利用激光诱导效应改变铁磁体CrO*薄膜磁性的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用激光诱导效应改变铁磁体ＣｒＯ↓［２］薄膜磁性的方法，该方法为：在室温下，利用光子能量为２．０ｅＶ－３．５ｅＶ的脉冲激光辐照铁磁体ＣｒＯ↓［２］薄膜；在进行上述步骤的同时，对铁磁体ＣｒＯ↓［２］薄膜施加外加电场，以调控在激光诱导下ＣｒＯ↓［２］薄膜磁性的变化量以及相应的阻抗的变化。本发明专利技术不仅有助于阐明光诱导磁相变的物理机制，而且对开发新型的光存储磁性器件以及光控制器件具有重要意义；本方法可采用ＣｒＯ↓［２］薄膜在能量范围为１．２－１．７５ｅＶ内的光吸收或透过率的变化来表征ＣｒＯ↓［２］薄膜的磁性变化，为测量并研究ＣｒＯ↓［２］薄膜的磁性改变提供了简单方便的途径；本方法为设计新型光电磁性器件提供了一种新的途径，具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种改变铁磁体CrO2薄膜磁性的方法，尤其涉及一种在室温下利用激光诱导效应改变铁磁体CrO2薄膜磁性的方法。
技术介绍
光诱导磁相变研究是目前广为关注的前沿领域之一。它既为研究激发态电子与局域电子自旋、晶格等相互作用提供了一个非常好的舞台，同时，光诱导磁相变研究又具有非常重要的应用价值，对推动高密度光存贮材料的开发以及高性能分子电子器件的研制都具有重大的意义。日本在2004年度就有三个重大研究项目涉及该领域光对物质的制御(日本科技振兴机构项目)、光诱导相变及其动力学研究(日本文部科学省重大项目)及光辐照效应及其协同现象(日本学术振兴会重大项目)，研究经费达上百亿日元。在欧美，光诱导磁相变的研究不仅受到学术界的重视，而且也受到企业界的广泛关注。2003年以前，仅发现十多种材料具有光诱导磁相变现象，如一些钙钛矿型锰酸化合物、Fe-Co氰化物、Fe(II)有机配合物及一些混合原子价化合物。近两年来，国际上有关光诱导磁相变的研究取得长足的进展。在液晶、纳米材料、有机晶体、金属化合物中也发现新的光诱导磁相变现象。国内目前在这方面的研究还处于探索阶段。尽管在国际上光诱导磁相变的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用激光诱导效应改变铁磁体ＣｒＯ↓［２］薄膜磁性的方法，其特征在于，该方法步骤为：　　　　（１）在室温下，利用光子能量为２．０ｅＶ－３．５ｅＶ的脉冲激光辐照铁磁体ＣｒＯ↓［２］薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种利用激光诱导效应改变铁磁体CrO2薄膜磁性的方法，其特征在于，该方法步骤为(1)在室温下，利用光子能量为2.0eV-3.5eV的脉冲激光辐照铁磁体CrO2薄膜。2.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓峻，吴雪炜，程营，吴大健，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]