一种欠压锁定电路制造技术

一种欠压锁定电路包括P型场效应管MP1、MP2、MP3、MP4，电阻R1，N型场效应管MN1、MN2、MN3、MN4、齐纳管D1，P型场效应管MPU1

【技术实现步骤摘要】
一种欠压锁定电路


[0001]本专利技术涉及一种集成电路，特别提供一种欠压锁定电路。

技术介绍

[0002]电源管理芯片种类繁多，包括LDO，DC-DC，AC-DC等不同类型，广泛的应用于消费类电子，家电设备，工业应用等领域。在电源管理芯片的应用过程中，当芯片供电电压不足，或者芯片所接负载为重载的情况下时，电源芯片的供电电压将会被拉低。为了确保电源管理芯片自身的稳定工作，同时保护负载系统不受到欠压的损害，一般电源管理芯片内部会设计欠压锁定电路（UVLO）来对供电电压进行监控。
[0003]电源管理芯片欠压锁定电路传统的做法是利用电阻分压对芯片的供电电压进行采样，该采样电压与芯片内部的基准电压输入到比较器进行比较，来判定芯片供电是否正常。而芯片内部的基准电压的建立需要一定的时间，在极端情况下，电源管理芯片需要快速响应芯片供电电压的欠压情况，否则芯片的输出有可能危害到芯片所带负载的安全性。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种无需内部基准电压的欠压锁定电路。
[0005]为达到上述目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种欠压锁定电路，其特征在于：包括P型场效应管MP1、MP2、MP3、MP4，电阻R1，N型场效应管MN1、MN2、MN3、MN4、齐纳管D1，P型场效应管MPU1
……
MPUn-1，MPUn和电源芯片功能电路；所述P型场效应管MP1的栅极与漏极短接，源极连接电源，漏极串接电阻R1到GND；所述P型场效应管MP2的源极连接电源，漏极依次串接N型场效应管MN1、MN2、MN3到GND；所述P型场效应管MP3的源极连接电源，漏极串接N型场效应管MN4到GND；所述P型场效应管MP1、MP2、MP3连接为电流镜结构，所述N型场效应管MN1和MN2接成二极管连接方式，栅极与漏极短接；所述N型场效应管...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉山，刘玉龙，张梁堂，
申请(专利权)人：厦门易创芯诚微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：