【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种线性负温度系数陶瓷热敏材料的制造方法，用该材料制得的热敏电阻器适合于测温、控温和温度补偿等场合。在所有的常温热敏电阻器中，主要采用过渡金属锰、镍、钴等氧化物制成负温度系数(NTC)热敏电阻器。这种NTC热敏电阻器的主要优点是灵敏度高、性能稳定、生产工艺简单、成本低和适宜大批生产。但存在的主要问题是所有的NTC热敏电阻器具有非线性的电阻温度特性，而且，在大的温度范围内，电阻温度特性线性化是相当困难的。现在，各国都在竭力寻找具有线性电阻温度特性的热敏材料。本专利技术的目的在于构造Fe3+部分替代CO3+的尖晶石结构的半导体陶瓷材料系，来制造既具有上述NTC热敏电阻器的优点，又可在较大的温度范围内具有线性的电阻温度特性的热敏电阻器。本专利技术完成上述目的所采取的手段是在CoO-Co2O3-Fe2O3陶瓷系中，改变三价金属离子配比Fe3+/Co3+的值，构造Fe3+部分替代Co3+的尖晶石结构Co2+(Fe3+XCo3+2-X)O4的半导体陶瓷。当Fe3+的摩尔数X在一定的范围时，这种半导体陶瓷具有很大的电阻负温度系数，并且电阻温度特性呈线性关系。由这种半导体陶瓷制得的热敏电阻器就具有线性的电阻温度特性。选择这种CoO-Co2O3-Fe2O3陶瓷系，只需按一般的简单陶瓷工艺，不用增加设备和工序，就能大批量地生产低成本、高稳定的园片状热敏电阻器。改变成型模子又可得到其它形状的热敏电阻器。这种热敏电阻器既具有线性的电阻温度特性，又有较大的电阻温度系数和高的时间稳定性。用本专利技术热敏材料制作园片状热敏电阻器的具体生产过程是按各氧化物的摩尔比CoO∶Co...
【技术保护点】
一种由过滤金属氧化物制成的具尖晶石结构的半导体陶瓷热敏材料和相应热敏电阻器的制造方法，其特征在于选择ＣｏＯ－Ｃｏ↓〔２〕Ｏ↓〔３〕－Ｆｅ↓〔２〕Ｏ↓〔３〕陶瓷系，构造具尖晶石结构的半导体陶瓷：Ｃｏ↑〔２＋〕（Ｆｅｘ↑〔３＋〕Ｃｏ↓〔２－ｘ〕↑〔３＋〕）Ｏ↓〔４〕，０≤Ｘ≤２。
【技术特征摘要】
1.一种由过渡金属氧化物制成的具尖晶石结构的半导体陶瓷热敏材料和相应热敏电阻器的制造方法，其特征在于选择CoO-Co2O3-Fe2O3陶瓷系，构造具尖晶石结构的半导体陶瓷Co2+(Fex3+Co2-x3+)O4，0≤X≤2。2.按权利要求1所述的热敏材料和相应的敏电阻器的制造方法，其特征在于按各金属氧化物的摩尔比CoO∶Co2O3∶Fe2O3＝1∶(1-X/2)∶X/2，0≤X≤2，充分混合，湿磨2～4小时;得到的混合物在900℃～1100...
【专利技术属性】
技术研发人员：武明堂，孙鸿涛，李平，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：61[中国|陕西]
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