晶圆边缘保护结构升降控制装置及半导体机台制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种晶圆边缘保护结构升降控制装置及半导体机台，所述晶圆边缘保护结构升降控制装置包括升降单元、行程放大单元以及水平移动单元，所述升降单元用以驱动基底边缘保护结构升降，所述行程放大单元用以驱动升降单元升降并以n倍放大倍率驱动水平移动单元移动，且通过水平移动单元对升降单元的行程进行限位及测量。本实用新型专利技术利用行程放大单元输出放大n倍的行程，并利用该放大n倍的行程进行限位，以便于对升降单元的行程进行限位，有利于提高限位的精度，防止撞坏基底或装置；还可利用上述放大n倍的行程进行测量，以便于测量及调节基底边缘保护结构与基底之间的距离，实现更精确地距离控制，以提高保护效果。以提高保护效果。以提高保护效果。

【技术实现步骤摘要】
晶圆边缘保护结构升降控制装置及半导体机台


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种晶圆边缘保护结构升降控制装置及半导体机台。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术不断向着微型化、集成化发展，对相应的集成电路制造领域的精细化控制也提出更高的要求。例如，将退火工艺由晶圆整体加热的方式向快速热处理(RTP)、脉冲式退火(impulse annealing)及激光扫描退火方式的持续更迭。其中，激光扫描退火的效果最佳。
[0003]在激光扫描退火过程中，由于激光光斑能量密度很大，为防止激光光斑打到晶圆边缘时引起晶圆碎片，在晶圆边缘设置有晶圆边缘保护结构进行部分遮挡，而且根据不同退火工艺条件，该晶圆边缘保护结构距晶圆上表面的距离也需要相应调节。与此同时，在退火时，为了降低氧气对晶圆表面的影响，将晶圆放置到密闭腔体中，以将氧气浓度控制到一定的指标范围。由此，则要求设置于该退火装置的腔体内的晶圆边缘保护结构到晶圆上表面距离控制在一定距离(例如0.1～1.5mm)范围可调，但该距离过小，导致行程机构的电气限位和机械限位设计难度很大，无法对晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆边缘保护结构升降控制装置，用于驱动基底边缘保护结构升降，其特征在于，所述晶圆边缘保护结构升降控制装置包括升降单元、行程放大单元以及水平移动单元，所述升降单元用以驱动所述基底边缘保护结构升降，所述行程放大单元用以驱动所述升降单元升降并以n倍放大倍率驱动所述水平移动单元移动。2.根据权利要求1所述的晶圆边缘保护结构升降控制装置，其特征在于，所述行程放大单元包括丝杠轴、丝杠螺母、齿轮及齿条；所述丝杠轴的一端与一驱动单元连接，所述驱动单元用于驱动所述丝杠轴旋转，所述丝杠螺母与所述丝杠轴构成丝杠副，所述丝杠螺母与所述升降单元连接以驱动所述升降单元升降，所述丝杠轴的另一端与所述齿轮固定连接，所述齿条与所述齿轮啮合并与所述水平移动单元连接，用于将所述丝杠螺母的行程放大n倍。3.根据权利要求2所述的晶圆边缘保护结构升降控制装置，其特征在于，n＝π
×
d/h，且，π
×
d>h，其中，d为所述齿轮的分度圆直径，h为所述丝杠轴的导程。4.根据权利要求3所述的晶圆边缘保护结构升降控制装置，其特征在于，所述水平移动单元包括第一导轨、滑块、限位部件、指针及标尺；所述滑块与所述齿条固定连接，所述滑块滑动设置于所述第一导轨上，所述限位部件设置于所述第一导轨的两侧，所述指针与所述滑块连接并与所述标尺相对应。5.根据权利要求4所述的晶圆边缘保护结构升降控制装置，其特征在于，所述限位部件包括机械限位部件和/或电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，丁宗月，付红艳，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：