一种基片台装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基片台装置，包括真空腔室、设于真空腔室内的基片台、以及穿设于真空腔室上并与基片台相连的转轴，所述转轴与所述基片台相连的一端套设有用于对基片台加热的加热盘，所述基片台内设有冷却液流道，所述转轴内设有与所述冷却液流道连通的冷却液输入通道和冷却液输出通道。本实用新型专利技术具有能对基片进行加热、冷却并带动基片旋转，适应不同的镀膜工艺需求等优点。同的镀膜工艺需求等优点。同的镀膜工艺需求等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种基片台装置


[0001]本技术涉及薄膜制备领域，尤其涉及一种基片台装置。

技术介绍

[0002]离子束溅射镀膜由于成膜质量高，膜层致密，缺陷少等优点逐渐成为薄膜制备常用的方法，特别是在对薄膜质量要求较高的领域，如薄膜传感器、光学薄膜等。离子束溅射镀膜是在一定真空条件下，溅射离子源产生离子束轰击靶材，当离子束轰击靶材的能量超过靶材表面材料的原子结合能时，靶材表面材料的原子(或分子)被溅射出来，这些被溅射出来的靶材原子(或分子)逐层沉积在放置于靶材附近的基片上，从而形成薄膜。
[0003]不同的镀膜工艺对基片温度的要求不同。为了提高薄膜附着力，通常需要将基片加热至100℃
‑
200℃，甚至更高。但对于特殊领域(如红外领域)，由于基片不耐高温，反而需要进行冷却。另一方面，基片在工艺过程中还需要旋转来提高镀膜均匀性。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种能对基片进行加热、冷却并带动基片旋转，适应不同的镀膜工艺需求的基片台装置。
[0005]为解决上述技术问题，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片台装置，包括真空腔室(1)、设于真空腔室(1)内的基片台(2)、以及穿设于真空腔室(1)上并与基片台(2)相连的转轴(3)，其特征在于：所述转轴(3)与所述基片台(2)相连的一端套设有用于对基片台(2)加热的加热盘(4)，所述基片台(2)内设有冷却液流道(21)，所述转轴(3)内设有与所述冷却液流道(21)连通的冷却液输入通道(31)和冷却液输出通道(32)。2.根据权利要求1所述的基片台装置，其特征在于：所述真空腔室(1)与所述转轴(3)之间设有磁流体密封轴(5)，所述磁流体密封轴(5)上设有导热气体接头(51)，所述转轴(3)内设有导热气体通道(33)，所述导热气体通道(33)一端与所述导热气体接头(51)相连，另一端延伸至所述基片台(2)表面。3.根据权利要求2所述的基片台装置，其特征在于：沿所述转轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡凡，龚俊，袁祖浩，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：新型
国别省市：