一种NVM存储阵列供电控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种NVM存储阵列供电控制电路，在现有NVM存储阵列的供电模块中加入一个电压比较模块以及用于控制高压的开关，自动检测高压供电模块的输出电压，使得控制电压转换模块的开关根据电压比较模块的输出结果自动进行开闭合，达到阈值电压以后才开始给电压转换模块供电，而不需要在高压上升期间给电压转换模块以及后级的存储单元持续供电，从而减少了由于电压转换模块以及后级模块在高压上升期间导致的漏电流，也减少了高压上升所用时间，提高了写入和擦除速度。提高了写入和擦除速度。提高了写入和擦除速度。

【技术实现步骤摘要】
一种NVM存储阵列供电控制电路


[0001]本技术涉及一种NVM存储阵列供电控制电路。

技术介绍

[0002]非易失性存储器（NVM）发展迅速，应用广泛。非易失性存储器在数字媒体中非常流行，它广泛用于 USB 记忆棒和数码相机的存储芯片，其消除了对相对慢速类型的辅助存储系统（包括硬盘）的需求。
[0003]NVM内部控制其写入操作的电路供电系统主要包括Latch（锁存）、HV
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Shifter（电压转换）、HV
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Sys（高压供电）几个部分。
[0004]现有的NVM在进行写入操作时，要写入的数据首先进入Latch中锁存；同时启动HV
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Sys，开始逐渐产生高压，HV
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Shifter以及NVM存储阵列此时一直保持打开状态，等到高压供电达到稳定值（约为16V）后，Latch中的data被写入NVM存储阵列中。这样的话，在电压爬坡阶段HV
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Shifter以及NVM存储阵列处于常开状态，会有相应的漏电流，特别是当存储阵列较大时，各存储单元的漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NVM存储阵列供电控制电路，其特征在于，包括锁存模块、电压转换模块、高压供电模块、电压比较模块以及开关；其中，所述锁存模块连接电压转换模块，所述电压转换模块连接NVM存储阵列；所述高压供电模块连接电压比较模块和开关，所述电压比较模块输出端连接所述开关的控制端，所述开关连接所述电压转换模块；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永生，王彬，徐凯，陈石，唐晴桃，程银，
申请(专利权)人：江苏稻源科技集团有限公司，
类型：新型
国别省市：