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本发明一种薄膜电阻结构，至少包括：一基材，和形成于基材上的一复合型薄膜电阻。复合型薄膜电阻是通过具有电阻温度系数（ＴＣＲ）为负值的半导体金属铜或／及镍氧化物及电阻温度系数为正值的导电金属材分散相混合所构成。以便在提升薄膜电阻片电阻值至大于１...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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