本申请公开了一种WL阈值电压分布的获取方法、系统、装置及可读存储介质，应用于NAND FLASH，该方法包括：根据阈值电压的理想电压分布关系，确定待测电压范围；确定待测电压范围内的若干个待测电压点；设置每个待测电压点的read offset值，并读取该read offset值下联动page的原始数据；根据所有联动page的原始数据，确定待测电压范围内的实际电压分布关系。本申请通过对不同待测电压点设置相应的read offset值，获取其联动page的原始数据并分析，即可得到整个待测电压范围内的实际电压分布关系，不依赖于特定的数据，可适用于任何环境场景以及任何类型的输入数据，适用场景明显扩大。大。大。
【技术实现步骤摘要】
一种WL阈值电压分布的获取方法、系统及相关组件
[0001]本专利技术涉及存储器配置领域，特别涉及一种WL阈值电压分布的获取方法、系统及相关组件。
技术介绍
[0002]NAND Flash能在一个WL(Word Line)上存储多个Page数据的基本原理为，将一个Cell的电压精准地控制在多个状态下，以表征多个page的不同数据状态。一个WL的所有Cell的阈值电压分布情况直接影响各个page的翻转情况。在NAND Flash使用过程中，阈值电压分布会因为Read disturb、Data Retention、高低温环境等因素发生变化，导致按原阈值电压分布进行读取的错误率上升。因此，如何能正确获取NAND Flash的WL在不同状态的阈值电压分布是研究固态存储相关技术的关键。
[0003]已有技术在获取阈值电压分布时需要写入特定的数据，进行相应的readoffset获取位翻转数据，对位翻转数据进行处理和拟合，能分析出阈值电压分布，但这种方法无法获取任意状态下WL的阈值电压分布情况，应用场景有一定的局限性，在问题定位、特定场景分析等实际应用情景中无法应用。
[0004]因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是目前本领域技术人员需要解决的问题。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种WL阈值电压分布的获取方法、系统及相关组件。其具体方案如下：
[0006]一种WL阈值电压分布的获取方法，应用于NAND FLASH，包括：
[0007]根据阈值电压的理想电压分布关系，确定待测电压范围；
[0008]确定所述待测电压范围内的若干个待测电压点；
[0009]设置每个所述待测电压点的read offset值，并读取该read offset值下联动page的原始数据；
[0010]根据所有所述联动page的原始数据，确定所述待测电压范围内的实际电压分布关系。
[0011]优选的，所述根据阈值电压的理想电压分布关系，确定待测电压范围的过程，包括：
[0012]以阈值电压的理想电压分布关系中每个理想阈值电压点为中心，确定对应每个所述理想阈值电压点的待测电压范围。
[0013]优选的，所述获取方法还包括：
[0014]合并所有所述理想阈值电压点对应的所述待测电压范围内的实际电压分布关系，得到所述阈值电压的实际电压分布关系。
[0015]优选的，所述以阈值电压的理想电压分布关系中每个理想阈值电压点为中心，确
定对应每个所述理想阈值电压点的待测电压范围的过程，包括：
[0016]以阈值电压的理想电压分布关系中每个理想阈值电压点为中心，以计算电压距离为待测电压范围的宽度，确定对应每个所述理想阈值电压点的待测电压范围；
[0017]所述计算电压距离具体为每两个所述理想阈值电压点之间的距离与冗余系数的乘积。
[0018]优选的，所述以阈值电压的理想电压分布关系中每个理想阈值电压点为中心，确定对应每个所述理想阈值电压点的待测电压范围的过程，包括：
[0019]以阈值电压的理想电压分布关系中每个理想阈值电压点为中心，向左移动预设数量个单位电压距离作为左端点，向右移动所述预设数量个所述单位电压距离作为右端点，确定对应每个所述理想阈值电压点的待测电压范围。
[0020]优选的，所述合并所有所述理想阈值电压点对应的所述待测电压范围内的实际电压分布关系，得到所述阈值电压的实际电压分布关系之前，还包括：
[0021]确定每两个所述待测电压范围的重叠范围的实际电压分布关系。
[0022]优选的，所述确定每两个所述待测电压范围的重叠范围的实际电压分布关系的过程，包括：
[0023]将每两个所述待测电压范围的重叠范围从中点分为第一重叠范围和第二重叠范围；
[0024]将中心离所述第一重叠范围更近的所述待测电压范围的实际电压分布关系，确定为所述第一重叠范围的实际电压分布关系；
