薄膜电阻结构及其制造方法技术

本发明专利技术一种薄膜电阻结构，至少包括：一基材，和形成于基材上的一复合型薄膜电阻。复合型薄膜电阻是通过具有电阻温度系数（ＴＣＲ）为负值的半导体金属铜或／及镍氧化物及电阻温度系数为正值的导电金属材分散相混合所构成。以便在提升薄膜电阻片电阻值至大于１０００Ω／□的同时，仍可有效确保电阻温度系数值小于２００ｐｐｍ／℃。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是有关于一种片电 阻值高、电阻温度系数低的。
技术介绍
铜箔线路及电阻皆是印刷电路板(PCB)上必要的构成组件，在目前的 产业应用上，两者的应用及处理乃是分开不相关的。其中铜箔线路是先以 铜箔进行基板积层作业(copper-clad laminate, CCL)，随后再辅以显影/ 蚀刻/剥膜(Devel叩ing/Etching/Stripping， DES)等程序而完成线路的制 作。至于电阻组件的安装配置，则是购买分离式的电阻组件后，再以表面 粘着(SMT)技术进行个别电阻组件的组配作业。然而，随着电子产品行动 化及高功能化的发展趋势，被动组件的数量需求日益增加，而可用的表面 配置空间却又相对减小，且还必须面对高频作业下对信号完整性的要求。 因此目前PCB产业界的因应之策，是以持续縮小被动组件的尺寸以为因应。 目前市场上市占率最大的被动组件产品尺寸是0402(40mil X 20mil) (lmil二千分的一英吋)，而最新型的0201 (20milX10mil)则仍持续 攀升中，预期在2009年便会超越0402产品，成为最大市占率的产品。另 外，更新一代的产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜电阻结构，其特征在于至少包括：　一基材；和　一复合型薄膜电阻，形成于该基材上，该复合型薄膜电阻包括多数层半导体金属氧化物层和具分散相的多数层导电金属层。

【技术特征摘要】
1. 一种薄膜电阻结构，其特征在于至少包括一基材；和一复合型薄膜电阻，形成于该基材上，该复合型薄膜电阻包括多数层半导体金属氧化物层和具分散相的多数层导电金属层。2. 如权利要求1所述的薄膜电阻结构，其特征在于所述这些导电 金属层的材料选自以白金、钯、钌、铑、铱、金或银及前述的合金所组成 的群组。3. 如权利要求1所述的薄膜电阻结构，其特征在于所述这些半导 体金属氧化物层选自以铜的氧化物及/或镍的氧化物所组成的群组。4. 如权利要求3所述的薄膜电阻结构，其特征在于所述这些半导 体金属氧化层的材料为氧化铜。5. 如权利要求1所述的薄膜电阻结构，其特征在于所述这些半导 体金属氧化物层形成于该基材上，而这些导电金属层是形成于这些半导体 金属氧化层上。6. 如权利要求1所述的薄膜电阻结构，其特征在于所述这些导电 金属层是形成于该基材上，而这些半导体金属氧化物层是形成于这些导电 金属层上。7. —种薄膜电阻结构的制造方法，其特征在于包括-提供一基材；形成一复合型薄膜电阻于该基材上，包括 形成多数层半导体金属氧化物层；和还原含有金属材料成分的有机金属前驱物，以形成具分散相的多数层导电金属层。8. 如权利要求7所述的制造方法，其特征在于所述这些导电金属 层的材料选自以白金、钯、钌、铑、铱、金或银及前述的合金所组成的群组。9. 如权利要求7所述的制造方法，其特征在于所述这些半导体金 属氧化物层是选自以铜的氧化物及/或镍的氧化物所组成的群组。10. 如权利要求7所述的制造方法，其特征在于所述这些半导体金属氧化物层在不超过40(TC的制程温度下形成。11. 如权利要求7所述的制造方法，其特征在于所述含有金属材料成分的有机金属前驱物是在小于25(TC的温度下还原，以形成具分散相的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈友忠，李鸿坤，翁荣洲，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]