应。另外,如果在同样的上述温度循环中,母相的形状在降温引起的相变时刻变形,再在随后的升温引起的逆相变时刻再变形,并且部分或全部地转变成原来母相的形 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有磁场可控的双向形状记忆效应的磁性单晶,其特征在于具有如下组成CoxNiyGaz其中40<x<60;10<y<30;10<z<30;且x+y+z=100所述的CoxNiyGazM单晶的居里温度达180℃;杨氏模量低到10GPa;最高达4.5%的磁场增强双向形状记忆效应;自由样品产生最高达2.3%的磁感生应变或磁致伸缩;超弹性为20%。2.一种制备权利要求1所述的具有磁场可控的双向形状记忆效应的磁性单晶的方法,其特征在于包括如下步骤(1)按化学式CoxNiyGaz称料;其中40<x<60;10<y<30;10<z<30;且x+y+z=100(2)将称好的料盛放在坩埚中,加热CoxNiyGaz原料到使之熔融;其熔融环境为在真空条件下或在正压力的氩气保护气体;以0.5-50转/分钟的速率旋转的籽晶杆下端固定一个籽晶;(3)在1050-1320℃的熔融温度下保持10到30分钟,用籽晶下端接触熔体的液面,然后以3-80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆,将凝固结晶的单晶向上提拉,并使生长的单晶直径变大或保持一定;(4)当生长的单晶达到所需尺寸时,将单晶提拉脱离熔融的原料表面,以0.5-20℃/分钟的缓慢降低温...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈京兰,张铭,柳祝红,刘国栋,代学芳,吴光恒,
申请(专利权)人:中国科学院物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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