[0025]将中心离所述第二重叠范围更近的所述待测电压范围的实际电压分布关系，确定为所述第二重叠范围的实际电压分布关系。
[0026]相应的，本申请还公开了一种WL阈值电压分布的获取系统，应用于NAND FLASH，包括：
[0027]第一确定模块，包括根据阈值电压的理想电压分布关系，确定待测电压范围；
[0028]第二确定模块，用于确定所述待测电压范围内的若干个待测电压点；
[0029]参数设置模块，用于设置每个所述待测电压点的read offset值，并读取该read offset值下联动page的原始数据；
[0030]数据分析模块，用于根据所有所述联动page的原始数据，确定所述待测电压范围内的实际电压分布关系。
[0031]相应的，本申请还公开了一种WL阈值电压分布的获取装置，应用于NAND FLASH，包括：
[0032]存储器，用于存储计算机程序；
[0033]处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上文任一项所述WL阈值电压分布的获取方法的步骤。
[0034]相应的，本申请还公开了一种可读存储介质，应用于NAND FLASH，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上文任一项所述WL阈值电压分布的获取方法的步骤。
[0035]本申请公开了一种WL阈值电压分布的获取方法，应用于NAND FLASH，包括：根据阈值电压的理想电压分布关系，确定待测电压范围；确定所述待测电压范围内的若干个待测
电压点；设置每个所述待测电压点的read offset值，并读取该read offset值下联动page的原始数据；根据所有所述联动page的原始数据，确定所述待测电压范围内的实际电压分布关系。本申请通过对不同待测电压点设置相应的read offset值，获取其联动page的原始数据，分析联动page即可得到整个待测电压范围内的实际电压分布关系，不依赖于特定的数据，可适用于任何环境场景以及任何类型的输入数据，适用场景明显扩大。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0037]图1为本专利技术实施例中一种WL阈值电压分布的获取方法的步骤流程图；
[0038]图2为本专利技术实施例中一种电压分布关系的结构分布图；
[0039]图3为本专利技术实施例中一种WL阈值电压分布的获取装置的结构分布图。
具体实施方式
[0040]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种WL阈值电压分布的获取方法，应用于NAND FLASH，其特征在于，包括：根据阈值电压的理想电压分布关系，确定待测电压范围；确定所述待测电压范围内的若干个待测电压点；设置每个所述待测电压点的read offset值，并读取该read offset值下联动page的原始数据；根据所有所述联动page的原始数据，确定所述待测电压范围内的实际电压分布关系。2.根据权利要求1所述获取方法，其特征在于，所述根据阈值电压的理想电压分布关系，确定待测电压范围的过程，包括：以阈值电压的理想电压分布关系中每个理想阈值电压点为中心，确定对应每个所述理想阈值电压点的待测电压范围。3.根据权利要求2所述获取方法，其特征在于，还包括：合并所有所述理想阈值电压点对应的所述待测电压范围内的实际电压分布关系，得到所述阈值电压的实际电压分布关系。4.根据权利要求3所述获取方法，其特征在于，所述以阈值电压的理想电压分布关系中每个理想阈值电压点为中心，确定对应每个所述理想阈值电压点的待测电压范围的过程，包括：以阈值电压的理想电压分布关系中每个理想阈值电压点为中心，以计算电压距离为待测电压范围的宽度，确定对应每个所述理想阈值电压点的待测电压范围；所述计算电压距离具体为每两个所述理想阈值电压点之间的距离与冗余系数的乘积。5.根据权利要求3所述获取方法，其特征在于，所述以阈值电压的理想电压分布关系中每个理想阈值电压点为中心，确定对应每个所述理想阈值电压点的待测电压范围的过程，包括：以阈值电压的理想电压分布关系中每个理想阈值电压点为中心，向左移动预设数量个单位电压距离作为左端点，向右移动所述预设数量个所述单位电压距离作为右端点，确定对应每个所述理想阈值电压点的待测电压范围。...
【专利技术属性】
技术研发人员：骆文杰，陈湖广，杨万云，
申请(专利权)人：江苏国科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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