一种忆阻器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种忆阻器及其制备方法，所述忆阻器包括自下而上依次设置的基底、底电极层、功能材料层、顶电极层以及顶电极保护层，其特征在于，所述功能材料层和顶电极层之间设置有阻挡层，所述阻挡层由Nb2C覆盖在MAPbI3层上表面制备而成。本发明专利技术引入阻挡层制备形成的忆阻器，且配置有顶电极保护层，具有稳定性好、导电性佳的特点，具有广阔的应用前景，同时本发明专利技术的制备方法简便高效，成本较低，适合在产业上广泛应用。上广泛应用。上广泛应用。

【技术实现步骤摘要】
一种忆阻器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及类脑器件
，具体涉及一种忆阻器及其制备方法。

技术介绍

[0002]忆阻器是除电阻、电容、电感之外的第四类无源元件，是一个与磁通量和电荷相关的无源电路元件。忆阻器作为一种新型信息器件，可以有机融合信息存储与计算，实现类脑信息处理，被认为是从根本上突破冯
·
诺依曼瓶颈的核心基础单元。
[0003]在忆阻器的研究方面，氧化物忆阻器是研究的最广泛的一类器件。忆阻器多采用简单的三明治或多层三明治结构，自身电阻的改变可以通过外加偏置电压来实现，可用于数据存储或模拟神经突触，是构建类脑系统的潜在候选者。但是由于导电细丝形成的位置往往是随机不可控的，氧化物忆阻器伏安特性的不稳定给设计搭建类脑系统带来了非常大的难度，是业内公认的最急待解决的技术瓶颈。

技术实现思路

[0004]专利技术目的：为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种忆阻器及其制备方法，以提高忆阻器的稳定性、降低功耗。
[0005]技术方案：本专利技术所述的一种忆阻器，包括自下而上依次设置的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种忆阻器，包括自下而上依次设置的基底、底电极层、功能材料层、顶电极层以及顶电极保护层，其特征在于，所述功能材料层和顶电极层之间设置有阻挡层，所述阻挡层由Nb2C覆盖在MAPbI3层上表面制备而成。2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述功能材料层的厚度为100
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200nm。3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述底电极层的厚度为100
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200nm，所述底电极层采用包括ITO、AZO或FTO等透明导电玻璃制成的透明导电电极。4.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述顶电极层为材料为Au、Cu、Ti、Zn、Al、Ag或Ni的金属材料。5.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述顶电极保护层厚度为50
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100nm，所述顶电极保护层材料为Pt、Pd等惰性金属材料。6.一种忆阻器制备方法，其特征在于，主要包括以下步骤：步骤1：对基底进行清洗后，将第一层掩膜版固定在清洗后的基底中心处，并移入溅射腔的靶台上，将腔内抽至真空状态，选取底电极材料作为溅射源，通过磁控溅射仪溅射沉积得到底电极；步骤2：称取功能层材料放入离心管内，并加入甲苯溶液混合后进行超声振荡，以获得功能层材料与甲苯的混合溶液；步骤3：吸取功能层材料与甲苯的混合溶液滴在底电极上，通过甩胶机旋涂，使得底电极的上表面均...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞景豪，刘晓艳，华传洋，王正，叶鹏飞，王磊，童祎，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：